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公开(公告)号：KR1020090009455A
公开(公告)日：2009-01-23
申请号：KR1020070072742
申请日：2007-07-20
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/144 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/143
Abstract: A phase change memory device is provided to form a buffer layer for reinforcing interfacial bonding in an interface between a phase changing film and an insulating layer, thereby suppressing delamination of the phase changing film caused by unstable bonding between the phase changing film and the insulating layer. A bottom electrode(310) is formed in each phase change cell domain of a semiconductor substrate(300) having a plurality of phase change cell domains. An insulating layer(320) is evaporated on the semiconductor substrate in order to cover the bottom electrode. A contact hole exposing the bottom electrode is formed by etching the insulating layer. A contact plug(330) contacting the bottom electrode is formed within the contact hole. A buffer layer(340) is formed on the insulating layer including the contact plug. The buffer layer is formed with one of a tiO2 film, a la2O3 film, an hfO2 film, a ta2O5 film, a zrO2 film and an Y2O3 film. Phase change material(350) and a conductive film(360) for an upper electrode are successively evaporated on the buffer layer. The buffer layer has excellent property for adhesive with the phase change material. The phase change material is formed on the buffer film in a form of a thin film comprising elaborate grains.
Abstract translation: 提供相变存储器件以形成用于加强相变膜和绝缘层之间的界面中的界面结合的缓冲层，从而抑制由相变膜和绝缘层之间的不稳定接合引起的相变膜的分层 。 在具有多个相变元件区域的半导体衬底（300）的每个相变单元区域中形成底部电极（310）。 在半导体衬底上蒸发绝缘层（320）以覆盖底部电极。 通过蚀刻绝缘层形成露出底部电极的接触孔。 在接触孔内形成接触底部电极的接触插塞（330）。 在包括接触插塞的绝缘层上形成缓冲层（340）。 缓冲层由TiO 2膜，1a2O3膜，hfO2膜，ta2O5膜，zrO2膜和Y2O3膜中的一种形成。 在缓冲层上依次蒸发用于上电极的相变材料（350）和导电膜（360）。 缓冲层对于具有相变材料的粘合剂具有优异的性能。 相变材料形成在缓冲膜上，其形式为包含精细晶粒的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100023075A
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：KR1020080081657
申请日：2008-08-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02181 , C23C16/45563 , H01L21/02532 , H01L21/02549 , H01L21/02562
Abstract: PURPOSE: An apparatus for depositing thin films is provided to prevent delamination phenomenon of an unnecessary thin film deposited on a chamber by preventing a GST from being deposited on most of hafnium oxide. CONSTITUTION: A depositing thin film(300) comprises a chamber(310), a susceptor(320), and a gas injection device(330). The susceptor is installed inside the chamber. The substrate is placed on the susceptor. The gas injection device is installed above the susceptor. The gas injection device supplies a gas to the chamber. Hafnium oxide(HfO2) is formed on the internal surface of the chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积薄膜的设备，以通过防止在大多数氧化铪上沉积GST来防止沉积在室上的不需要的薄膜的分层现象。 构成：沉积薄膜（300）包括室（310），基座（320）和气体注入装置（330）。 感受体安装在室内。 将基板放置在基座上。 气体注入装置安装在基座上方。 气体注入装置向腔室供应气体。 在室的内表面上形成氧化铪（HfO 2）。
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公开(公告)号：KR100891523B1
公开(公告)日：2009-04-06
申请号：KR1020070072742
申请日：2007-07-20
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/144 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 본 발명은 상변화 기억 소자를 개시한다. 개시된 본 발명의 상변화 기억 소자는, 다수의 상변화 셀 영역을 갖는 반도체기판; 상기 반도체기판의 각 상변화 셀 영역 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극을 덮도록 반도체기판 상에 형성되며, 상기 하부 전극을 노출시키는 콘택홀을 구비한 절연막; 상기 콘택홀의 전 표면 상에 형성되며, La
2 O
3 막 및 Y
2 O
3 막 중 어느 하나의 막으로 이루어진 버퍼막; 상기 버퍼막이 형성된 콘택홀 내에 형성된 상변화막; 및 상기 상변화막과 버퍼막 및 절연막 상에 형성된 상부전극;을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020120048790A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020100110152
申请日：2010-11-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: F25D25/02 , A23L3/28 , F25D29/005
Abstract: PURPOSE: A refrigerator for Korean beef is provided to store Korean beef for a long time by allowing ultraviolet lamps to properly irradiate the Korean beef with ultraviolet rays. CONSTITUTION: A refrigerator for Korean beef comprises a loading frame(2), loading shelves(2a), ultraviolet lamps(3), and a controller(5). The loading frame is installed inside a main body. The loading shelves are installed in the loading frame. The ultraviolet lamps are installed in both sides of the rear surface of the loading frame. The controller has a PCB(printed circuit board) and a control panel. The control panel is connected to the PCB and is installed on the front surface of the main body.
Abstract translation: 目的：提供韩国牛肉冰箱长时间存放韩国牛肉，允许紫外线灯用紫外线适当地照射韩国牛肉。 规定：韩国牛肉冰箱包括装载架（2），装货架（2a），紫外灯（3）和控制器（5）。 装载框架安装在主体内。 装载架安装在装载架中。 紫外灯安装在装载框架后表面的两侧。 控制器具有PCB（印刷电路板）和控制面板。 控制面板连接到PCB，并安装在主体的正面。
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公开(公告)号：KR101210085B1
公开(公告)日：2012-12-07
申请号：KR1020100110152
申请日：2010-11-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은가정용한우냉장고에관한것으로서, 한우육을저장하기위해전면에개폐문이설치된냉장고로써, 상기냉장고본체내에설치되는적재틀; 상기적재틀내에걸쳐설치되는적재선반; 상기적재틀내의후면양쪽에탈부착할수 있도록설치되는자외선램프; 및상기냉장고본체의안쪽에설치된 PCB(Printed Circuit Board)와상기 PCB와연결되어냉장고본체의전면에설치된컨트롤패널로구성된컨트롤러;로이루어져, 상기적재틀의적재선반에적재된한우육을상기컨트롤러의조작에의해 -0.5~-1.5℃의저장온도로저장하면서 4~6℃에서 12~24시간동안숙성하고, 25~35㎼/㎠의출력을갖는상기자외선램프로 25~35분동안조사함으로써, 한우육을대량구매하여도장기간동안신선하게보관할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101060606B1
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020080081657
申请日：2008-08-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 박막증착장치와 이를 이용한 박막증착방법이 개시된다. 챔버는 내부에 수용부가 형성되며, 챔버의 내표면에는 하프늄 산화물이 형성되도록 한다. 서셉터는 챔버의 내부에 설치되며, 기판이 안착된다. 가스 분사장치는 서셉터의 상부에 설치되며, 챔버 내부로 가스를 공급한다. 본 발명에 따르면, GST는 하프늄 산화물 상에서 거의 증착되지 않으므로 하프늄 산화물이 형성된 챔버 내표면에 GST 박막이 증착되지 않게 된다. 따라서 원하지 않는 박막이 챔버 내표면에 증착되어 발생하는 박리현상이 발생하지 않게 된다.
박리, 챔버실드, GST, 세정
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