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公开(公告)号：KR101161930B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020090096795
申请日：2009-10-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8239
Abstract: 본 발명은 자구벽 메모리의 핵심 기술 중 하나인 자구벽을 고정시키는 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 홈구조와 나노구조에서 발생하는 스트레이필드를 이용하여 자구벽 메모리 소자에서 자구벽을 고정시키는 것에 관한 것이다.
본 발명에 의할 경우 자성나노선의 홈구조의 제작에 있어 현실적으로 존재하는 불균일성에 기인하는 여러개의 고정점으로 인한 자구벽의 불균일과 그로 인한 저장매체로서의 신뢰성 저하를 해결할 수 있다.
자구벽 소자, 자구벽 메모리, 자구벽 피닝, 자구벽 디피닝, 스트레이 필드-
公开(公告)号：KR101635827B1
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020090046080
申请日：2009-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , G11C11/15 , B82Y40/00
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 자구벽이동을이용한정보저장장치에관해개시되어있다. 개시된정보저장장치는자성트랙과상기자성트랙의자구벽을핀닝(pinning)시키기위한적어도하나의핀닝부재(pinning element)를포함할수 있다. 상기핀닝부재는상기자성트랙에상기자구벽을핀닝시키기위한자기장을인가하는요소일수 있고, 상기자기장의방향은상기자구벽의자화방향과동일할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100039794A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：KR1020090046080
申请日：2009-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , G11C11/15 , B82Y40/00
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/15 , B82Y10/00 , G11B5/02 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: An information storage device using the movement of a magnetic domain wall is provided to obtain the information storage device with a large storage capacity without a rotating mechanical device using the movement principles of a magnetic domain and a magnetic domain wall. CONSTITUTION: A magnetic track(100) includes a plurality of magnetic domains(D1, D2) and a magnetic domain wall(DW1). A pinning material(200) is spaced apart from the magnetic track and pins the magnetic domain wall. The pining material applies magnetic field to the magnetic track in order to pin the magnetic domain wall. The direction of the magnetic field is identical to the magnetization direction of the magnetic domain wall. The pinning material is magnetic layer pattern.
Abstract translation: 目的：提供使用磁畴壁移动的信息存储装置，以便利用磁畴和磁畴壁的运动原理，不用旋转的机械装置来获得具有大存储容量的信息存储装置。 构成：磁道（100）包括多个磁畴（D1，D2）和磁畴壁（DW1）。 钉扎材料（200）与磁迹间隔开并且对磁畴壁进行引脚。 打浆材料将磁场施加到磁道以便将磁畴壁固定。 磁场的方向与磁畴壁的磁化方向相同。 钉扎材料是磁性层图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110039792A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020090096795
申请日：2009-10-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8239
Abstract: PURPOSE: A fixing method using a stray field and notch for the magnetic domain wall pinning in a magnetic domain wall memory are provided to fix a magnetic domain wall to a memory device by using a stray filed which is generated from a groove structure and a nano structure. CONSTITUTION: In a fixing method using a stray field and notch for the magnetic domain wall pinning in a magnetic domain wall memory, a stray field is generated by arranging a ferromagnetism nano structure in the groove structure of a magnetism nano wire. A vertical magnetic component vertical to the magnetic domain wall is generated through the stray field and is maintained a stable energy state. A groove structure has a recessive part in the specific region of the magnetism nano wire. The magnetic domain wall is fixed to a memory device by using the stray field.
Abstract translation: 目的：提供一种使用杂散磁场和磁畴壁陷波在磁畴壁存储器中钉扎的固定方法，通过使用从凹槽结构和纳米结构产生的杂散磁场将磁畴壁固定到存储器件 结构体。 构成：在磁畴壁存储器中使用杂散场和陷波用于磁畴壁钉扎的固定方法中，通过在磁性纳米线的沟槽结构中布置铁磁性纳米结构来产生杂散场。 通过杂散场产生垂直于磁畴壁的垂直磁性分量并保持稳定的能量状态。 凹槽结构在磁性纳米线的特定区域中具有隐性部分。 通过使用杂散场将磁畴壁固定到存储器件。
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公开(公告)号：KR1020100125144A
公开(公告)日：2010-11-30
申请号：KR1020090044199
申请日：2009-05-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01R33/096 , G01R27/00 , G01R33/07
Abstract: PURPOSE: A device for measuring a magnetic anisotropy constant is provided to stably measure the magnetic anisotropy constant of a magnetic element by measuring an electric signal like the electric resistance or hall voltage of the magnetic element. CONSTITUTION: A magnetic field generator(100) applies a uniform magnetic field and forms a magnetic space. A rotating unit(200) rotates a magnetic element around a fixed axis. A data measuring unit(300) measures the resistance of a magnetic element. An operator(400) operates the magnetic anisotropy constant of the magnetic element.
