전자받개로 사용되는 유기화합물 및 이의 제조방법
    2.
    发明申请
    전자받개로 사용되는 유기화합물 및 이의 제조방법 审中-公开
    用作电子受体的有机化合物及其制备方法

    公开(公告)号:WO2016068392A1

    公开(公告)日:2016-05-06

    申请号:PCT/KR2015/000313

    申请日:2015-01-13

    Inventor: 박수영 권오규

    Abstract: 본 발명은 전자받개로 사용되는 유기화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자받개로 사용되는 유기화합물은, 하기 화학식 1로 표시되고, (화학식 1) 상기의 화학식 1에서, Ar1은 하기의 화학식 2에 나열된 구조 중 하나이고, (화학식 2) Ar2는 하기의 화학식 3에 나열된 구조 중 하나이다. (화학식 3)

    Abstract translation: 本发明涉及用作电子受体的有机化合物及其制备方法。 根据本发明的实施方案,用作电子受体的有机化合物由以下化学式(1)(化学式(1))表示,其中Ar 1是下列化学式( 2)(化学式(2)),Ar 2是下述化学式(3)(化学式(3))所示的结构之一。

    유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조방법
    8.
    发明公开
    유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조방법 有权
    有机半导体材料,使用其的晶体管器件和使用其制造晶体管的方法

    公开(公告)号:KR1020140072839A

    公开(公告)日:2014-06-13

    申请号:KR1020140030792

    申请日:2014-03-17

    Abstract: The present invention relates to an organic semiconductor material capable of emitting light in the visible light wavelength region and, more specifically, to an organic semiconductor material whereby a p-type electron donor and an n-type electron acceptor are formed in a spontaneously co-crystallized charge transfer structure with a stoichiometric constant ratio, a transistor device using the same, and a method to manufacture the transistor device.

    Abstract translation: 本发明涉及一种能够在可见光波长区域发光的有机半导体材料,更具体地说,涉及一种有机半导体材料,由此形成p型电子给体和n型电子受体, 具有化学计量常数比的结晶电荷转移结构,使用其的晶体管器件以及制造晶体管器件的方法。

    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법
    9.
    发明授权
    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법 有权
    同轴4层半导体有机纳米覆盖物,包括导电电荷trasfer p-n结,使用其的光电器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR101039574B1

    公开(公告)日:2011-06-09

    申请号:KR1020080116495

    申请日:2008-11-21

    Abstract: 본 발명은 코어층(core layer) 및 셸층(shell layer)의 pn 접합구조를 형성하는 유기 반도체성 공축 pn 접합구조 나노케이블로서, 상기 코어층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 반도체성 공축 pn 접합구조 나노케이블을 제공한다. 본 발명에 따른 유기 반도체성 공축 pn 접합구조 나노케이블은 나노케이블로의 자기 조립능력이 강한 유기물 단분자 반도체 물질과 그와는 보완적인 반대 극성의 반도체적 성질을 갖는 가용성 고분자 물질을 블렌딩 (blending)하여 생성된 전기전도성 전하 이동 (charge transfer)형 pn 접합 전하 이동층을 중간에 포함하여, 전기적 특성 및 발광 특성이 우수하기 때문에 다양한 광·전자 소자에 유용하게 응용될 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 두 물질의 상온에서의 단순 블렌딩에 의해 전기적 특성과 발광 특성이 우수한 나노케이블이 제작될 수 있다는 것을 제시한다.
    반도체, pn 접합, 코어층, 셸층, p-공핍층, n-공핍층, 나노케이블

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