Abstract:
일 실시 예에 있어서, 발광 소자가 개시된다. 상기 발광 소자는 P형 반도체, N형 반도체, 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결된 반도체 필름, 상기 반도체 필름의 위에 위치하여 상기 반도체 필름에 전기장을 인가하기 위한 제1 전극 및 상기 반도체 필름의 아래에 위치하여 상기 반도체 필름에 추가적인 전기장을 인가하기 위한 제2 전극을 포함한다.
Abstract:
적어도 2 이상의 단위 소자의 집합체를 포함하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 단위소자는 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되고 전자 및 홀 중 어느 하나를 제공하거나 수렴하는 소스 및 드레인 영역, 상기 반도체 영역 위에 배치되는 제1 절연체, 상기 제1 절연체 위에 배치되고 상기 반도체 영역의 상부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제1 전극, 상기 반도체 영역 아래에 배치되는 제2 절연체 및 상기 제2 절연체 아래에 배치되고 상기 반도체 영역의 하부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제2 전극을 포함한다. 상기 적어도 2 이상의 단위 소자의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 교대로 배열되어 집합체를 형성한다.
Abstract:
The present invention provides a pseudomonas sp. KSBP01 strain having antimicrobial activity against strains causing a legume seed-borne disease; a composition, containing the strain or the culture medium thereof for an active ingredient, for controlling a legume seed-borne disease; and a method for producing a composite for controlling a legume seed-borne disease comprising a method for controlling a legume seed-borne disease by spraying an effective amount of the strain or the culture medium thereof to plants or soil and a step of culturing the strain.
Abstract:
일 실시 예에 따르는 전기소자의 채널층 형성 방법이 개시된다. 먼저, 절연층을 상부에 구비하는 전도성 기판을 제공한다. 상기 전도성 기판과 도금 대상인 금속을 전극으로 사용하여 전해질 용액 내에서 전기도금을 실시한다. 이때, 상기 전도성 기판으로부터 상기 절연층을 통과하는 터널링 전류가 제공하는 전자와 상기 전해질 용액 내의 상기 금속의 이온이 결합함으로써 상기 절연층 상에 금속 채널층이 형성된다.
Abstract:
일 실시 예에 따르는 전기소자의 채널층 형성 방법이 개시된다. 먼저, 절연층을 상부에 구비하는 전도성 기판을 제공한다. 상기 전도성 기판과 도금 대상인 금속을 전극으로 사용하여 전해질 용액 내에서 전기도금을 실시한다. 이때, 상기 전도성 기판으로부터 상기 절연층을 통과하는 터널링 전류가 제공하는 전자와 상기 전해질 용액 내의 상기 금속의 이온이 결합함으로써 상기 절연층 상에 금속 채널층이 형성된다.
Abstract:
PURPOSE: A codominant oligonucleotide primer set for selecting Cgy-1(beta-conglycinin alpha' subunit) gene-deletion soybean mutant is provided to quickly determine Cgy-1 gene deletion. CONSTITUTION: A codominant oligonuelcotide primer set for selecting Cgy-1 gene-deletion soybean mutant contains: an oligonucleotide selected from oligonucleotides containing 15 or more serial nucleotide fragments of sequence number 1 and a oligonucleotide selected from oligonucleotides containing 15 or more serial nucleotides of sequence number 3; and an oligonucleotide selected from oligonucleotides containing 15 or more serial nucleotide fragments of sequence number 2 and a oligonucleotide selected from oligonucleotides containing 15 or more serial nucleotides of sequence number 3.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor device including a diode structure which is controlled by a double gate is provided to control the intensity of a light which is emitted from the semiconductor area by controlling the voltage applied on the semiconductor area using a first electrode and a second electrode. CONSTITUTION: A source area(220) and a drain area(230) are arranged on the both end of a semiconductor area(210). A first insulator(240) is arranged on the semiconductor area. A first electrode changes the distribution state of either of an electron or a hole on the semiconductor area. A second insulator(260) is arranged on the lower side of the semiconductor area. A second electrode(270) changes the distribution state of either of the electron or the hole under the semiconductor area.