이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 포함하는 반도체 장치
    2.
    发明授权
    이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 포함하는 반도체 장치 有权
    半导体器件包括双栅控二极管结构

    公开(公告)号:KR101442800B1

    公开(公告)日:2014-09-23

    申请号:KR1020080086433

    申请日:2008-09-02

    Abstract: 적어도 2 이상의 단위 소자의 집합체를 포함하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 단위소자는 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되고 전자 및 홀 중 어느 하나를 제공하거나 수렴하는 소스 및 드레인 영역, 상기 반도체 영역 위에 배치되는 제1 절연체, 상기 제1 절연체 위에 배치되고 상기 반도체 영역의 상부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제1 전극, 상기 반도체 영역 아래에 배치되는 제2 절연체 및 상기 제2 절연체 아래에 배치되고 상기 반도체 영역의 하부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제2 전극을 포함한다. 상기 적어도 2 이상의 단위 소자의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 교대로 배열되어 집합체를 형성한다.

    콩과 식물의 종자로부터 분리한 식물 병원균 방제 효과를 가지는 슈도모나스 속 KSBP01 균주 및 이의 용도
    5.
    发明授权
    콩과 식물의 종자로부터 분리한 식물 병원균 방제 효과를 가지는 슈도모나스 속 KSBP01 균주 및 이의 용도 有权
    PSEUDOMONAS SP。 KSBP01用于控制大豆种子分离植物病原菌的菌株及其用途

    公开(公告)号:KR101362106B1

    公开(公告)日:2014-02-14

    申请号:KR1020120108119

    申请日:2012-09-27

    CPC classification number: A01N63/02 A01N25/06 A01N63/00 C12N1/20 C12R1/38

    Abstract: The present invention provides a pseudomonas sp. KSBP01 strain having antimicrobial activity against strains causing a legume seed-borne disease; a composition, containing the strain or the culture medium thereof for an active ingredient, for controlling a legume seed-borne disease; and a method for producing a composite for controlling a legume seed-borne disease comprising a method for controlling a legume seed-borne disease by spraying an effective amount of the strain or the culture medium thereof to plants or soil and a step of culturing the strain.

    Abstract translation: 本发明提供了一种假单胞菌属 具有针对导致豆科种子传播疾病的菌株的抗微生物活性的KSBP01菌株; 含有活性成分的菌株或培养基的组合物,用于控制豆科种子传播疾病; 以及一种用于制备用于控制豆科植物种传播疾病的复合物的方法,包括通过将有效量的菌株或培养基喷洒到植物或土壤中来控制豆科植物种传播疾病的方法和培养菌株 。

    전기소자의 채널층 형성 방법 및 이를 이용하는 전기소자의 제조 방법
    6.
    发明授权
    전기소자의 채널층 형성 방법 및 이를 이용하는 전기소자의 제조 방법 有权
    在电气装置中形成沟道层的方法和使用其的制造电气装置的方法

    公开(公告)号:KR101186574B1

    公开(公告)日:2012-10-08

    申请号:KR1020100030395

    申请日:2010-04-02

    Abstract: 일 실시 예에 따르는 전기소자의 채널층 형성 방법이 개시된다. 먼저, 절연층을 상부에 구비하는 전도성 기판을 제공한다. 상기 전도성 기판과 도금 대상인 금속을 전극으로 사용하여 전해질 용액 내에서 전기도금을 실시한다. 이때, 상기 전도성 기판으로부터 상기 절연층을 통과하는 터널링 전류가 제공하는 전자와 상기 전해질 용액 내의 상기 금속의 이온이 결합함으로써 상기 절연층 상에 금속 채널층이 형성된다.

    Cgy-1 유전자가 결핍된 대두 돌연변이체를 선별하기 위한 공우성 마커 및 이의 용도
    8.
    发明公开
    Cgy-1 유전자가 결핍된 대두 돌연변이체를 선별하기 위한 공우성 마커 및 이의 용도 有权
    用CGY-1基因分离大豆突变体的主要标记及其用途

    公开(公告)号:KR1020110094500A

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:KR1020100013912

    申请日:2010-02-16

    CPC classification number: C12Q1/6827 C12Q2537/143

    Abstract: PURPOSE: A codominant oligonucleotide primer set for selecting Cgy-1(beta-conglycinin alpha' subunit) gene-deletion soybean mutant is provided to quickly determine Cgy-1 gene deletion. CONSTITUTION: A codominant oligonuelcotide primer set for selecting Cgy-1 gene-deletion soybean mutant contains: an oligonucleotide selected from oligonucleotides containing 15 or more serial nucleotide fragments of sequence number 1 and a oligonucleotide selected from oligonucleotides containing 15 or more serial nucleotides of sequence number 3; and an oligonucleotide selected from oligonucleotides containing 15 or more serial nucleotide fragments of sequence number 2 and a oligonucleotide selected from oligonucleotides containing 15 or more serial nucleotides of sequence number 3.

    Abstract translation: 目的:提供用于选择Cgy-1(β-伴大豆球蛋白α'亚基)基因缺失大豆突变体的共显性寡核苷酸引物组,以快速测定Cgy-1基因缺失。 构成:选择Cgy-1基因缺失大豆突变体的重要寡核苷酸引物组包含:选自含有15个或更多个序列号1的序列核苷酸片段的寡核苷酸的寡核苷酸和选自含有15个或更多个序列号的序列核苷酸的寡核苷酸的寡核苷酸 3; 和选自含有15个以上序列号2的序列核苷酸片段的寡核苷酸的寡核苷酸和选自含有15个以上序列号3的序列核苷酸的寡核苷酸的寡核苷酸。

    이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 포함하는 반도체 장치
    9.
    发明公开
    이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 포함하는 반도체 장치 有权
    包括双门控制二极管结构的半导体器件

    公开(公告)号:KR1020100027494A

    公开(公告)日:2010-03-11

    申请号:KR1020080086433

    申请日:2008-09-02

    CPC classification number: H01L31/103 H01L29/66356 H01L29/7391

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a diode structure which is controlled by a double gate is provided to control the intensity of a light which is emitted from the semiconductor area by controlling the voltage applied on the semiconductor area using a first electrode and a second electrode. CONSTITUTION: A source area(220) and a drain area(230) are arranged on the both end of a semiconductor area(210). A first insulator(240) is arranged on the semiconductor area. A first electrode changes the distribution state of either of an electron or a hole on the semiconductor area. A second insulator(260) is arranged on the lower side of the semiconductor area. A second electrode(270) changes the distribution state of either of the electron or the hole under the semiconductor area.

    Abstract translation: 目的:提供一种包括由双栅极控制的二极管结构的半导体器件,以通过使用第一电极和第二电极控制施加在半导体区域上的电压来控制从半导体区域发射的光的强度。 构成:在半导体区域(210)的两端设置有源极区(220)和漏极区(230)。 第一绝缘体(240)布置在半导体区域上。 第一电极改变半导体区域上的电子或空穴中的任一个的分布状态。 第二绝缘体(260)布置在半导体区域的下侧。 第二电极(270)改变半导体区域下的电子或空穴中的任一个的分布状态。

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