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    반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체 소자용 소스/드레인
    3.
    发明授权
    반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체 소자용 소스/드레인 有权
    制造半导体器件的硅化物和半导体器件的源/漏的方法

    公开(公告)号：KR101480788B1

    公开(公告)日：2015-01-14

    申请号：KR1020140036232

    申请日：2014-03-27

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 이후정 ,  나세권 ,  강준구

    IPC: H01L21/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/318 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/76889 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체용 소스/드레인에 관한 것으로, 실리콘을 포함하는 실리콘 기판을 마련하는 실리콘 기판 마련단계; 상기 실리콘 기판 상에 이터븀, 내화금속 및 전이금속 질화물을 증착하여 상기 이터븀 및 상기 내화금속은 이터븀 합금 박막을 형성하고, 상기 전이금속 질화물은 캡핑 층을 형성하도록 하는 증착단계; 및 상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 실리콘 기판 및 상기 이터븀 합금 박막 계면에 이터븀 실리사이드가 형성되는 열처리단계를 포함하여 형성될 수 있다.
    본 발명의 실리사이드 형성방법에 의하면 에피택시하게 성장된 이터븀 실리사이드를 안정적으로 형성할 수 있어 낮은 쇼트키 장벽을 가진 소스 및 드레인을 구현할 수 있어 트랜지스터를 포함한 반도체 분야에 유용하게 적용할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成半导体器件的硅化物的方法和用于半导体器件的源极/漏极。 该方法包括以下步骤：制备包含硅的硅衬底; 在硅衬底上沉积镱，难熔金属和过渡金属氮化物，以使用镱和难熔金属形成镱合金薄膜，并使用过渡金属氮化物形成覆盖层; 并通过对硅衬底进行热处理，在硅衬底和镱合金薄膜之间的界面上形成硅化镱。 根据形成硅化物的方法，可以稳定地形成外延生长的镱硅化物，从而可以实现具有低肖特基势垒的源极和漏极。 因此，该方法可以应用于包括晶体管的半导体场。

    박막 트랜지스터 및 그 제조방법
    4.
    发明公开
    박막 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110010323A

    公开(公告)日：2011-02-01

    申请号：KR1020090067826

    申请日：2009-07-24

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 손경석 ,  권장연 ,  김형섭 ,  이후정 ,  문미란 ,  박경

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/04

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce a leakage current by comprising a channel layer of a multi-layered film with different crystal grains. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a gate, a gate insulation layer(130), a channel layer(140), a source, and a drain. The channel layer comprises a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer. The source and drain are contacted with both sides of the channel layer. The crystal grain of a first oxide semiconductor layer is relatively larger than the crystal grain of a second oxide semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以通过包括具有不同晶粒的多层膜的沟道层来减少漏电流。 构成：薄膜晶体管包括栅极，栅极绝缘层（130），沟道层（140），源极和漏极。 沟道层包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层。 源极和漏极与沟道层的两侧接触。 第一氧化物半导体层的晶粒比第二氧化物半导体层的晶粒相对大。

    유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의한유기 박막 트랜지스터
    10.
    发明公开
    유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의한유기 박막 트랜지스터 无效
    制造有机薄膜晶体管的方法和制造的有机薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR1020090076107A

    公开(公告)日：2009-07-13

    申请号：KR1020080001867

    申请日：2008-01-07

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 정동근 ,  이후정 ,  이성우 ,  문미란 ,  우지형

    IPC: H01L29/786 ,  H01L51/46

    CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

    Abstract: An organic thin film transistor manufacturing method and the thin film transistor manufactured by the same method are provided, which improve the interface property of the organic thin film transistor. The gate electrode(2) and gate isolation layer(3) are equipped at the upper part of the substrate(1). The surface processing layer is formed into the PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) method by using the precursor material on the gate isolation layer. The organic semiconductor layer(5) is formed on the surface processing layer(4). The source(6)/drain(7) electrode is formed on the organic semiconductor layer. The precursor within the foam generator is evaporated. The evaporated precursor is flowed in the reactor for the plasma vapor deposition. By using the plasma of the reactor, the thin film polymerized by plasma on the substrate within the reactor is deposited.

    Abstract translation: 提供了通过相同方法制造的有机薄膜晶体管制造方法和薄膜晶体管，其改善了有机薄膜晶体管的界面性质。 在基板（1）的上部配备有栅电极（2）和栅极隔离层（3）。 通过在栅极隔离层上使用前体材料，将表面处理层形成为PECVD（等离子体增强化学气相沉积）方法。 有机半导体层（5）形成在表面处理层（4）上。 源极（6）/漏极（7）电极形成在有机半导体层上。 泡沫发生器内的前体蒸发。 蒸发的前体在反应器中流动用于等离子体气相沉积。 通过使用反应器的等离子体，沉积在反应器内的基板上由等离子体聚合的薄膜。

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