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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120078853A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：KR1020110000131
申请日：2011-01-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , G11C13/0004
Abstract: PURPOSE: A resistive random access memory device is provided to prevent sneak path problem by using a thin film structure which directly connects a bi-directional switching layer on a resistance change layer. CONSTITUTION: A first electrode(10) is formed on a thin film layer(20). The thin film layer includes a resistance change layer and a switching layer which are connected with each other. The resistance change layer includes materials with bipolar resistance switching characteristics. The switching layer includes materials with bi-directional switching characteristics. The thin film layer is formed on a second electrode(30).
Abstract translation: 目的：提供一种电阻随机存取存储器件，通过使用直接连接电阻变化层双向开关层的薄膜结构来防止潜行道路问题。 构成：第一电极（10）形成在薄膜层（20）上。 薄膜层包括彼此连接的电阻变化层和开关层。 电阻变化层包括具有双极性电阻切换特性的材料。 开关层包括具有双向开关特性的材料。 薄膜层形成在第二电极（30）上。
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公开(公告)号：KR101981702B1
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：KR1020170068582
申请日：2017-06-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/306 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR101485024B1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：KR1020110000131
申请日：2011-01-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 본원은, 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성되며 서로 접합된 저항변화층과 스위치층을 포함하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는, 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 저항 변화 메모리 소자를 포함하는 메모리 어레이를 제공한다.
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