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公开(公告)号：KR1020090086841A
公开(公告)日：2009-08-14
申请号：KR1020080012330
申请日：2008-02-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/3141 , C23C16/44 , C23C16/45536 , H01J2237/0041 , H01J2237/08 , H01J2237/3142 , H01L21/31604
Abstract: A neutral beam-assisted ALCVD(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition) system and a substrate processing method using the same are provided to improve the density of a planarized film and to prevent non-uniform deposition in the process of filling in a gap of shallow trench with an oxide film. A neutral beam-assisted ALCVD system comprises an ALCVD apparatus and a neutral beam generating unit. The ALCVD apparatus deposits an oxide film in order to form a planarized film or pattern in a semiconductor substrate. The neutral beam generating unit changes ion beam to neutral beam and irradiates the neutral beam onto the oxide film in order to increase the density of the planarized film remove seam or void of the oxide film deposited between the patterns. The deposition of the oxide film and the irradiation of the neutral beam are performed at the same time.
Abstract translation: 提供中性束辅助的ALCVD（原子层化学气相沉积）系统和使用其的衬底处理方法以改善平坦化膜的密度并防止在填充浅沟槽的间隙的过程中的不均匀沉积 与氧化膜。 中性束辅助ALCVD系统包括ALCVD装置和中性束发生单元。 ALCVD装置沉积氧化物膜以在半导体衬底中形成平坦化的膜或图案。 中性光束产生单元将离子束改变为中性光束并将中性光束照射到氧化膜上，以便增加平坦化膜的密度去除接缝或沉积在图案之间的氧化膜的空隙。 氧化膜的沉积和中性光束的照射同时进行。
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公开(公告)号：KR1020090086704A
公开(公告)日：2009-08-14
申请号：KR1020080012135
申请日：2008-02-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01J37/30 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/31155 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/28282
Abstract: A compositions incorporation apparatus of substrate using neutral beam and method thereof are provided to perform the implantation process of the neutralized ions and twice the formation process of the oxide film at least two times. The compositions incorporation apparatus(10) comprises the generating ion beam gas injector, the ion source portion(11), the grid assembly(14), the reflector and the stage. The gas injection hole for generating ion beam injects the gas in order to create the ion beam. The ion beam(11a) is produced from the beam gas injector having the ion source portion. The grid assembly is arranged in one side of the ion source portion. The reflector converts the ion beam into the neutral beam(11b). The stage has the substrate(16) on the route of the neutral beam. The formation process of the oxide film and implantation process of the neutralized ions are repetitively performed on the substrate.
Abstract translation: 提供了使用中性光束的基板的组合物结合装置及其方法，以进行中和离子的注入过程和氧化膜的形成过程的两次至少两次。 组合物结合装置（10）包括产生离子束气体注入器，离子源部分（11），栅格组件（14），反射器和平台。 用于产生离子束的气体注入孔注入气体以产生离子束。 离子束（11a）由具有离子源部分的束气体注入器产生。 格栅组件布置在离子源部分的一侧。 反射器将离子束转换成中性光束（11b）。 舞台具有在中性梁的路线上的衬底（16）。 氧化膜的形成过程和中和离子的注入过程在衬底上重复进行。
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公开(公告)号：KR101783136B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020160035909
申请日：2016-03-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G01N15/082 , G01N17/02 , G01N33/38 , G01N2203/0062
Abstract: 본발명은균열콘크리트의자기치유성능평가를위한투수시험장치에관한것으로, 제1 저수조; 제2 저수조; 펌프; 및제어수단; 을포함하여, 간단한구성으로이루어져실험과정을간소화시킬수 있을뿐만아니라균열콘크리트의자기치유성능시험결과의신뢰도를높일수 있는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020100119102A
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020090038045
申请日：2009-04-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C09D161/28 , C09D183/02 , B82B3/00 , B82Y30/00
CPC classification number: C09D161/28 , C08L2201/04 , C09D183/00 , Y10S977/742
Abstract: PURPOSE: An antistatic hard coating composition and an antistatic hard coating film manufactured therefrom are provided to improve the surface hardness by forming an organic-inorganic composite of silica and a melamine resin. CONSTITUTION: An antistatic hard coating composition contains the following: 100 parts of melamine derivative composition by weight including 10~40wt% of melamine derivative, and 60~90wt% of organic solvent; 50~200 parts of silica sol by weight; and 20~150 parts of ion silane material by weight. The melamine derivative includes hydrogen of amine groups substituted with a hydroxyalkyl group or an alkoxyalkyl group.
