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1.发明申请
公开(公告)号：WO2015016399A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/KR2013/006811
申请日：2013-07-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G9/2027 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO 3 : M (여기서, M은 BaSnO 3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO 3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.
Abstract translation: 公开了一种包括新型Ba-Sn-O基多组分氧化物半导体膜的光电极。 本发明提供了一种染料敏化太阳能电池光电极，包括：导电透明基板; 以及在该基板上形成的多成分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以由BaSnO 3：M表示（这里，M是在BaSnO 3中掺杂的金属，并且包含选自Sr，Ca，Mg，Zn，Pb，Ti，Mn，Sb，K， In，Zr，Te，Fe，Y，Sm，Sc，Co，La和Rh）。 根据本发明，可以提供通过提高BaSnO 3半导体氧化膜的光电能转换效率来制造高效太阳能电池的光电极。
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2.发明授权Ｓｎ 기반 삼성분계 산화물 반도체 나노 분말 제조 방법 및 제조된 분말을 이용한 광전극 제조 방법 有权基于Sn的氧化物半导体纳米粉末的制造方法和使用Sn基氧化物半导体纳米粉末的光电子电极的制造方法
公开(公告)号：KR101439835B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020120075415
申请日：2012-07-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , H01G9/2027 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 신규한 Sn 기반의 삼성분계 산화물 반도체막이 개시된다. 본 발명은 무기염 소스로 Sn을 포함하되, Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 알칼리 토금속 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소의 무기염 소스를 물과 과산화수소의 혼합 용매에 용해하는 단계; 상기 혼합 용액의 pH를 변화시켜 침전 반응시키고 숙성하는 단계; 상기 숙성을 거친 침전물을 건조 및 어닐링하여 MSnO
3 (여기서, M은 Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소를 포함함) 분말을 제조하는 단계를 포함하는 삼성분계 산화물 반도체 화합물의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 나노 크기의 균일한 입도 분포를 갖는 삼성분계 산화물 반도체 화합물을 제공할 수 있게 된다.-
3.发明公开Ｓｎ 기반 삼성분계 산화물 반도체 나노 분말 제조 방법 및 제조된 분말을 이용한 광전극 제조 방법 有权基于SN的氧化物半导体纳米粉末的制造方法和使用基于SN的氧化物半导体纳米粉末的光电电极的制造方法
公开(公告)号：KR1020140015696A
公开(公告)日：2014-02-07
申请号：KR1020120075415
申请日：2012-07-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , H01G9/2027 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: A novel Sn-based tertiary oxide semiconductor membrane is disclosed. The present invention provides a method for manufacturing a tertiary oxide semiconductor compound, comprising the steps of: dissolving, in the mixed solvent of water and hydrogen peroxide, an inorganic salt of Sn and inorganic salts of one or more kinds of elements selected from the alkaline earth metal group consisting of Ba, Sr and Ca; precipitating and maturing the mixed solution by changing pH concentration of the mixed solution; and producing powder of MSnO3 (wherein M includes one or more kinds of elements selected from Ba, Sr and Ca) by drying and annealing the precipitation which has been matured. According to the present invention, a tertiary oxide semiconductor compound having a uniform nanoscale particle size distribution can be provided.
