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    유기발광소자 및 유기발광소자의 제조방법
    1.
    发明公开
    유기발광소자 및 유기발광소자의 제조방법 有权
    有机发光装置和制造有机发光装置的方法

    公开(公告)号：KR1020160141190A

    公开(公告)日：2016-12-08

    申请号：KR1020150075716

    申请日：2015-05-29

    Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  동아대학교 산학협력단

    Inventor： 이창희 ,  권용원 ,  곽정훈

    IPC: H01L51/50 ,  H01L51/00

    Abstract: 실시예에따른유기발광소자는, 서로대향하는제1 전극및 제2 전극; 상기제1 전극과제2 전극사이에형성되는발광층; 및상기제1 전극과발광층사이에형성되는정공수송층을포함하고, 상기정공수송층은 PEDOT:PSS와금속산화물이혼입된형태로형성될수 있다.

    Abstract translation: 根据实施例的有机发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极; 在第一电极和第二电极之间形成的发光层; 并且在第一电极和发光层之间形成空穴传输层，其中空穴传输层可以由PEDOT：PSS和金属氧化物的混合物形成。

    유기발광다이오드 및 그의 제조 방법
    2.
    发明公开
    유기발광다이오드 및 그의 제조 방법 无效
    有机发光二极管的制造

    公开(公告)号：KR1020110085480A

    公开(公告)日：2011-07-27

    申请号：KR1020100005293

    申请日：2010-01-20

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 이창희 ,  이현구 ,  곽정훈 ,  윤도영 ,  박인선

    IPC: H01L51/54

    CPC classification number: H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/303

    Abstract: PURPOSE: An organic light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to implant an inorganic nano particle between a first electrode and an electron transporting layer, thereby lowering the driving voltage of a device. CONSTITUTION: An inverted organic light emitting diode is made of a substrate, a cathode, an electron implanting or electron transporting layer(13), a light emitting layer(14), a hole transporting or hole implanting layer(16), and an anode. The electron implanting or electron transporting layer is made of inorganic nano particles. The cathode is made of thin metal films. The hole transporting or hole implanting layer is made or an organic layer, a material in which p type material is doped in an organic layer, or inorganic nano particles. The anode is made of metal whose diameter is longer than 60nm.

    Abstract translation: 目的：提供一种有机发光二极管及其制造方法，用于在第一电极和电子传输层之间注入无机纳米颗粒，从而降低器件的驱动电压。 构造：倒置的有机发光二极管由衬底，阴极，电子注入或电子传输层（13），发光层（14），空穴传输或空穴注入层（16）和阳极 。 电子注入或电子传输层由无机纳米颗粒制成。 阴极由薄金属薄膜制成。 制造空穴输送层或空穴注入层或有机层，其中p型材料掺杂在有机层中的材料或无机纳米颗粒。 阳极由直径大于60nm的金属制成。

    양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
    3.
    发明公开
    양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법 有权
    量子发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110127897A

    公开(公告)日：2011-11-28

    申请号：KR1020100047397

    申请日：2010-05-20

    Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 곽정훈 ,  강호철 ,  노영훈 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈 ,  이동구

    IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50

    CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L51/502 ,  H05B33/10 ,  H01L51/0003

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by forming a quantum light emitting layer and a charge transport layer by a solution process. CONSTITUTION: An anode(210) is formed in the top of a substrate. A quantum light-emitting layer(230) is formed on the anode and a charge transport particle and a quantum dot are mixed. A cathode is formed on the quantum light-emitting layer. A charge transport particle is an oxide nano particle. The diameter of a quantum dot is 2nm to 20nm. An electron-transport layer(240a) is composed an N-type semiconductor nano particle and is formed on the quantum light-emitting layer.

    Abstract translation: 目的：提供量子点发光器件及其制造方法，通过溶液法形成量子发光层和电荷输送层来降低制造成本。 构成：在衬底的顶部形成阳极（210）。 在阳极上形成量子发光层（230），电荷输送粒子和量子点混合。 在量子发光层上形成阴极。 电荷输送粒子是氧化物纳米粒子。 量子点的直径为2nm至20nm。 电子传输层（240a）由N型半导体纳米颗粒组成，并形成在量子发光层上。

    양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이
    4.
    发明公开
    양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 有权
    量子点光发射二极管器件和使用它的显示器

    公开(公告)号：KR1020110129121A

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：KR1020100048569

    申请日：2010-05-25

    Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 김영미 ,  강호철 ,  김호진 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  곽정훈 ,  배완기 ,  이동구 ,  임재훈

    IPC: H01L51/56

    CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5036

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting diode device and a display using the same are provided to prevent a hole-transport layer from being solved in a solution by forming the hole-transport layer after a liquid solution process for forming the quantum dot light emitting diode. CONSTITUTION: In a quantum dot light emitting diode device and a display using the same, a cathode(310) is formed on a substrate(300). A quantum dot light-emitting layer(330) is formed on the cathode. An anode(350) is formed on the quantum dot light-emitting layer. An electron-transport layer(320) is formed between the cathode and the quantum dot light-emitting layer. A hole-transport layer(340) is formed between the quantum dot light-emitting layer and the anode.

    Abstract translation: 目的：提供量子点式发光二极管装置及使用其的显示器，以防止在用于形成量子点发光二极管的液体溶液处理之后通过形成空穴传输层而在溶液中溶解空穴传输层 。 构成：在量子点式发光二极管装置及使用其的显示器中，在基板（300）上形成阴极（310）。 在阴极上形成量子点发光层（330）。 在量子点发光层上形成阳极（350）。 在阴极和量子点发光层之间形成电子传输层（320）。 在量子点发光层和阳极之间形成空穴传输层（340）。

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