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公开(公告)号：KR20210027995A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190109164A
申请日：2019-09-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/423 , H01L45/00
CPC classification number: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/4234 , H01L29/7883 , H01L45/085
Abstract: 실시예들에 제1 도전형 반도체 물질로 이루어진 바디; 제2 도전형 반도체 물질로 이루어지며, 상기 바디 상에 형성된 소스 및 드레인; 상기 바디 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 제1 게이트; 상기 바디를 사이에 두고 상기 제1 게이트와 대향하도록 형성된 제2 게이트; 및 상기 바디와 제2 게이트 사이에 형성된 전하저장층을 갖는 절연막 스택을 포함하는 반도체 소자 및 이들로 이루어진 뉴럴 네트워크에서 타겟 반도체 소자의 시냅스 가중치를 제어하는 방법에 관련된다.
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公开(公告)号：KR102227365B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109164A
申请日：2019-09-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/423 , H01L45/00
CPC classification number: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/4234 , H01L29/7883 , H01L45/085
Abstract: 실시예들에 제1 도전형 반도체 물질로 이루어진 바디; 제2 도전형 반도체 물질로 이루어지며, 상기 바디 상에 형성된 소스 및 드레인; 상기 바디 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 제1 게이트; 상기 바디를 사이에 두고 상기 제1 게이트와 대향하도록 형성된 제2 게이트; 및 상기 바디와 제2 게이트 사이에 형성된 전하저장층을 갖는 절연막 스택을 포함하는 반도체 소자 및 이들로 이루어진 뉴럴 네트워크에서 타겟 반도체 소자의 시냅스 가중치를 제어하는 방법에 관련된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2023090611A1
公开(公告)日：2023-05-25
申请号：PCT/KR2022/013956
申请日：2022-09-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , G06N3/063
Abstract: 본 발명은 오버패스형 반도체 소자에 관한 것으로서, 상기 오버패스형 반도체 소자는 기설정된 높이를 갖는 핀이 형성된 제1 게이트, 상기 제1 게이트 및 상기 핀 상에 형성된 전하 저장층, 상기 전하 저장층 상의 일부분에 형성된 채널층, 상기 채널층 상에 형성된 게이트 절연층 및 상기 게이트 절연층 상에 형성된 제2 게이트를 포함하고, 상기 핀이 상기 제1 게이트의 중심부에서 높이 방향으로 돌출된 형상으로 형성됨에 따라, 상기 채널은 상기 핀을 오버패스하는 형태로 형성된다.
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公开(公告)号：KR102227365B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109164
申请日：2019-09-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/423 , H01L45/00
Abstract: 실시예들에제1 도전형반도체물질로이루어진바디; 제2 도전형반도체물질로이루어지며, 상기바디상에형성된소스및 드레인; 상기바디상에게이트절연막을사이에두고형성된제1 게이트; 상기바디를사이에두고상기제1 게이트와대향하도록형성된제2 게이트; 및상기바디와제2 게이트사이에형성된전하저장층을갖는절연막스택을포함하는반도체소자및 이들로이루어진뉴럴네트워크에서타겟반도체소자의시냅스가중치를제어하는방법에관련된다.
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公开(公告)号：KR1020210027995A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190109164
申请日：2019-09-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/423 , H01L45/00
Abstract: 실시예들에제1 도전형반도체물질로이루어진바디; 제2 도전형반도체물질로이루어지며, 상기바디상에형성된소스및 드레인; 상기바디상에게이트절연막을사이에두고형성된제1 게이트; 상기바디를사이에두고상기제1 게이트와대향하도록형성된제2 게이트; 및상기바디와제2 게이트사이에형성된전하저장층을갖는절연막스택을포함하는반도체소자및 이들로이루어진뉴럴네트워크에서타겟반도체소자의시냅스가중치를제어하는방법에관련된다.
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公开(公告)号：KR101965798B1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：KR1020180142454
申请日：2018-11-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/788 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/04
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