公开(公告)号：KR1020160149105A

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：KR1020150086179

申请日：2015-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 양재현 ,  곽혜나 ,  김형섭 ,  이후정 ,  박성준 ,  정성준

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1129

Abstract: 광전자소자가개시된다. 개시된광전자소자는산화물반도체층, 및이 산화물반도체층과스택구조를이루는반도체성이차원물질층;을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种光电子器件。 所公开的光电子器件包括氧化物半导体层和形成具有氧化物半导体层的堆叠结构的半导体二维（2D）材料层。

公开(公告)号：KR101815351B1

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：KR1020150154247

申请日：2015-11-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이후정 ,  김선호 ,  곽혜나 ,  강준구

IPC: H01B1/02 ,  H01B13/00 ,  C08J7/06

Abstract: 본발명은암모니아처리를통한은 나노와이어필름의제조방법및 그에의해제조된은 나노와이어필름에관한것으로, 기판위에코팅된은 나노와이어에암모니아를단시간처리하여투과도저해없이전도도를향상시킴으로써, 은나노와이어필름의전도도향상을위한별도공정인고온열처리를대체할수 있는장점이있다.

公开(公告)号：KR1020170052781A

公开(公告)日：2017-05-15

申请号：KR1020150154247

申请日：2015-11-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이후정 ,  김선호 ,  곽혜나 ,  강준구

IPC: H01B1/02 ,  H01B13/00 ,  C08J7/06

Abstract: 본발명은암모니아처리를통한은 나노와이어필름의제조방법및 그에의해제조된은 나노와이어필름에관한것으로, 기판위에코팅된은 나노와이어에암모니아를단시간처리하여투과도저해없이전도도를향상시킴으로써, 은나노와이어필름의전도도향상을위한별도공정인고온열처리를대체할수 있는장점이있다.

Abstract translation: 本发明通过改善没有传输抑制是通过氨用氨处理快速处理在导电性已经涉及一种方法，用于制造纳米线膜和由此产生的纳米线膜，在基材上的涂层是纳米线，银线 存在这样的优点，可以取代的高温热处理的单独的步骤用于提高膜的导电性。