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公开(公告)号：KR101807553B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020170036092
申请日：2017-03-22
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B32B7/02 , B32B2307/102 , B32B2307/708 , G10K11/16
Abstract: 탄성파의모드변환용이방성매질에서, 외부등방성매질사이에위치하여이방성계층으로서입사하는특정모드의탄성파에대하여다중모드의투과현상을야기하고, 0이아닌모드결합탄성계수(mode-coupling stiffness constant)를가지며, 탄성계수들과가진주파수에따른이방성계층의두께가, 동일방향위상매칭조건인하기식 (2) 또는,식 (2) (: 이방성매질의준종파(quasi-longitudinal)모드의파동수,: 이방성매질의준횡파(quasi-shear)모드의파동수, d: 이방성매질두께, n: 임의의정수),식 (3) (m: 임의의정수) 반대방향위상매칭조건인상기식 (3)을만족시켜모드변환파브리, 페로의공진을발생시킨다.
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公开(公告)号：KR101965798B1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：KR1020180142454
申请日：2018-11-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/788 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/04
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Patent Agency Ranking5.发明授权
公开(公告)号：KR101856201B1
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：KR1020170093842
申请日：2017-07-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H03H9/02062 , G10K11/16 , H03H9/0211
Abstract: 탄성파의모드변환용필터, 이를이용한초음파트랜스듀서, 및이를이용한파동에너지소산기에서, 상기탄성파의모드변환용필터는, 외부등방성매질또는모드비결합매질사이에위치하여, 입사하는특정모드의탄성파에대하여 0이아닌모드결합탄성계수(mode-coupling stiffness constant)를가지는균일한이방성물질이나탄성메타물질, 또는복합재를포함한비균일한이방성물질을포함하고, 다중모드의투과현상을야기하며, 내부에서 2개이상의탄성파고유모드들이각각반파장만큼의위상(혹은)의정수배의위상변화를동시에만족시켜, 종파와횡파간의또는서로다른횡파간의모드변환파브리, 페로의공진을발생시킨다.
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公开(公告)号：KR1020140032186A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120098767
申请日：2012-09-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G06N3/02 , G06N3/049 , G06N3/063 , G11C11/54 , H01L29/66825
Abstract: The present invention relates to a semiconductor device used as a core device for realizing a biomimetic calculation system. Provided are a low power synaptic semiconductor device and an operation method thereof. A long-term memory unit is formed in one side where a source, a drain, and a gate are not formed in the floating body of a semiconductor device formed as a short-term memory unit which is electrically isolated from a peripheral region. Thereby, the low power synaptic semiconductor device imitates not only the causality deduction property of a body due to the signal time difference of a neuron before/after a synapse and a short-term and long-term memory switching property but also the short-term memory of a biological nervous system according to impact ionization. [Reference numerals] (40) (1) Short-term memory element; (60) (2) Long-term memory element
Abstract translation: 本发明涉及用作实现仿生计算系统的核心装置的半导体装置。 提供了一种低功率突触半导体器件及其操作方法。 长期存储单元形成在源极，漏极和栅极未形成在形成为与周边区域电隔离的短期存储单元的半导体器件的浮动体中的一侧。 因此，低功率突触半导体器件不仅由于神经元在突触前后的信号时间差以及短期和长期记忆切换特性而且模拟短期和长期记忆切换特性，而且模仿身体的因果性推导特性 根据碰撞电离记录生物神经系统。 （附图标记）（40）（1）短期记忆元件; （60）（2）长期记忆元素
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公开(公告)号：KR101528802B1
公开(公告)日：2015-06-15
申请号：KR1020140026002
申请日：2014-03-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G06N3/063
CPC classification number: G06N3/0635 , G11C11/54 , G06N3/063
Abstract: 본발명은뉴런발화동작모방반도체회로에관한것으로, 종래기술에서커패시터를사용함에따른문제점을해결하기위하여플로팅바디를갖는소자로커패시터를대신하고충격이온화로생긴과잉홀을플로팅바디에저장함으로써, 뉴런의신호축적을모방하고일정역치이상이될 때발화되도록하며발화후에는원 상태로돌아오도록구성된플로팅바디소자를갖는뉴런발화동작모방반도체회로를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于模拟神经元烧制工艺的半导体电路，更具体地说，涉及一种用于模拟神经元烧制工艺的半导体电路，该半导体电路包括一个浮体装置，该浮体装置包括一个浮体并可被电容器替代， 在浮体中存储由撞击电离产生的多余的空穴，模拟神经元的信号累积，当信号累积达到一定的阈值时，激发仿真的信号累积，并返回到其初始状态。 半导体电路包括控制装置，其包括连接在地和第一节点之间的浮体; 第一p沟道MOSFET和第二p沟道MOSFET，其中源极/漏极并联连接在第一节点和功率输入端子之间; 第一反相器和第二反相器，串联连接在第一节点和第一p沟道MOSFET之间，其中第一反相器的输出端首先通过连接到第二p沟道MOSFET的栅电极而被反馈， 第二反相器的输出端通过连接到第一p沟道MOSFET的栅电极和第二节点而被二次反馈，从突触前神经元接收的电信号被输入到控制装置的栅电极， 并且在第一逆变器的输出端子中获得根据突触后神经元的轴突小丘的点火的电信号。
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公开(公告)号：KR101425857B1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020120098767
申请日：2012-09-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 생체 모방 계산 시스템 구현에 핵심 소자로 사용되는 반도체 소자 및 그 동작방법에 관한 것으로, 주변과 전기적으로 고립되어 단기기억 수단으로 형성된 반도체 소자의 플로팅 바디에 소스, 드레인 및 게이트가 형성되지 않은 일측으로 장기기억 수단을 구비함으로써, 충격이온화에 따른 생체 신경계의 단기기억은 물론, 단-장기기억 전환 특성과 시냅스 전, 후 뉴런의 신호 시간차에 의한 생체의 인과관계 추론 특성을 모두 모방할 수 있는 저전력 시냅스 모방 반도체 소자 및 그 동작방법을 제공한다.
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