公开(公告)号：KR100789987B1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020050043406

申请日：2005-05-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김경해 ,  정성욱

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: RF 플라즈마 반응관 내에서 반응가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 에칭 방법으로 실리콘 웨이퍼를 건식 식각하여 실리콘 웨이퍼 표면에 나노 피라미드 형태의 구조를 형성하고, 형성된 나노 피라미드 형태의 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시켜 플래시 메모리의 데이터 저장 용량을 증대시키기 위한 실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법이 개시된다. 본 발명은, 진공 상태의 RF 플라즈마 반응관내부의 전극에 실리콘 웨이퍼를 투입하는 웨이퍼 투입 단계; RF 플라즈마 반응관 내부에 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스를 주입하는 가스 주입 단계; 가스가 주입된 RF 플라즈마 반응관 내부에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 단계; 투입되는 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스의 유량이 상기 불화유황(SF6) : 산소(O2)가 20~25sccm : 10~15sccm의 가스 분압을 가지도록 조정하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 90~110W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 상기 실리콘 웨이퍼를 나노 피라미드 형태로 건식 식각하는 실리콘 웨이퍼 표면 식각 단계를 포함하는 것이다.

公开(公告)号：KR1020060121324A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：KR1020050043406

申请日：2005-05-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김경해 ,  정성욱

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: A method for forming a nano-pyramid type structure on a wafer using a silicon dry etching process and a gate memory using the structure are provided to increase data storage capacity of a flash memory by increasing a contact area with quantum dots of a floating gate memory. A silicon wafer(11) is transferred to an internal electrode(19) of an RF plasma reaction chamber of a vacuum state. SF6 gas and O2 gas are implanted into the inside of the RF plasma reaction chamber. RF power is applied to the RF plasma reaction chamber to generate plasma. The silicon wafer is dry-etched in a nano-pyramid type structure by controlling a flow rate of SF6 to O2 corresponding to partial gas pressure of 20~25 sccm to 10~15 sccm and controlling the RF power of 90 to 110 W.

Abstract translation: 提供了使用硅干蚀刻工艺在晶片上形成纳米金字塔型结构的方法和使用该结构的栅极存储器，以通过增加与浮动栅极存储器的量子点的接触面积来增加闪速存储器的数据存储容量 。 将硅晶片（11）转移到真空状态的RF等离子体反应室的内部电极（19）。 SF6气体和O 2气体注入到RF等离子体反应室的内部。 RF功率被施加到RF等离子体反应室以产生等离子体。 通过将对应于20〜25sccm〜10〜15sccm的局部气体压力的SF6〜O2的流量控制在90〜110W的RF功率，将硅晶片以纳米金字塔型结构进行干法蚀刻。