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公开(公告)号：KR101391744B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020130007444
申请日：2013-01-23
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01J1/1626 , G01J5/023 , H01L27/146
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a light sensor of a complex structure of carbon nanotube-nanowire and, more specifically, to a method for manufacturing a light sensor of a complex structure of carbon nanotube-nanowire including a first step of immersing a column-shaped support body into a carbon nanotube dispersed liquid and coating the support body with a carbon nanotube; a second step of metalizing a catalyst layer on the support body coated with the carbon nanotube in the first step; a third step of growing up a semiconductor nanowire on the catalyst layer metalized in the second step; and a forth step of forming an electrode on both ends of the support body on which the nanowire grows up in the third step. The method for manufacturing a light sensor of a complex structure of carbon nanotube-nanowire according to the present invention can simply manufacture the light sensor on a substrate of a complex three-dimensional structure by coating the carbon nanotube in a liquid process. In addition, the present invention can manufacture the light sensor indicating a high response speed by increasing an extinction speed of a light current in case the light is disappeared in the light sensor due to a high electric transmission speed of the carbon nanotube itself.
Abstract translation: 本发明涉及一种碳纳米管复合结构光传感器的制造方法，更具体地，涉及一种碳纳米管纳米线复合结构的光传感器的制造方法，其特征在于，包括：浸渍 柱状支撑体成为碳纳米管分散液并用碳纳米管涂覆该支撑体; 在第一步骤中使涂覆有碳纳米管的载体上的催化剂层金属化的第二步骤; 在第二步骤中金属化的催化剂层上生长半导体纳米线的第三步骤; 以及在第三步骤中在纳米线长大的支撑体的两端上形成电极的第四步骤。 根据本发明的制造碳纳米管复合结构的光传感器的方法可以通过在液体过程中涂覆碳纳米管来简单地在复杂的三维结构的基板上制造光传感器。 此外，本发明可以通过增加由于碳纳米管本身的高电传输速度而在光传感器中消失光的光电流的消光速度来制造表示高响应速度的光传感器。
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公开(公告)号：KR1020130053857A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119545
申请日：2011-11-16
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , G02F1/136 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/283 , B82Y10/00 , H01L27/3274 , H01L51/0048 , H01L51/0558 , H01L2251/5369
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a display device including the same are provided to easily form electrodes by using a switching element as the thin film transistor including carbon nanotubes. CONSTITUTION: A source electrode applies an input voltage. A drain electrode(175) applies an output voltage. Two or more carbon nanotube patterns(154) are separated from each other. The patterns are formed in a channel region. At least one floating gate electrode(174) connects the patterns.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置，通过使用开关元件作为包括碳纳米管的薄膜晶体管容易地形成电极。 构成：源极施加输入电压。 漏电极（175）施加输出电压。 两个或多个碳纳米管图案（154）彼此分离。 图案形成在通道区域中。 至少一个浮栅电极（174）连接图案。
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公开(公告)号：KR101227600B1
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：KR1020110012479
申请日：2011-02-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/101
Abstract: 본 발명은 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판; 상기 기판 상부에 적층되고 광캐리어가 이동하는 그래핀 전도부; 상기 그래핀 전도부 상부에 형성되고 빛에너지를 흡수하여 전자-정공 쌍을 발생시키는 나노와이어 집광부; 및 상기 그래핀 전도부의 양측면에 각각 연결되어 광캐리어를 외부에 전달하는 금속전극;을 포함하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 실리콘 기판에 그래핀층을 전사시킨 후 상기 그래핀층 상부에 촉매를 패터닝하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 그래핀층 상부에 패터닝된 촉매에 나노와이어 원료물질을 공급하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 1에서 전사된 그래핀층 양측면 각각에 금속전극을 제조하는 단계(단계 3);를 포함하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법에 관한 것이다.
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4.发明授权금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법 有权基于使用金属纳米颗粒的减少的石墨烯氧化物的Ambi-polar存储器件以及Ambi-polar存储器件的制备方法
公开(公告)号：KR101198301B1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020100001960
申请日：2010-01-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/70
Abstract: 본 발명은 금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본 발명은 산화물이 형성되어 있는 기판; 환원된 그래핀 산화물층; 금속전극; 산화물층; 금속 나노입자층; 및 게이트 전극으로 적층된 금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법은 소수성 분자막과 친수성 분자막을 이용하여 원하는 위치에 그래핀을 대량으로 정렬시키고 그래핀의 손상없이 기판에 증착시킬 수 있으며, 금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 소자의 양쪽극 특성을 이용하여 전도도 스위칭 기억소자(conductivity-switching memory device) 및 타입-스위칭 메모리 소자(type-switching memory device) 등의 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법을 제공하므로, 메모리 소자 분야에 유용하게 이용할 수 있다.