Abstract translation: 公开了一种新型的Sn基三氧化物半导体膜。 本发明提供一种三次氧化物半导体化合物的制造方法，包括以下步骤：在水和过氧化氢的混合溶剂中溶解Sn的无机盐和选自碱性的一种或多种元素的无机盐 由Ba，Sr和Ca组成的地球金属组; 通过改变混合溶液的pH浓度使混合溶液沉淀成熟; 并通过干燥并退火已经成熟的沉淀，生成MSnO 3粉末（其中M包括选自Ba，Sr和Ca中的一种或多种元素）。 根据本发明，可以提供具有均匀的纳米尺度分布的三氧化硅半导体化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160103804A
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020150026638
申请日：2015-02-25
Applicant: 엘에스엠트론 주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은투명가스배리어성필름및 이를제조하는방법을개시한다. 본발명의일 측면에따른투명가스배리어성필름은, 베이스기재; 및상기베이스기재의상부에형성되는무기막으로이루어진배리어층;을포함하되, 상기배리어층에는상기무기막과다른무기물질로이루어진 2 내지 10nm의크기를갖는결정성나노입자가 5 내지 20%의비율로존재한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种透明阻气膜及其制造方法。 根据本发明的一个方面的透明阻气膜包括：基底; 以及由形成在基底基板上部的无机膜构成的阻挡层。 在阻挡层中含有5-20％的尺寸为2〜10nm的由无机材料构成的无机材料的结晶纳米粒子。
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公开(公告)号：KR101475702B1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：KR1020120075414
申请日：2012-07-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01B5/14 , H01B1/08
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 종래의염료감응태양전지광전극으로사용되는 TiO막을대체할수 있는신규한삼성분계산화물반도체막이개시된다. 본발명은도전성투명기판; 및상기기판상에형성되는 BaSnO으로표시되는다성분계산화물반도체막을포함하는염료감응태양전지용광전극을제공한다. 본발명의산화물반도체막은높은염료흡착특성및 광전에너지효율을나타낸다.
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公开(公告)号：KR101463234B1
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130089522
申请日：2013-07-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G9/2027 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO
3 : M (여기서, M은 BaSnO
3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO
3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.Abstract translation: 公开了一种包括基于Ba-Sn-O的新的多组分氧化物半导体膜的光电极。 在本发明中提供了一种用于染料敏化太阳能电池的光电极，其包括导电透明基板; 以及形成在所述基板上的多组分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以表示为BaSnO_3：M。 （M掺杂在BaSnO_3上，并且是由Sr，Ca，Mg，Zn，Pb，Ti，Mn，Sb，K，In，Zr，Te，Fe，Y，Sm组成的金属元素中的至少一种金属， Sc，Co，La和Rh。）根据本发明，提供了一种提高BaSnO_3半导体氧化膜的光电能转换效率以能够制造高效率太阳能电池的光电极。
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公开(公告)号：KR1020160103805A
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020150026639
申请日：2015-02-25
Applicant: 엘에스엠트론 주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은투명가스배리어성필름및 이를제조하는방법을개시한다. 본발명의일 측면에따른투명가스배리어성필름은, 베이스기재; 및상기베이스기재의상부에형성되는결정성입자를갖는무기막으로이루어진배리어층;을포함하되, 상기배리어층은결정성입자의결정면간 거리가 0.32nm인비율이 25%이상이다.
Abstract translation: 本发明公开了一种透明阻气膜及其制造方法。 根据本发明的一个方面的透明阻气膜包括：基底; 以及由在基材的上部形成有结晶粒子的无机膜构成的阻挡层。 在阻挡层中，具有0.32nm的晶面之间的距离的结晶粒子的比例大于或等于25％。
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公开(公告)号：KR1020140018447A
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020120075414
申请日：2012-07-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01B5/14 , H01B1/08
CPC classification number: Y02E10/542 , H01L31/042 , H01B1/08 , H01B5/14 , H01L31/0224
Abstract: Disclosed is a new three-component oxide semiconductor layer replacing a TiO2 layer used as an opto-electronic electrode for an existing dye sensitized solar cell. The present invention is to provide an opto-electronic electrode for a solar cell that includes a conductive and transparent substrate; a multicomponent oxide semiconductor layer of BaSnO3 formed on the substrate. According to the present invention, the oxide semiconductor has high dye adsorption property and photoelectric energy efficiency.
Abstract translation: 公开了一种替代用作现有染料敏化太阳能电池的光电电极的TiO 2层的新的三组分氧化物半导体层。 本发明提供一种太阳能电池用光电极，其包括导电透明基板; 在基板上形成的BaSnO 3的多组分氧化物半导体层。 根据本发明，氧化物半导体具有高的染料吸附性能和光电能效。
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