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公开(公告)号：WO2022240095A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/KR2022/006565
申请日：2022-05-09
Applicant: 삼성전자 주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 개시(disclosure)는 LTE(Long Term Evolution)와 같은 4G(4th generation) 통신 시스템 이후 보다 높은 데이터 전송률을 지원하기 위한 5G(5th generation) 또는 6G(6th generation) 통신 시스템에 관련된 것이다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 무선 통신 시스템의 안테나는, 제1 전송 선로, 복수의 개구부들을 포함하는 제1 층(layer), 복수의 유전체(dielectric)들을 포함하는 제2 층 및 상기 복수의 유전체들에 대응하는 복수의 안테나 엘리먼트(antenna element)들이 배치되는 제3 층을 포함하고, 상기 복수의 유전체들 각각의 제1 면은 상기 제1 층을 향하도록 배치되고, 상기 복수의 유전체들 각각의 제1 면에 반대되는 제2 면은 상기 제3 층을 향하도록 배치되고, 상기 복수의 안테나 엘리먼트들 각각은, 상기 복수의 유전체들 중에서 대응하는 유전체의 제2 면에 위치하도록 배치될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101760189B1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：KR1020150170945
申请日：2015-12-02
Applicant: 주식회사 엘지유플러스 , 서울대학교산학협력단
IPC: G10L19/02 , G10L19/002
Abstract: 신호처리방법이개시된다. 일실시예는입력신호의주파수특성을기초로상기입력신호의특성세트(feature set)를획득하고, 상기특성세트및 미리정의된복수의비트그리드(beat grid)를이용하여상기입력신호의비트(beat) 속도를결정하며, 상기결정된비트속도에대응하는비트그리드로부터조정비트그리드를획득하고, 상기조정비트그리드의자기유사성(self-similarity)을획득하고, 상기자기유사성을기초로비트를추출하며, 상기추출된비트의비트인덱스를이용하여미리정해진조건에매칭되는다운비트인덱스를식별하고, 상기다운비트인덱스를기초로상기입력신호의화성적특징(harmonic characteristics)의변화포인트를결정하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种信号处理方法。 一个实施方式包括比特使用获得的一组特征（特征组）基于所述输入信号的频率特性的输入信号的（拍网格）的输入信号，其中该组特征和多个位网格的预定义的（ 确定在拍的速率），并且从对应于所确定的比特率的比特网格获得调整的比特网格并获得调整位网格的自相似性（自相似性）和提取比特基于自相似 中，该方法的使用所提取的比特的比特索引包含识别与预定条件匹配的向下位索引，并且确定所述输入信号的基础上，向下位索引的谐波特性的变化点（谐波特性） 它包括。
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公开(公告)号：KR1020140066610A
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020120134048
申请日：2012-11-23
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01K7/01
Abstract: The present technology provides a semiconductor device which can precisely measure a temperature even in a low-voltage environment wherein a driving voltage is low. The semiconductor device according to the present technology includes a control voltage generation unit which generates a control voltage in response to a temperature range signal distinguishing a plurality of temperature ranges; and a temperature voltage output unit which outputs a temperature voltage being varied based on the temperature in a temperature range corresponding to a temperature range signal according to the temperature range signal and the control voltage.
Abstract translation: 本技术提供了即使在驱动电压低的低压环境中也能够精确地测量温度的半导体装置。 根据本技术的半导体器件包括控制电压产生单元，其响应于区分多个温度范围的温度范围信号而产生控制电压; 以及温度电压输出单元，其输出温度电压根据与温度范围信号对应的温度范围内的温度而变化，该温度范围信号根据温度范围信号和控制电压。
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公开(公告)号：KR1020170064912A
公开(公告)日：2017-06-12
申请号：KR1020150170945
申请日：2015-12-02
Applicant: 주식회사 엘지유플러스 , 서울대학교산학협력단
IPC: G10L19/02 , G10L19/002
Abstract: 신호처리방법이개시된다. 일실시예는입력신호의주파수특성을기초로상기입력신호의특성세트(feature set)를획득하고, 상기특성세트및 미리정의된복수의비트그리드(beat grid)를이용하여상기입력신호의비트(beat) 속도를결정하며, 상기결정된비트속도에대응하는비트그리드로부터조정비트그리드를획득하고, 상기조정비트그리드의자기유사성(self-similarity)을획득하고, 상기자기유사성을기초로비트를추출하며, 상기추출된비트의비트인덱스를이용하여미리정해진조건에매칭되는다운비트인덱스를식별하고, 상기다운비트인덱스를기초로상기입력신호의화성적특징(harmonic characteristics)의변화포인트를결정하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170000217A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150089165
申请日：2015-06-23
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L51/44 , H01L51/42 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 본발명은전도성고분자인 PEDOT:PSS를아이오딘화수소(이하“HI”라한다.)를이용하여산화시켜유기태양전지에도입한것이다. PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)는일반적으로용제에녹이기위하여절연성질을띄고있는 PSS와전도성을띄고있는 PEDOT으로이루어져있다. 절연성질인 PSS의비율을낮추기위하여산 물질인 HI를 PEDOT:PSS 박막에처리하면전도도가증가하게되고박막의면저항이감소하게되어유기태양전지의투명전극으로활용할수 있다.