Abstract translation: 目的：提供用于测量磁各向异性常数的装置，通过测量诸如磁性元件的电阻或霍尔电压的电信号来稳定地测量磁性元件的磁各向异性常数。 构成：磁场发生器（100）施加均匀的磁场并形成磁空间。 旋转单元（200）围绕固定轴线旋转磁性元件。 数据测量单元（300）测量磁性元件的电阻。 操作者（400）操作磁性元件的磁各向异性常数。
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公开(公告)号：KR1020110092693A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012262
申请日：2010-02-10
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A structure of electrode for minimizing oersted magnetic field is provided to perform accurate control of a device by controlling the oersted magnetic field which is generated in an electrode connection structure. CONSTITUTION: In a structure of electrode for minimizing oersted magnetic field, a device comprises a magnetic element(320) and an electrode(310). The electrode is faced with the magnetic element while being contacted with it. The oersted magnetic field is generated by a current flowing through an electrode. The size of the oersted magnetic field is larger than the magnetization change critical field of magnetic materials.
Abstract translation: 目的：提供用于使奥斯特磁场最小化的电极结构，通过控制在电极连接结构中产生的奥斯特磁场来对器件进行精确的控制。 构成：在用于最小化奥斯特磁场的电极的结构中，装置包括磁性元件（320）和电极（310）。 电极在与其接触的同时面对磁性元件。 奥斯特磁场由流过电极的电流产生。 奥斯特磁场的大小大于磁性材料的磁化变化临界场。
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公开(公告)号：KR101052698B1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：KR1020080108118
申请日：2008-10-31
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 물질의 자기적 성질 중 미세 시료의 포화자화값과 수직자기이방성을 측정함에 있어서, 자기저항 측정을 통한 토크마그네토미터의 포화자기값과 자기이방성상수의 측정방법에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 자기장의 세기를 고정한 상태에서 시료를 회전하며 저항을 측정하는 단계; 와 자기자의 세기를 증가시키면서 저항의 측정을 반복함으로써 특정 자기장의 세기를 넘어설 경우 일정한 형태의 자기저항곡선을 구하는 단계; 와 상기 일정한 형태의 자기저항 곡선으로부터
R
0 와 Δ
R 를 구하는 단계; 와 상기
R
0 와 Δ
R 값을 이용해 자기장의 세기가 포화자화값 보다 작은 경우의 자기저항 곡선을 정규화 하는 단계; 와 상기 정규화된 자기저항 곡선을 통해 외부자기장의 세기에 따른 시료의 자화방향을 판독하는 단계; 와 포화자기값 Ms와 자기이방성 상수 K를 계산하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 자기저항 측정을 통한 토크마그네토미터의 포화자기값과 자기이방성상수의 측정방법을 제시한다.
본 발명에 의할 경우, 다양한 구조를 가지는 시료, 즉 수 마이크로, 나노미터 크기의 시료의 측정이 가능한 토크마그네토미터의 측정방법을 제시할 수 있음은 물론 외부진동의 문제와 함께 마찰의 문제등 다양한 물리적인 문제에 대응 가능한 측정방법을 제시한다.
자기저항, 토크마그네토미터, 포화자기값, 자기이방성상수Abstract translation: 本发明涉及一种测量饱和磁化强度和垂直的材料的磁特性的精细样品的磁各向异性，测量磁矩磁计的磁饱和值与测量电阻和磁各向异性常数的方法。
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公开(公告)号：KR1020100048803A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020080108118
申请日：2008-10-31
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R33/096 , B82Y25/00 , G01R33/0023
Abstract: PURPOSE: By deciphering the magnetization direction of sample according to the intensity of the external magnetism by using the magnetic reluctance curve the method for measuring the saturation magnetization value and magnetic anisotropy constant can measure the sample of the nano size. CONSTITUTION: In the state where the intensity of the magnetic field is fixed, resistance is measured at while sample is rotated. The measurement of resistance repeats while multiplying the intensity of the magnetic field. The fixed magnetic reluctance(MR) curve of form obtains. R0 and ΔR obtain from the magnetic reluctance curve. The magnetic reluctance curve is normalized. The magnetization direction of the sample according to the intensity of the external magnetism is read. The saturation magnetization value and magnetic anisotropy constant are calculated.
Abstract translation: 目的：通过使用磁阻曲线根据外磁场强度对样品的磁化方向进行解密，测量饱和磁化值和磁各向异性常数的方法可以测量纳米尺寸的样品。 构成：在磁场强度固定的状态下，在样品旋转时测量电阻。 电阻的测量在乘以磁场的强度时重复。 形式的固定磁阻（MR）曲线得到。 R0和ΔR从磁阻曲线获得。 磁阻曲线被归一化。 读取根据外部磁场强度的样品的磁化方向。 计算饱和磁化值和磁各向异性常数。
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