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公开(公告)号：KR1020100029346A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020080088091
申请日：2008-09-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor film structure and a method of formation thereof, even though the complex process of the existing board manufacture technology or the ELO method is not used, the problem that 2 step growth method has in the different substrate can be solved altogether with the simple method of the eutectic phase, it economics, the loss can be reduced sharply. CONSTITUTION: A semiconductor film structure and a method of formation thereof comprise a compound semiconductor buffer layer(110), a carbon-contained layers(130), and a compound semiconductor layer(120). A compound semiconductor buffer layer is formed on a substrate(100). A carbon-contained layer is at least inserted among a buffer layer inside and layer inside into one place. A compound semiconductor epi layer is formed on the buffer layer.
Abstract translation: 目的：半导体膜结构及其形成方法即使不使用现有的板制造技术或ELO方法的复杂工艺，二步生长方法在不同基板中的问题也可以与 共晶相的简单方法，它的经济性，损失可以大大降低。 构成：半导体膜结构及其形成方法包括化合物半导体缓冲层（110），含碳层（130）和化合物半导体层（120）。 在基板（100）上形成化合物半导体缓冲层。 至少将含碳层插入到内部的内部的缓冲层和内部的缓冲层之中。 化合物半导体外延层形成在缓冲层上。
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公开(公告)号：KR101006480B1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：KR1020080088091
申请日：2008-09-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 위에 격자 상수나 열팽창 계수가 반도체 기판과 다른 이종 반도체 박막을 형성한 이종 접합 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것으로서, 표면을 평탄하게 유지하며 낮은 결함밀도를 갖는 반도체 박막을 형성하는 동시에 반도체 박막 구조의 형성 후 냉각시 열팽창 계수 차이에 의한 기판의 휘어짐을 방지할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반도체 기판 상에 저온에서 반도체 기판과 격자 상수나 열팽창 계수가 다른 이종 반도체 물질로 이루어진 박막을 형성시켜 완충층으로 사용하고, 고온에서 저온에서와 동일한 물질을 갖는 박막을 형성하여 에피층으로 사용하는 2단계 성장법을 이용한다. 또한 2단계 성장 중 저온 성장 및 고온 성장시 중 적어도 어느 한 때에 탄소 함유층을 삽입하도록 한다. 탄소 함유층은 격자불일치(misfit) 전위의 생성 에너지를 낮추고 관통 전위 등의 결함이 탄소 함유층 내부에 고착될 수 있게 한다. 이로써 고온 성장한 반도체 박막은 낮은 결함밀도를 가질 수 있고, 성장 이후 온도 하강시 기판과 박막의 열팽창 계수 차이로 인한 휘어짐을 탄소 함유층 내부의 격자불일치 전위 생성을 통해 억제할 수 있다.
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