유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법
    1.
    发明授权
    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법 有权
    同轴4层半导体有机纳米覆盖物,包括导电电荷trasfer p-n结,使用其的光电器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR101039574B1

    公开(公告)日:2011-06-09

    申请号:KR1020080116495

    申请日:2008-11-21

    Abstract: 본 발명은 코어층(core layer) 및 셸층(shell layer)의 pn 접합구조를 형성하는 유기 반도체성 공축 pn 접합구조 나노케이블로서, 상기 코어층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 반도체성 공축 pn 접합구조 나노케이블을 제공한다. 본 발명에 따른 유기 반도체성 공축 pn 접합구조 나노케이블은 나노케이블로의 자기 조립능력이 강한 유기물 단분자 반도체 물질과 그와는 보완적인 반대 극성의 반도체적 성질을 갖는 가용성 고분자 물질을 블렌딩 (blending)하여 생성된 전기전도성 전하 이동 (charge transfer)형 pn 접합 전하 이동층을 중간에 포함하여, 전기적 특성 및 발광 특성이 우수하기 때문에 다양한 광·전자 소자에 유용하게 응용될 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 두 물질의 상온에서의 단순 블렌딩에 의해 전기적 특성과 발광 특성이 우수한 나노케이블이 제작될 수 있다는 것을 제시한다.
    반도체, pn 접합, 코어층, 셸층, p-공핍층, n-공핍층, 나노케이블

    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법
    2.
    发明公开
    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법 有权
    同轴四层半导体有机纳米金属包括导电电荷转移P-N结,使用其的光电器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020100057449A

    公开(公告)日:2010-05-31

    申请号:KR1020080116495

    申请日:2008-11-21

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of the optical electric organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable is provided to offer an organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable which is characterized in that a core layer thereof is made of chemical material choosen from a goup of chemical compounds. CONSTITUTION: An organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable is fromed by a p-n junction of a core layer and a shell layer. The core layer is made of one or more chemical selected from a goup of chemicals comprising chemicals represented by a chemical formular 1 and chemicals represented by chemical formular 2. The organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable forms the p-n junction of the cell layer and core layer. The core layer is the p-type semiconductor layer. The cell layer is the n-type semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机半导体同轴p-n结纳米电缆的制造方法,其特征在于,其核心层由化学化合物选择的化学材料制成。 构成:有机半导体同轴p-n结纳米线由核心层和壳层的p-n结开始。 核心层由一种或多种选自化学物质的化学物质组成的化学物质组成,化学式由化学式1表示的化学物质和由化学式2表示的化学物质。有机半导体同轴pn结纳米电缆形成电池层和芯的pn结 层。 核心层是p型半导体层。 电池层是n型半导体层。

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