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公开(公告)号：KR102230653B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020130169391A
申请日：2013-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/36
Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 채널층이 게이트 전극과 상대적으로 가까운 제 1영역과 상대적으로 거리가 먼 제 2영역을 포함할 수 있으며, 채널층을 구성하는 물질 중 적어도 하나는 제 1영역보다 제 2영역에서의 농도가 더 클 수 있다. 채널층은 아연(Zn) 및 불소(F)를 포함할 수 있으며, 제 2영역에서의 불소의 농도가 제 1영역에서의 불소의 농도보다 클 수 있다.
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公开(公告)号：WO2023075348A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/KR2022/016321
申请日：2022-10-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 다층의 박막 FPCB(Flexible Printed Circuit Board) 제작방법은 박막의 제1 유연 기판에 금속 나노입자를 코팅시키는 단계, 금속 나노입자에 레이저를 인가하여 금속 나노입자를 소결시켜 패턴닝을 하는 단계, 소결되지 않은 금속 나노입자를 세정시키는 단계, 패턴이 형성된 제1 유연 기판 위에 박막의 제2 유연 기판을 적층시키는 단계, 제2 유연 기판에 레이저를 이용하여 비아홀을 형성하는 단계, 제2 유연 기판에 금속 나노입자를 코팅시키는 단계, 금속 나노입자에 레이저를 인가하여 금속 나노입자를 소결시켜 패터닝을 하는 단계 및 소결되지 않은 금속 나노입자를 세정시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150079274A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130169391
申请日：2013-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/36
Abstract: 박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는채널층이게이트전극과상대적으로가까운제 1영역과상대적으로거리가먼 제 2영역을포함할수 있으며, 채널층을구성하는물질중 적어도하나는제 1영역보다제 2영역에서의농도가더 클수 있다. 채널층은아연(Zn) 및불소(F)를포함할수 있으며, 제 2영역에서의불소의농도가제 1영역에서의불소의농도보다클 수있다.
Abstract translation: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。 所公开的薄膜晶体管包括其中沟道区域相对靠近栅电极的第一区域和沟道层相对于栅电极相对较远的第二区域。 形成沟道层的至少一种材料能够在第二区域中具有比在第一区域中更大的浓度。 通道层能够含有锌（Zn）和氟（F）。 第二区域的氟浓度能够比第一区域的氟浓度大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101361610B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020120070054
申请日：2012-06-28
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 전북대학교산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단
IPC: B81C1/00 , H01L21/027 , H01L21/306
Abstract: 습식 식각을 이용한 수직 구조물 제작 방법이 제공된다. 수직 관통형 구조물을 제작하기 위한 제1마스크를 이용하여 수직 관통형 구조물에 해당하는 패턴을 기판의 양면에 동일하게 패터닝하는 단계와, 제1마스크에 의해 패터닝된 기판을 제1용액을 이용하여 식각하는 단계와, 수직 관통형 구조물에 포함된 기판의 식각을 중지하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102230653B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020130169391
申请日：2013-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는채널층이게이트전극과상대적으로가까운제 1영역과상대적으로거리가먼 제 2영역을포함할수 있으며, 채널층을구성하는물질중 적어도하나는제 1영역보다제 2영역에서의농도가더 클수 있다. 채널층은아연(Zn) 및불소(F)를포함할수 있으며, 제 2영역에서의불소의농도가제 1영역에서의불소의농도보다클 수있다.
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公开(公告)号：KR102119758B1
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：KR1020180070551
申请日：2018-06-20
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
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公开(公告)号：KR1020140002973A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020120070054
申请日：2012-06-28
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 전북대학교산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단
IPC: B81C1/00 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: B81C1/00031 , H01L21/0273 , H01L21/30604
Abstract: A method for fabricating vertical structures using a wet etching method is provided. The method comprises a step of forming identical patterns corresponding to the vertical through type structures on both sides of a base plate using a first mask; a step of etching the base plate after the patterning step using a first solution; and a step of stopping the etching of the base plate on the vertical through type structure. [Reference numerals] (AA) Vertical
Abstract translation: 提供了使用湿式蚀刻方法制造垂直结构的方法。 该方法包括使用第一掩模在基板的两侧上形成与垂直通孔型结构对应的相同图案的步骤; 在使用第一溶液的图案化步骤之后蚀刻所述基板的步骤; 以及在垂直贯通型结构上停止基板的蚀刻的步骤。 （标号）（AA）垂直
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公开(公告)号：KR1020180124311A
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：KR1020170058601
申请日：2017-05-11
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 재단법인 국가농림기상센터
Abstract: 본발명은산림에설치되어낙엽층의무게를측정을하기위한방법및 이를이용한장치에관한것으로, 상기낙엽의무게를측정하기위해약 1m의철제틀 구조물에 4개의스프링과로드셀, 로드셀신호변환기를연결하고무게계산및 기록장치를사용하여발명을구성하였다. 현장에서로드셀마다쉽게캘리브레이션이가능하기때문에신호보정을할 수있어보다정확한신호를수집하며, 신호수집및 저장장치는적재된낙엽층의무게를측정하고저장하며, 함수율을계산하여그 값이낮을경우산불위험이있다는경고알림을표시하는장치를특징으로한다.
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