中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

6 records (took 0.022 seconds)

    반도체 박막 구조 및 그 형성 방법
    2.
    发明公开
    반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
    SEMICONDUCTOR THIN FILM STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME

    公开(公告)号：KR1020100029346A

    公开(公告)日：2010-03-17

    申请号：KR1020080088091

    申请日：2008-09-08

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 윤의준 ,  김현우 ,  박성현 ,  김동혁

    IPC: H01L21/20

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor film structure and a method of formation thereof, even though the complex process of the existing board manufacture technology or the ELO method is not used, the problem that 2 step growth method has in the different substrate can be solved altogether with the simple method of the eutectic phase, it economics, the loss can be reduced sharply. CONSTITUTION: A semiconductor film structure and a method of formation thereof comprise a compound semiconductor buffer layer(110), a carbon-contained layers(130), and a compound semiconductor layer(120). A compound semiconductor buffer layer is formed on a substrate(100). A carbon-contained layer is at least inserted among a buffer layer inside and layer inside into one place. A compound semiconductor epi layer is formed on the buffer layer.

    Abstract translation: 目的：半导体膜结构及其形成方法即使不使用现有的板制造技术或ELO方法的复杂工艺，二步生长方法在不同基板中的问题也可以与 共晶相的简单方法，它的经济性，损失可以大大降低。 构成：半导体膜结构及其形成方法包括化合物半导体缓冲层（110），含碳层（130）和化合物半导体层（120）。 在基板（100）上形成化合物半导体缓冲层。 至少将含碳层插入到内部的内部的缓冲层和内部的缓冲层之中。 化合物半导体外延层形成在缓冲层上。

    반도체 발광소자 및 그 제조방법
    4.
    发明公开
    반도체 발광소자 및 그 제조방법 审中-实审
    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140104717A

    公开(公告)日：2014-08-29

    申请号：KR1020130018552

    申请日：2013-02-21

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 이건훈 ,  박성현 ,  윤의준 ,  윤석호

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L2933/0091

    Abstract: One aspect of the present invention provides a semiconductor light emitting device which includes a base semiconductor layer which has at least one void set group having multiple voids, a first conductivity type semiconductor layer which is formed on the base semiconductor layer, an active layer which is formed on the first conductivity type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer which is formed on the active layer. According to one embodiment of the present invention, a semiconductor light emitting device which has a semiconductor layer of excellent crystallinity and improved light efficiency can be obtained.

    Abstract translation: 本发明的一个方面提供了一种半导体发光器件，其包括具有至少一个具有多个空隙的空隙组的基极半导体层，形成在该基底半导体层上的第一导电型半导体层， 形成在第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层和形成在有源层上的第二导电类型半导体层。 根据本发明的一个实施例，可以获得具有优异的结晶度和改善的光效率的半导体层的半导体发光器件。

    반도체 소자 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    반도체 소자 및 그 제조방법 审中-实审
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020120092928A

    公开(公告)日：2012-08-22

    申请号：KR1020110012863

    申请日：2011-02-14

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 이상문 ,  윤의준 ,  박진섭 ,  박성현

    IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to form a non-polar nitride device of a structure capable of minimizing penetrating potential density and stacking fault density. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is formed on a substrate(110). A first non-planar non-polar nitride semiconductor layer(130) is formed on the buffer layer. A first structure layer(140) is formed at a part of the surface of the first non-planar non-polar nitride semiconductor layer. The first structure layer is comprised of plurality of solid particles(141). A first non-polar nitride semiconductor layer(150) is formed on the first non-planar non-polar nitride semiconductor layer and first structure layer. A second non-polar nitride semiconductor layer is formed on the first non-polar nitride semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以形成能够最小化穿透电位密度和堆垛层错密度的结构的非极性氮化物器件。 构成：在衬底（110）上形成缓冲层（120）。 第一非平面非极性氮化物半导体层（130）形成在缓冲层上。 第一结构层（140）形成在第一非平面非极性氮化物半导体层的表面的一部分处。 第一结构层由多个固体颗粒（141）组成。 第一非极性氮化物半导体层（150）形成在第一非平面非极性氮化物半导体层和第一结构层上。 在第一非极性氮化物半导体层上形成第二非极性氮化物半导体层。

    반도체 박막 구조 및 그 형성 방법
    6.
    发明授权
    반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
    半导体薄膜结构及其形成方法

    公开(公告)号：KR101006480B1

    公开(公告)日：2011-01-06

    申请号：KR1020080088091

    申请日：2008-09-08

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 윤의준 ,  김현우 ,  박성현 ,  김동혁

    IPC: H01L21/20

    Abstract: 본 발명은 반도체 기판 위에 격자 상수나 열팽창 계수가 반도체 기판과 다른 이종 반도체 박막을 형성한 이종 접합 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것으로서, 표면을 평탄하게 유지하며 낮은 결함밀도를 갖는 반도체 박막을 형성하는 동시에 반도체 박막 구조의 형성 후 냉각시 열팽창 계수 차이에 의한 기판의 휘어짐을 방지할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반도체 기판 상에 저온에서 반도체 기판과 격자 상수나 열팽창 계수가 다른 이종 반도체 물질로 이루어진 박막을 형성시켜 완충층으로 사용하고, 고온에서 저온에서와 동일한 물질을 갖는 박막을 형성하여 에피층으로 사용하는 2단계 성장법을 이용한다. 또한 2단계 성장 중 저온 성장 및 고온 성장시 중 적어도 어느 한 때에 탄소 함유층을 삽입하도록 한다. 탄소 함유층은 격자불일치(misfit) 전위의 생성 에너지를 낮추고 관통 전위 등의 결함이 탄소 함유층 내부에 고착될 수 있게 한다. 이로써 고온 성장한 반도체 박막은 낮은 결함밀도를 가질 수 있고, 성장 이후 온도 하강시 기판과 박막의 열팽창 계수 차이로 인한 휘어짐을 탄소 함유층 내부의 격자불일치 전위 생성을 통해 억제할 수 있다.

Patent Agency Ranking