아스팔텐 저감 방법
    1.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2019245094A1

    公开(公告)日:2019-12-26

    申请号:PCT/KR2018/007192

    申请日:2018-06-26

    Abstract: 아스팔텐 저감 방법이 제공된다. 상기 아스팔텐 저감 방법은, 아스팔텐 함유 물질, 용매, 및 금속 산화물 전구체를 반응기에 공급하는 단계 및 상기 반응기를 초임계 조건으로 변화시켜 탈아스팔텐 반응을 수행하는 단계를 포함한다.

    영상 처리 장치 및 방법
    3.
    发明授权
    영상 처리 장치 및 방법 有权
    图像处理设备和方法

    公开(公告)号:KR101801841B1

    公开(公告)日:2017-11-27

    申请号:KR1020150158171

    申请日:2015-11-11

    Abstract: 서로다른시점들로부터객체를바라본시점영상을표시하기위한광 필드데이터및 객체의 2차원영상을표시하기위한 2차원영상데이터를획득하는데이터획득부; 및광 필드데이터및 2차원영상데이터에기초하여, 2차원영상의해상도를갖는시점영상을표시하기위한업샘플링된광 필드데이터를생성하는영상처리부;를포함하는영상처리장치및 그에따른영상처리방법을제공한다.

    Abstract translation: 数据获取单元,用于获取用于显示从不同视点观看的对象的视点图像的光场数据和用于显示对象的二维图像的二维图像数据; 以及图像处理单元,用于基于光场数据和二维图像数据生成用于显示具有二维图像的分辨率的视点图像的上采样光场数据,以及用于其的图像处理方法 Lt。

    집적 영상 표시 방법 및 장치
    5.
    发明授权
    집적 영상 표시 방법 및 장치 有权
    显示集成图像的装置和方法

    公开(公告)号:KR101614121B1

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:KR1020140188655

    申请日:2014-12-24

    CPC classification number: H04N13/305 H04N13/302 H04N13/307 H04N13/315

    Abstract: 제 1 렌즈어레이및 대물렌즈를이용하여, 객체(Object)의서로다른시점(viewpoint) 정보들이기록된광 필드이미지(light field image)를획득하는광 필드현미경; 제 2 렌즈어레이; 대물렌즈의 F-수(F-number) 및제 2 렌즈어레이의 F-수에기초하여, 광필드이미지를소정의크기로크로핑(cropping)하고, 크로핑된광 필드이미지로부터요소영상(elemental image)을생성하는프로세서; 및요소영상을제 2 렌즈어레이에통과시켜, 객체를나타내는 3차원집적영상(Integrated Image)을공간상에표시하는디스플레이패널;을포함하는, 집적영상표시장치및 그에따른집적영상표시방법을제공한다.

    Abstract translation: 提供了一种用于显示集成图像的装置和用于显示集成图像的方法。 用于显示本发明的集成图像的装置包括:光场显微镜,其获得通过使用第一透镜阵列和物镜记录物体的不同视点信息的光场图像; 第二透镜阵列; 基于所述物镜的F数和所述第二透镜阵列的F数并从所述经裁剪的光场图像生成元素图像,处理器将所述光场图像裁剪为预定尺寸; 以及显示面板,通过使基本图像通过第二透镜阵列,空间地显示示出对象的三维综合图像。

    유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조방법
    6.
    发明授权
    유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조방법 有权
    有机半导体材料,使用其的晶体管器件和使用其制造晶体管的方法

    公开(公告)号:KR101401424B1

    公开(公告)日:2014-06-02

    申请号:KR1020120137383

    申请日:2012-11-29

    Abstract: The present invention relates to an organic semiconductor material capable of emitting light in a visible light wavelength region and, more specifically, to an organic semiconductor material in which a p-type electron donor and a n-type electron acceptor are formed in a spontaneously co-crystallized charge transfer structure with a stoichiometric constant ratio, a transistor device using the same, and a method for manufacturing the transistor device.

    Abstract translation: 本发明涉及一种能够在可见光波长区域发光的有机半导体材料,更具体地说,涉及在自发地形成p型电子给体和n型电子受体的有机半导体材料 - 化学计量常数比的结晶电荷转移结构,使用其的晶体管器件以及晶体管器件的制造方法。

    n형 전기 특성을 가지는 유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조 방법
    8.
    发明公开
    n형 전기 특성을 가지는 유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조 방법 有权
    具有N型电气特性的有机半导体材料,使用其的晶体管器件以及使用其制造晶体管器件的方法

    公开(公告)号:KR1020130035539A

    公开(公告)日:2013-04-09

    申请号:KR1020110099892

    申请日:2011-09-30

    Abstract: PURPOSE: An organic semiconductor material with n-type electrical property, a transistor device using the same, and a method for manufacturing the transistor device are provided to ensure stabilized energy level which is beneficial for electron injection and various molecular interaction. CONSTITUTION: A transistor device using an organic semiconductor material with n-type electrical property comprises a gate electrode(160), a source, a drain electrode(130,140), and an organic thin film layer(120). The gate electrode is formed on a substrate. The organic thin film layer connects the source to the drain electrode and contains the organic semiconductor material.

    Abstract translation: 目的:提供具有n型电性能的有机半导体材料,使用其的晶体管器件和晶体管器件的制造方法,以确保有利于电子注入和各种分子相互作用的稳定的能级。 构成:使用具有n型电性质的有机半导体材料的晶体管器件包括栅极(160),源极,漏极(130,140)和有机薄膜层(120)。 栅电极形成在基板上。 有机薄膜层将源极连接到漏电极并且包含有机半导体材料。

    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법
    9.
    发明公开
    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법 有权
    同轴四层半导体有机纳米金属包括导电电荷转移P-N结,使用其的光电器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020100057449A

    公开(公告)日:2010-05-31

    申请号:KR1020080116495

    申请日:2008-11-21

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of the optical electric organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable is provided to offer an organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable which is characterized in that a core layer thereof is made of chemical material choosen from a goup of chemical compounds. CONSTITUTION: An organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable is fromed by a p-n junction of a core layer and a shell layer. The core layer is made of one or more chemical selected from a goup of chemicals comprising chemicals represented by a chemical formular 1 and chemicals represented by chemical formular 2. The organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable forms the p-n junction of the cell layer and core layer. The core layer is the p-type semiconductor layer. The cell layer is the n-type semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机半导体同轴p-n结纳米电缆的制造方法,其特征在于,其核心层由化学化合物选择的化学材料制成。 构成:有机半导体同轴p-n结纳米线由核心层和壳层的p-n结开始。 核心层由一种或多种选自化学物质的化学物质组成的化学物质组成,化学式由化学式1表示的化学物质和由化学式2表示的化学物质。有机半导体同轴pn结纳米电缆形成电池层和芯的pn结 层。 核心层是p型半导体层。 电池层是n型半导体层。

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