公开(公告)号：KR101532883B1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：KR1020140116063

申请日：2014-09-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김형섭 ,  구예현 ,  양재현

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명의전이금속디칼코게나이드박막의형성방법은, 디메틸포름아마이드(dimehtylformamide), 알킬아민및 아미노알코올을포함하는혼합용매와전이금속디칼코게나이드의전구체를포함하는코팅용액을준비하는단계, 코팅용액을피처리기판상에스핀-코팅하는단계및 코팅된박막을열처리하는단계를포함한다.

Abstract translation: 制造过渡金属二硫属元素化物薄层的方法包括以下步骤：制备包括二甲基甲酰胺，烷基胺和氨基醇的混合溶剂，并涂布包含过渡金属二硫属元素前体的溶液; 将涂布溶液涂布在经处理的基材上; 并对涂覆的薄层进行热处理。 前体包括钼或钨。 100重量份二甲基甲酰胺中烷基胺的含量为50-200重量。 氨基醇的含量为16-40重量份。

公开(公告)号：KR1020150081202A

公开(公告)日：2015-07-13

申请号：KR1020140000931

申请日：2014-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 정성준 ,  박성준 ,  신현진 ,  구예현 ,  김형섭 ,  양재현

IPC: B32B9/00 ,  B32B38/00 ,  C01B31/00

CPC classification number: H01B1/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7781 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30 ,  B32B9/00 ,  B32B38/00 ,  C01B32/00

Abstract: 그래핀층상에형성된물질층을포함하는적층구조체및 그래핀층상에물질층을형성하는방법이개시된다. 개시된적층구조체는그래핀층상에원자층증착법에의하여물질층을형성하고자하는경우, 그래핀층상에선형프리커서를이용하여시드층으로서의중간층을형성시킬수 있다.

Abstract translation: 在本发明中，公开了包括形成在石墨烯层上的材料层的堆叠结构和在石墨烯层上形成线性前置标记的石墨烯层上形成材料层的方法，从而形成中间层作为 当在所公开的堆叠结构中使用原子层沉积方法在石墨烯层上形成材料层时，晶种层。