-
公开(公告)号：KR101632496B1
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：KR1020140131992
申请日：2014-09-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01G4/12
Abstract: 본발명은반강유전체를이용한세라믹커패시터, 이의제조방법및 이를포함하는전력전자기기에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, HfMO이고, 0.01 x ≤ 0.99 의화학식으로이루어진반강유전체세라믹커패시터가제공된다. 상기 M은지르코늄(Zr), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 이트듐(Y), 스트론튬(Sr), 란타넘(La) 및가돌리늄(Gd) 중어느하나또는 2 이상화합물을포함하며, 상기세라믹커패시터는적어도일부가유전층과중첩되는하부전극및 상부전극을포함한다.
-
公开(公告)号：KR101761459B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020140176247
申请日：2014-12-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은에너지를변환하기위한소자에관한것으로서, 에너지하베스팅소자, 전기열량냉각소자, 이의제조방법및 이를포함하는모놀리식소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, HfZrO이고, 0.7 ≤ x
-
公开(公告)号：KR1020160069961A
公开(公告)日：2016-06-17
申请号：KR1020140176247
申请日：2014-12-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은에너지를변환하기위한소자에관한것으로서, 에너지하베스팅소자, 전기열량냉각소자, 이의제조방법및 이를포함하는모놀리식소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, HfZrO이고, 0.7 ≤ x
Abstract translation: 本发明是一种转换能量的装置。 能量收集装置，电热冷却装置及其制造方法技术领域本发明涉及能量收集装置，电热冷却装置及其制造方法，以及具有该能量采集装置的单片装置。 根据本发明的实施方案，提供了具有优异的温度稳定性和电压稳定性以及高收获能量密度和冷却能力的热电层，并且包括由化学式Hf_（1-x）Zr_xO_2组成的化合物，其中 0.7 <= x <0.9。
-
公开(公告)号：KR1020160038631A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140131992
申请日：2014-09-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01G4/12
Abstract: 본발명은반강유전체를이용한세라믹커패시터, 이의제조방법및 이를포함하는전력전자기기에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, HfMO이고, 0.01 x ≤ 0.99 의화학식으로이루어진반강유전체세라믹커패시터가제공된다. 상기 M은지르코늄(Zr), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 이트듐(Y), 스트론튬(Sr), 란타넘(La) 및가돌리늄(Gd) 중어느하나또는 2 이상화합물을포함하며, 상기세라믹커패시터는적어도일부가유전층과중첩되는하부전극및 상부전극을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用反铁电物质的储能电容器及其制造方法以及包括该储能电容器的功率电子器件。 根据本发明的实施方案，提供了由化学式Hf_（1-x）M_xO_2构成的反铁电陶瓷电容器，其中满足0.01×<0.99。 M包括锆（Zr），硅（Si），铝（Al），钇（Y），锶（Sr），镧（La）和钆（Gd）中的一种或多于两种化合物，以及至少一部分 陶瓷电容器包括底电极和与电介质层重叠的顶电极。 本发明的目的是提供一种具有优异的温度稳定性和电压稳定性并且是环保的电容器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130122827A
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：KR1020120045904
申请日：2012-05-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L21/28282 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146
Abstract: The present invention relates to a variable resistor and a resistance type memory device. The resistance type memory device according to an embodiment of the present invention is a resistance type memory device including an array of multiple memory cells arranged at a cross point of the first wires and the second wires extended to intersect with the first wires. The memory cell comprises an anode electrode; a first dielectric layer formed on the anode electrode and having a first permittivity; a second dielectric layer formed on the first dielectric layer and having a second permittivity smaller than the first permittivity; a cathode electrode formed on the second dielectric layer; and an electric charge trap layer between the first dielectric layer and the second dielectric layer.
Abstract translation: 本发明涉及可变电阻器和电阻型存储器件。 根据本发明实施例的电阻型存储装置是一种电阻型存储装置，包括布置在第一导线的交叉点处的多个存储单元的阵列和延伸以与第一布线相交的第二布线。 存储单元包括阳极电极; 形成在阳极电极上并具有第一介电常数的第一电介质层; 形成在所述第一电介质层上并且具有小于所述第一介电常数的第二介电常数的第二电介质层; 形成在所述第二电介质层上的阴极电极; 以及在第一介电层和第二介电层之间的电荷陷阱层。
-
公开(公告)号：KR101926862B1
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：KR1020120045904
申请日：2012-05-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 가변 저항체 및 저항형 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 저항형 메모리 소자는, 제 1 배선들 및 상기 제 1 배선들과 교차되도록 연장된 제 2 배선들의 교차점에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 저항형 메모리 소자이며, 상기 복수의 메모리 셀들 각각은, 애노드 전극; 상기 애노드 전극 상에 형성되고, 상기 제 1 유전율을 갖는 제 1 유전체층; 상기 제 1 유전체층 상에 형성되고, 상기 제 1 유전율보다 작은 제 2 유전율을 갖는 제 2 유전체층; 상기 제 2 유전체층 상에 형성된 캐소드 전극; 및 상기 제 1 유전체층과 상기 제 2 유전체층 사이의 전하 트랩층을 포함하고, 각 메모리 셀에 전압 신호를 인가하여 유도되는 전하 트랩층의 트랩 전하의 크기에 의한 상기 메모리 셀의 저항 값에 비트 정보를 할당한다.
-
公开(公告)号：KR1020140004855A
公开(公告)日：2014-01-14
申请号：KR1020120072047
申请日：2012-07-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: A capacitance device according to an embodiment includes a substrate; a first dielectric layer placed on the substrate and having positive capacitance; a second dielectric layer placed on the top of the first dielectric layer or between the substrate; and the first dielectric layer having negative capacitance in order to make the whole capacitor of the capacitor device larger than the capacitance of each dielectric layer. The negative capacitance indicates a ferroelectric layer and a composite mixed with a ferroelectric material in order to stabilize the negative capacitance of the ferroelectric layer in an operation temperature area.
Abstract translation: 根据实施例的电容器件包括衬底; 放置在基板上并具有正电容的第一电介质层; 放置在第一介电层的顶部或衬底之间的第二电介质层; 并且具有负电容的第一介电层，以使电容器器件的整个电容器大于每个电介质层的电容。 负电容表示强电介质层和与铁电体材料混合的复合体，以稳定铁电体层的工作温度区域的负电容。
-
公开(公告)号：KR1020130111754A
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：KR1020120033879
申请日：2012-04-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L23/5252 , H01L27/1159 , H01L29/45 , H01L29/517
Abstract: PURPOSE: A variable resistor and an electronic device using the same are provided to improve a rectifying property by using a ferroelectric layer and a double layer. CONSTITUTION: A ferroelectric layer (FL) is formed between a first electrode (TE) and a second electrode (BE). A double layer (DE) is arranged in the ferroelectric layer. The double layer is arranged in the first electrode or the second electrode. The double layer includes an aluminum oxide layer and a titanium oxide layer. The aluminum oxide layer is in contact with the ferroelectric layer.
Abstract translation: 目的：提供可变电阻器和使用其的电子器件，以通过使用铁电层和双层来提高整流性能。 构成：在第一电极（TE）和第二电极（BE）之间形成铁电层（FL）。 在铁电层中布置双层（DE）。 双层布置在第一电极或第二电极中。 双层包括氧化铝层和氧化钛层。 氧化铝层与铁电层接触。
-
公开(公告)号：KR101935608B1
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：KR1020120033879
申请日：2012-04-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.024 seconds)
