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    식물체의 포자체형 조직 또는 중심세포 특이적 외래 유전자의 발현을 유도하는 전사조절인자 및 이의 용도
    1.
    发明授权
    식물체의 포자체형 조직 또는 중심세포 특이적 외래 유전자의 발현을 유도하는 전사조절인자 및 이의 용도 有权
    诱导植物组织的兴奋性组织或中枢细胞特异性表达的转录调节因子及其用途

    公开(公告)号：KR101531923B1

    公开(公告)日：2015-06-26

    申请号：KR1020140042162

    申请日：2014-04-09

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 최연희 ,  박진섭 ,  로버트피셔

    IPC: C12N15/82 ,  C12N15/11 ,  A01H5/00

    Abstract: 본발명은프로모터의식물체조직특이적활성을조절하는서열번호 2의염기서열또는서열번호 3의염기서열로이루어진시스-조절인자, 서열번호 1의염기서열과서열번호 2의염기서열을포함하는포자체형조직(sporophytic tissue) 특이적으로외래유전자의발현을유도하는유전자, 서열번호 1의염기서열과서열번호 3의염기서열을포함하는중심세포(central cell) 특이적으로외래유전자의발현을유도하는유전자에관한것으로, 본발명의시스-조절인자들은유전자발현조절메커니즘규명연구에사용될수 있을뿐만아니라, 특정한단계에서의유전자발현을조절하는인위적인유전자조작에도유용한도구로서활용될수 있을것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及包含调节DEMETER启动子的植物组织特异性活性的SEQ ID NO：2的核苷酸序列或SEQ ID NO：3的核苷酸序列的顺式调节元件。 诱导表达包含核苷酸序列SEQ ID NO：1和SEQ ID NO：2的核苷酸序列的孢子体组织特异性外源基因的基因; 以及诱导表达包含核苷酸序列SEQ ID NO：1和SEQ ID NO：3的核苷酸序列的中枢细胞特异性外源基因的基因。本发明的顺式调节元件可用于研究 调查基因表达调控机制，也可以用作人工基因操作中有用的工具，以控制特定步骤中的基因表达。

    반도체 소자 및 그 제조방법
    2.
    发明公开
    반도체 소자 및 그 제조방법 审中-实审
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020120092928A

    公开(公告)日：2012-08-22

    申请号：KR1020110012863

    申请日：2011-02-14

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 이상문 ,  윤의준 ,  박진섭 ,  박성현

    IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to form a non-polar nitride device of a structure capable of minimizing penetrating potential density and stacking fault density. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is formed on a substrate(110). A first non-planar non-polar nitride semiconductor layer(130) is formed on the buffer layer. A first structure layer(140) is formed at a part of the surface of the first non-planar non-polar nitride semiconductor layer. The first structure layer is comprised of plurality of solid particles(141). A first non-polar nitride semiconductor layer(150) is formed on the first non-planar non-polar nitride semiconductor layer and first structure layer. A second non-polar nitride semiconductor layer is formed on the first non-polar nitride semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以形成能够最小化穿透电位密度和堆垛层错密度的结构的非极性氮化物器件。 构成：在衬底（110）上形成缓冲层（120）。 第一非平面非极性氮化物半导体层（130）形成在缓冲层上。 第一结构层（140）形成在第一非平面非极性氮化物半导体层的表面的一部分处。 第一结构层由多个固体颗粒（141）组成。 第一非极性氮化物半导体层（150）形成在第一非平面非极性氮化物半导体层和第一结构层上。 在第一非极性氮化物半导体层上形成第二非极性氮化物半导体层。

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