公开(公告)号：KR101323188B1

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：KR1020110099892

申请日：2011-09-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박수영 ,  윤선우 ,  김종현 ,  신승훈

IPC: C07D333/10 ,  C07D333/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 본 발명은 n형 전기 특성을 가지는 유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조 방법이 개시되어 있다. 강한 전자 끌기 유닛을 포함하는 유기물 반도체 물질을 사용하여 유기 박막층을 제조한다. 트랜지스터 소자는 기판상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연층을 사이에 두고 형성되는 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극을 연결하도록 형성되는 유기 박막층을 포함하여 이루어진다. 우수한 특성을 갖는 n형 유기 전계 효과 트랜지스터(organic field-effect transistor)가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020130035539A

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：KR1020110099892

申请日：2011-09-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박수영 ,  윤선우 ,  김종현 ,  신승훈

IPC: C07D333/10 ,  C07D333/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: PURPOSE: An organic semiconductor material with n-type electrical property, a transistor device using the same, and a method for manufacturing the transistor device are provided to ensure stabilized energy level which is beneficial for electron injection and various molecular interaction. CONSTITUTION: A transistor device using an organic semiconductor material with n-type electrical property comprises a gate electrode(160), a source, a drain electrode(130,140), and an organic thin film layer(120). The gate electrode is formed on a substrate. The organic thin film layer connects the source to the drain electrode and contains the organic semiconductor material.

Abstract translation: 目的：提供具有n型电性能的有机半导体材料，使用其的晶体管器件和晶体管器件的制造方法，以确保有利于电子注入和各种分子相互作用的稳定的能级。 构成：使用具有n型电性质的有机半导体材料的晶体管器件包括栅极（160），源极，漏极（130,140）和有机薄膜层（120）。 栅电极形成在基板上。 有机薄膜层将源极连接到漏电极并且包含有机半导体材料。