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1.发明授权
公开(公告)号：KR101183650B1
公开(公告)日：2012-09-17
申请号：KR1020110013979
申请日：2011-02-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 형상기억 코일 스프링의 제조방법에 관한 것으로, Ni
x Ti
100-x (49≤x≤50.5)조성의 합금 선재를 제조하는 합금 선재 제조 단계; 상기 합금 선재를 스프링 지수가 5이상인 밀착된 형상의 코일 스프링으로 가공하는 코일 스프링 가공 단계; 상기 밀착된 형상으로 가공된 코일 스프링을 400℃보다 높고 800℃보다 낮은 온도에서 열처리하는 열처리 단계; 및 상기 코일 스프링을 상온에서 응력을 가하여 팽창시키고, 팽창된 코일 스프링에 전류를 가하여 코일 스프링을 수축시킨 뒤 마르텐사이트 변태온도 이하로 냉각하는 과정을 반복하는 트레이닝 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 제조공정의 반복횟수를 줄이면서도, 가열과 냉각 과정에서 다단계 수축거동을 통해 변위 조절이 가능한 독특한 이방향 형상기억 거동을 나타내는 코일 스프링을 제조하는 새로운 방법을 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 형상기억 코일 스프링을 액추에이터에 적용하면 수축거동을 다단계로 조정할 수 있는 액추에이터를 제조할 수 있어서 유량 조절 밸브나 앵글조절이 가능한 팬노즐 등 다양한 기계부품 및 구동소자에 응용이 가능하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101161930B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020090096795
申请日：2009-10-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8239
Abstract: 본 발명은 자구벽 메모리의 핵심 기술 중 하나인 자구벽을 고정시키는 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 홈구조와 나노구조에서 발생하는 스트레이필드를 이용하여 자구벽 메모리 소자에서 자구벽을 고정시키는 것에 관한 것이다.
본 발명에 의할 경우 자성나노선의 홈구조의 제작에 있어 현실적으로 존재하는 불균일성에 기인하는 여러개의 고정점으로 인한 자구벽의 불균일과 그로 인한 저장매체로서의 신뢰성 저하를 해결할 수 있다.
자구벽 소자, 자구벽 메모리, 자구벽 피닝, 자구벽 디피닝, 스트레이 필드-
公开(公告)号：KR1020110125514A
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：KR1020100045081
申请日：2010-05-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A shape memory alloy double spring and a shape memory alloy actuator having the same are provided to secure high output of a shape memory alloy actuator because the deformation amount per unit length of a shape memory alloy double spring is greater than that of the conventional spring. CONSTITUTION: A shape memory alloy actuator comprises a shape memory alloy double spring(10), a power unit, and an output unit. The shape memory alloy double spring has a double spring structure in which a primary spring formed by spirally coiling a wire is spirally coiled again. The power unit thermal elastically transforms the shape memory alloy double spring by applying power to the shape memory alloy double spring. The output unit is connected to an end of the shape memory alloy double spring and outputs the deformation amount of the shape memory alloy double spring in a desired exercise form.
Abstract translation: 目的：提供形状记忆合金双弹簧和形状记忆合金致动器，以形成形状记忆合金致动器的高输出，因为形状记忆合金双弹簧的每单位长度的变形量大于常规 弹簧。 构成：形状记忆合金致动器包括形状记忆合金双弹簧（10），动力单元和输出单元。 形状记忆合金双弹簧具有双弹簧结构，其中通过螺旋卷绕线形成的主弹簧被再次螺旋卷绕。 动力单元通过向形状记忆合金双弹簧施加动力来热弹性地变形形状记忆合金双弹簧。 输出单元连接到形状记忆合金双弹簧的端部，并以期望的运动形式输出形状记忆合金双弹簧的变形量。
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公开(公告)号：KR101318207B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020100045081
申请日：2010-05-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 형상기억합금 액츄에이터의 출력을 증가시킬 수 있도록 구조가 개선된 형상기억합금 이중 스프링 및 이를 구비한 형상기억합금 액츄에이터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 형상기억합금 이중 스프링은 형상기억합금으로 이루어지며, 일방향으로 길게 형성된 와이어가 나선형으로 감겨져 형성된 1차스프링이 다시 한번 나선형으로 감겨져 이중의 스프링 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.
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5.发明公开
公开(公告)号：KR1020120094610A
公开(公告)日：2012-08-27
申请号：KR1020110013979
申请日：2011-02-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a multi-stepped contractible shape memory coil spring in which a multi-stepped contractible behavior is possible and a multi-stepped contractible shape memory coil spring manufactured by the same are provided to adjust a contraction behavior in multiple stages because a shape memory coil spring is applied to the actuator so that the actuator is applied to various machine components and driving devices. CONSTITUTION: A method for manufacturing a multi-stepped contractible shape memory coil spring is as follows. An alloy wire rod of the NixTi100- x (49
Abstract translation: 目的：制造多级可收缩形状记忆螺旋弹簧的方法，其中多级可收缩行为是可能的并且由其制造的多级可收缩形状记忆螺旋弹簧被设置以调节多级的收缩行为，因为 形状记忆螺旋弹簧被施加到致动器，使得致动器被施加到各种机器部件和驱动装置。 构成：用于制造多级可收缩形状记忆螺旋弹簧的方法如下。 制造NixTi100-x（49 <= x <= 50.5）组合物的合金线材。 合金线材作为弹簧指数大于5的接触式螺旋弹簧加工。螺旋弹簧在400℃至800℃的温度下进行热处理。 在室温下在弹簧上施加应力，在膨胀螺旋弹簧被电流收缩之后，弹簧膨胀，膨胀螺旋弹簧在低于马氏体相变温度下被冷却。 重复扩展和冷却过程。
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公开(公告)号：KR1020110039792A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020090096795
申请日：2009-10-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8239
Abstract: PURPOSE: A fixing method using a stray field and notch for the magnetic domain wall pinning in a magnetic domain wall memory are provided to fix a magnetic domain wall to a memory device by using a stray filed which is generated from a groove structure and a nano structure. CONSTITUTION: In a fixing method using a stray field and notch for the magnetic domain wall pinning in a magnetic domain wall memory, a stray field is generated by arranging a ferromagnetism nano structure in the groove structure of a magnetism nano wire. A vertical magnetic component vertical to the magnetic domain wall is generated through the stray field and is maintained a stable energy state. A groove structure has a recessive part in the specific region of the magnetism nano wire. The magnetic domain wall is fixed to a memory device by using the stray field.
Abstract translation: 目的：提供一种使用杂散磁场和磁畴壁陷波在磁畴壁存储器中钉扎的固定方法，通过使用从凹槽结构和纳米结构产生的杂散磁场将磁畴壁固定到存储器件 结构体。 构成：在磁畴壁存储器中使用杂散场和陷波用于磁畴壁钉扎的固定方法中，通过在磁性纳米线的沟槽结构中布置铁磁性纳米结构来产生杂散场。 通过杂散场产生垂直于磁畴壁的垂直磁性分量并保持稳定的能量状态。 凹槽结构在磁性纳米线的特定区域中具有隐性部分。 通过使用杂散场将磁畴壁固定到存储器件。
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