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公开(公告)号：KR1020170052781A
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150154247
申请日：2015-11-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은암모니아처리를통한은 나노와이어필름의제조방법및 그에의해제조된은 나노와이어필름에관한것으로, 기판위에코팅된은 나노와이어에암모니아를단시간처리하여투과도저해없이전도도를향상시킴으로써, 은나노와이어필름의전도도향상을위한별도공정인고온열처리를대체할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明通过改善没有传输抑制是通过氨用氨处理快速处理在导电性已经涉及一种方法，用于制造纳米线膜和由此产生的纳米线膜，在基材上的涂层是纳米线，银线 存在这样的优点，可以取代的高温热处理的单独的步骤用于提高膜的导电性。
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公开(公告)号：KR101815351B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020150154247
申请日：2015-11-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은암모니아처리를통한은 나노와이어필름의제조방법및 그에의해제조된은 나노와이어필름에관한것으로, 기판위에코팅된은 나노와이어에암모니아를단시간처리하여투과도저해없이전도도를향상시킴으로써, 은나노와이어필름의전도도향상을위한별도공정인고온열처리를대체할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101465071B1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：KR1020130115192
申请日：2013-09-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01B1/02 , H01B1/16 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H05K1/097 , H05K2201/026 , Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 세슘을 이용한 플렉서블 투명전극필름에 관한 것으로서, 고분자 기재필름에 나노와이어 투명 도전막을 도포하는 도포단계;상기 나노와이어 투명 도전막투명 도전막투명 도전막이 혼합된 졸-겔 용액을 코팅하는 코팅단계;및 상기 나노와이어가 용접되는 용접단계를 포함하여 별도의 열처리 과정없이 높은 투과도 및 낮은 면저항값을 가지는 투명전극필름이 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用铯的柔性透明电极膜，其包括用纳米线透明导电层喷射聚合物基膜的喷涂步骤; 涂覆步骤，用混合有透明导电层的混合溶胶 - 凝胶溶液涂覆纳米线透明导电层; 以及焊接该纳米线的焊接工序。 因此，提供了具有高透射率和低表面电阻值的柔性透明电极膜，而没有单独的热处理。
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公开(公告)号：KR101480788B1
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：KR1020140036232
申请日：2014-03-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/24 , H01L21/20 , H01L21/318 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/76889 , H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L29/45 , H01L29/456
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체용 소스/드레인에 관한 것으로, 실리콘을 포함하는 실리콘 기판을 마련하는 실리콘 기판 마련단계; 상기 실리콘 기판 상에 이터븀, 내화금속 및 전이금속 질화물을 증착하여 상기 이터븀 및 상기 내화금속은 이터븀 합금 박막을 형성하고, 상기 전이금속 질화물은 캡핑 층을 형성하도록 하는 증착단계; 및 상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 실리콘 기판 및 상기 이터븀 합금 박막 계면에 이터븀 실리사이드가 형성되는 열처리단계를 포함하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실리사이드 형성방법에 의하면 에피택시하게 성장된 이터븀 실리사이드를 안정적으로 형성할 수 있어 낮은 쇼트키 장벽을 가진 소스 및 드레인을 구현할 수 있어 트랜지스터를 포함한 반도체 분야에 유용하게 적용할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成半导体器件的硅化物的方法和用于半导体器件的源极/漏极。 该方法包括以下步骤：制备包含硅的硅衬底; 在硅衬底上沉积镱，难熔金属和过渡金属氮化物，以使用镱和难熔金属形成镱合金薄膜，并使用过渡金属氮化物形成覆盖层; 并通过对硅衬底进行热处理，在硅衬底和镱合金薄膜之间的界面上形成硅化镱。 根据形成硅化物的方法，可以稳定地形成外延生长的镱硅化物，从而可以实现具有低肖特基势垒的源极和漏极。 因此，该方法可以应用于包括晶体管的半导体场。
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