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5.发明公开금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법 有权基于使用金属纳米颗粒的还原型氧化亚氮的AMBI-极性存储器件及其制备AMBI-极性存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020110081683A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001960
申请日：2010-01-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/70
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/66234 , H01L29/73
Abstract: PURPOSE: A bi-polar memory device based on a reduced graphene oxide using a metal nano-particle and a method for preparation of bi-polar memory device are provided to align large amount of graphene to be absorbed on a substrate by a hydrophobic film and a hydrophile film. CONSTITUTION: In a bi-polar memory device based on a reduced graphene oxide using a metal nano-particle and a method for preparation of bi-polar memory device, an oxide is deposited on a substrate. A graphene oxide layer is deoxidized. A metal electrode, an oxide layer, and a metal nano-particle layer, and a gate electrode are laminated.
Abstract translation: 目的：提供一种基于使用金属纳米颗粒的还原型石墨烯氧化物的二极性存储器件和用于制备双极性存储器件的方法，以通过疏水膜将大量石墨烯排列在衬底上， 亲水膜。 构成：在基于使用金属纳米颗粒的还原型石墨烯氧化物的双极性存储器件和制备双极存储器件的方法中，在衬底上沉积氧化物。 将氧化石墨烯氧化物脱氧。 层叠金属电极，氧化物层，金属纳米粒子层和栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101659816B1
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020100017291
申请日：2010-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/105
Abstract: 반도체소자에대해개시되어있다. 개시된반도체소자는나노와이어를지닌채널과나노파티클을지닌전하저장층을포함할수 있으며, 전하저장층상에는제 1게이트및 제 2게이트를포함하는트윈게이트구조가형성된것일수 있다. 이경우, 상기반도체소자는메모리소자또는다이오드일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110097444A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100017291
申请日：2010-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/105 , H01L29/42312 , H01L21/02603 , H01L29/41725
Abstract: 반도체 소자에 대해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 나노 와이어를 지닌 채널과 나노 파티클을 지닌 전하 저장층을 포함할 수 있으며, 전하 저장층 상에는 제 1게이트 및 제 2게이트를 포함하는 트윈 게이트 구조가 형성된 것일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 소자는 메모리 소자 또는 다이오드일 수 있다.
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公开(公告)号：KR101042012B1
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090052411
申请日：2009-06-12
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 고려대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/027 , B82Y15/00
Abstract: 본 기술은 전기 잡음을 감소시키는 채널막 형성 방법 및 그를 이용하여 제조된 센서 소자에 관한 것이다. 본 기술은 채널막 형성 방법에 있어서, 복수의 나노 구조의 네트워크로 이루어지는 채널막을 포함하는 소자 제조 방법에 있어서, 기판 상에, 전극과 교차하는 영역에서 폭이 증가하는 형상을 갖는 채널막을 형성하는 단계; 및 상기 채널막이 형성된 결과물 상에, 상기 채널막과 교차하는 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 기술에 따르면, 채널막과 전극의 접촉 면적을 증가시킴으로써, 전기 잡음을 감소시켜 소자의 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 센서 소자의 경우, 채널막과 전극의 접촉 면적 즉, 검지부의 면적을 증가시킴으로써, 센서 소자의 동작을 향상시킬 수 있다.
나노 와이어, 나노 튜브-
公开(公告)号：KR101903747B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020110119545
申请日：2011-11-16
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , G02F1/136 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/283 , B82Y10/00 , H01L27/3274 , H01L51/0048 , H01L51/0558
Abstract: 본발명은탄소나노튜브를포함하는박막트랜지스터가드레인-소스전압이높거나낮음에상관없이스위칭소자의특성을가질수 있도록하기위하여탄소나노튜브패턴을서로분리하고, 이를연결하는부유전극을포함하는박막트랜지스터및 이를포함하는표시장치를제공한다. 그결과표시장치와같이드레인-소스전압이높은경우에도탄소나노튜브를사용한박막트랜지스터가스위칭소자로서의역할을수행할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120092431A
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：KR1020110012479
申请日：2011-02-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/02167 , H01L31/02366 , H01L31/0296 , H01L31/03845 , H01L31/03925 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: An optical sensor based on a graphene-nanowire hybrid structure and a manufacturing method thereof are provided to prevent a nanowire from growing on the remaining photoresist of a graphene. CONSTITUTION: A graphene conductor is laminated on the upper side of a substrate. A nanowire collecting unit is formed on the upper side of the graphene conductor. The nanowire is made of CdS, CdSe, or CdTe. The nanowire collecting unit absorbs light energy and generates electron-hole pairs. The metal electrode is connected to both sides of the graphene conductor and transmits photo carriers to the outside.
Abstract translation: 目的：提供一种基于石墨烯 - 纳米线混合结构的光学传感器及其制造方法，以防止纳米线在石墨烯的剩余光致抗蚀剂上生长。 构成：石墨烯导体层压在基板的上侧。 纳米线收集单元形成在石墨烯导体的上侧。 纳米线由CdS，CdSe或CdTe制成。 纳米线收集单元吸收光能并产生电子 - 空穴对。 金属电极连接到石墨烯导体的两侧，并将光载体传输到外部。
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