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公开(公告)号：KR101061803B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020100006793
申请日：2010-01-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
Abstract: Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체가 개시된다. 일 실시 예로서, Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체는 기판 및 상기 기판 위에 완충층이 배치되고 상기 완충층 위에 에어갭(air gap)을 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 1 층이 배치되고, 상기 제 1 층 위에 격자와 공기홀이 주기적으로 배열되는 평행한 창살형 박막 격자 구조를 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 2 층을 포함하여 외부에서 상기 격자 구조에 수직으로 입사하는 입사광 중 상기 격자를 통과하는 제 1 광과 상기 공기홀을 통과하는 제 2 광이 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 구조 표면에서 반사된다.
Abstract translation: 公开了一种III族氮化物薄膜晶格反射器。 在一个实施例中，Ⅲ族氮化物薄膜格栅反射器是包含设置在衬底和衬底和所述缓冲层上方的空气间隙（气隙）上的缓冲层被设置在一Ⅲ族氮化物的第一层，所述第一层 从外面看，包括光栅和第二层的空气孔，以ⅲ族氮化物，其包括平行炉排型薄膜格子，其被周期性地布置在穿过入射光的网格垂直入射在晶格结构中的第一光， 和已经通过空气孔通过了第二光从反射的入射光，所述通过使彼此相消干涉光栅的表面结构。
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公开(公告)号：KR101978516B1
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：KR1020120134048
申请日：2012-11-23
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
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公开(公告)号：KR1020150096204A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020140017363
申请日：2014-02-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H04N21/854 , H04N21/845 , H04N5/04
CPC classification number: H04N5/04 , G10L17/005 , H04N21/845
Abstract: 영상에서 출력되는 음성을 분석하여 화자 전환 지점을 검출하고, 음성에서 검출되는 화자의 순서를 대본에서 추출한 화자의 순서와 동기화하며, 대본에 기초하여 영상의 각 장면에 대응하는 상황과 화제를 태깅하는 멀티미디어 분류, 분석, 그리고 태깅을 위한 대본과 영상 동기화 장치 및 방법이 제공된다.
Abstract translation: 提供了一种用于对准用于多媒体排序，分析和标记的脚本和图像的装置和方法。 该装置通过分析从图像输出的声音来检测扬声器改变点，使从语音检测到的扬声器的顺序与从脚本检测到的扬声器的顺序对齐，并且对与每个场景的每个场景相对应的情况和主题进行标记 基于脚本的图像。
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公开(公告)号：KR1020110041969A
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：KR1020100006793
申请日：2010-01-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A family III nitride thin film lattice reflector is provided to obtain the high reflectivity for the incident light of a particular wavelength by comprising the lattice shape grid structure being parallel. CONSTITUTION: A buffer layer is arranged on a substrate. A first layer made of the family III nitride comprises an air gap(235) on the buffer layer. A second level made of III family nitride comprises the lattice shape thin film grid structure being parallel where lattice and air hole(244) are periodically arranged on the first layer. Since the second light passing through the first light and air hole each other raises the destructive interference the incident light is reflected to the grid structure surface.
Abstract translation: 目的：提供一种III族氮化物薄膜点阵反射器，以通过包括平行的格子状网格结构来获得特定波长的入射光的高反射率。 构成：在衬底上布置缓冲层。 由III族氮化物构成的第一层包括缓冲层上的气隙（235）。 由III族氮化物构成的第二级包括晶格形状薄膜栅格结构平行，其中晶格和空气孔（244）周期性地布置在第一层上。 由于通过第一光和空气孔的第二光使得入射光被反射到栅格结构表面而引起相消干涉。
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