公开(公告)号：WO2015016399A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/KR2013/006811

申请日：2013-07-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  신성식 ,  석재호 ,  김동회 ,  김주성 ,  박익재 ,  이찬우 ,  성원모 ,  조인선 ,  김동욱

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01G9/2027 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542

Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO 3 : M (여기서, M은 BaSnO 3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO 3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.

Abstract translation: 公开了一种包括新型Ba-Sn-O基多组分氧化物半导体膜的光电极。 本发明提供了一种染料敏化太阳能电池光电极，包括：导电透明基板; 以及在该基板上形成的多成分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以由BaSnO 3：M表示（这里，M是在BaSnO 3中掺杂的金属，并且包含选自Sr，Ca，Mg，Zn，Pb，Ti，Mn，Sb，K， In，Zr，Te，Fe，Y，Sm，Sc，Co，La和Rh）。 根据本发明，可以提供通过提高BaSnO 3半导体氧化膜的光电能转换效率来制造高效太阳能电池的光电极。

公开(公告)号：KR101463234B1

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020130089522

申请日：2013-07-29

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  신성식 ,  석재호 ,  김동회 ,  김주성 ,  박익재 ,  이찬우 ,  성원모 ,  조인선 ,  김동욱

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01G9/2027 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542

Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO
3 : M (여기서, M은 BaSnO
3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO
3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.

Abstract translation: 公开了一种包括基于Ba-Sn-O的新的多组分氧化物半导体膜的光电极。 在本发明中提供了一种用于染料敏化太阳能电池的光电极，其包括导电透明基板; 以及形成在所述基板上的多组分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以表示为BaSnO_3：M。 （M掺杂在BaSnO_3上，并且是由Sr，Ca，Mg，Zn，Pb，Ti，Mn，Sb，K，In，Zr，Te，Fe，Y，Sm组成的金属元素中的至少一种金属， Sc，Co，La和Rh。）根据本发明，提供了一种提高BaSnO_3半导体氧化膜的光电能转换效率以能够制造高效率太阳能电池的光电极。