公开(公告)号：WO2009091176A3

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：PCT/KR2009/000189

申请日：2009-01-14

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  박영준 ,  김헌석 ,  이석하 ,  차병학 ,  이강무 ,  천준호 ,  권성훈 ,  박찬형 ,  정인영

Inventor： 박영준 ,  김헌석 ,  이석하 ,  차병학 ,  이강무 ,  천준호 ,  권성훈 ,  박찬형 ,  정인영

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/861

Abstract: 일 실시 예에 있어서, 발광 소자가 개시된다. 상기 발광 소자는 P형 반도체, N형 반도체, 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결된 반도체 필름, 상기 반도체 필름의 위에 위치하여 상기 반도체 필름에 전기장을 인가하기 위한 제1 전극 및 상기 반도체 필름의 아래에 위치하여 상기 반도체 필름에 추가적인 전기장을 인가하기 위한 제2 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100027494A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：KR1020080086433

申请日：2008-09-02

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  김헌석 ,  이석하 ,  차병학

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a diode structure which is controlled by a double gate is provided to control the intensity of a light which is emitted from the semiconductor area by controlling the voltage applied on the semiconductor area using a first electrode and a second electrode. CONSTITUTION: A source area(220) and a drain area(230) are arranged on the both end of a semiconductor area(210). A first insulator(240) is arranged on the semiconductor area. A first electrode changes the distribution state of either of an electron or a hole on the semiconductor area. A second insulator(260) is arranged on the lower side of the semiconductor area. A second electrode(270) changes the distribution state of either of the electron or the hole under the semiconductor area.

Abstract translation: 目的：提供一种包括由双栅极控制的二极管结构的半导体器件，以通过使用第一电极和第二电极控制施加在半导体区域上的电压来控制从半导体区域发射的光的强度。 构成：在半导体区域（210）的两端设置有源极区（220）和漏极区（230）。 第一绝缘体（240）布置在半导体区域上。 第一电极改变半导体区域上的电子或空穴中的任一个的分布状态。 第二绝缘体（260）布置在半导体区域的下侧。 第二电极（270）改变半导体区域下的电子或空穴中的任一个的分布状态。

公开(公告)号：KR101442800B1

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020080086433

申请日：2008-09-02

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  김헌석 ,  이석하 ,  차병학

IPC: H01L29/861

Abstract: 적어도 2 이상의 단위 소자의 집합체를 포함하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 단위소자는 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되고 전자 및 홀 중 어느 하나를 제공하거나 수렴하는 소스 및 드레인 영역, 상기 반도체 영역 위에 배치되는 제1 절연체, 상기 제1 절연체 위에 배치되고 상기 반도체 영역의 상부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제1 전극, 상기 반도체 영역 아래에 배치되는 제2 절연체 및 상기 제2 절연체 아래에 배치되고 상기 반도체 영역의 하부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제2 전극을 포함한다. 상기 적어도 2 이상의 단위 소자의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 교대로 배열되어 집합체를 형성한다.