Abstract translation: 目的：通过形成二氧化硅和三聚氰胺树脂的有机 - 无机复合物，提供抗静电硬涂层组合物和由其制成的抗静电硬涂层，以提高表面硬度。 构成：抗静电硬涂层组合物含有：100份三聚氰胺衍生物组合物，其中包括10〜40重量％的三聚氰胺衍生物和60〜90重量％的有机溶剂; 50〜200份硅溶胶重量; 和20〜150份重量的离子硅烷材料。 三聚氰胺衍生物包括被羟基烷基或烷氧基烷基取代的胺基的氢。
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公开(公告)号：KR100959640B1
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：KR1020070135247
申请日：2007-12-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265
Abstract: 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 낮은 에너지로 산화막 표면을 처리해줌으로써 산화막의 전기적 손상을 최소화하면서 박막 특성을 향상시킬 수 있는 중성빔을 이용하여 기판의 특성향상을 위한 중성빔 표면 조성 혼입(incorporation)장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 발생 챔버 내에 장착되고, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온소스부, 상기 이온소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고, 상기 중성빔으로 상기 피처리 기판의 표면을 개질하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 중성빔을 이용한 기판의 표면조성 혼입 장치 및 방법을 이용하는 것에 의해, 기존의 MOSFET 뿐 아니라, SONOS, TANOS 등과 같은 차세대 반도체 소자의 산화막 특성 향상에 전반적으로 사용할 수 있는 장비 및 공정 기술을 향상시킬 수 있다.
이온, 소스, 중성빔, 개질-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101418156B1
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120087713
申请日：2012-08-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B33/141 , C01B33/157 , B01J6/00
Abstract: 하이브리드 젤을 제조하는 방법이 개시된다. 하이브리드 젤을 제조하기 위하여 Si 전구체를 이용한 졸-겔(Sol-gel) 공정을 통하여 실리카 졸을 형성하고, 멜라민을 용매에 용해시켜 멜라민레진 용액을 형성하며, 실리카 졸과 멜라민레진 용액을 혼합할 수 있다. 이러한 하이브리드 젤에서는 유무기 성분 사이의 상분리가 일어나지 않고, 이를 이용하면 저유전상수를 갖고 기계적 특성이 우수한 유전막을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140020623A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020120087713
申请日：2012-08-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B33/141 , C01B33/157 , B01J6/00
CPC classification number: C01B33/141 , C01B33/159 , H01B3/025
Abstract: A production method of hybrid gel is disclosed. The production method of the hybrid gel comprises the following steps: producing silica sol by a sol-gel process using a Si precursor; dissolving melamine in a solvent to obtain a melamine resin solution; and mixing the silica sol with the melamine resin solution. The hybrid gel does not generate the phase separation between organic and inorganic components, can produce a dielectric layer having low dielectric constant and excellent mechanical properties.
Abstract translation: 公开了混合凝胶的制备方法。 混合凝胶的制备方法包括以下步骤：通过使用Si前体的溶胶 - 凝胶法制备二氧化硅溶胶; 将三聚氰胺溶解在溶剂中以获得三聚氰胺树脂溶液; 并将二氧化硅溶胶与三聚氰胺树脂溶液混合。 混合凝胶不会产生有机和无机组分之间的相分离，可以产生具有低介电常数和优异机械性能的介电层。
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公开(公告)号：KR1020120079389A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：KR1020110000639
申请日：2011-01-04
Applicant: 대한민국(농촌진흥청장) , 성균관대학교산학협력단 , 아주대학교산학협력단
IPC: C12N15/85 , C12N15/12 , A01K67/027 , C12Q1/70
Abstract: PURPOSE: A transgenic chicken and a method for producing the same are provided to ensure anti-viral ability and to be used as a model animal for preventing viral diseases. CONSTITUTION: A vector for transformation contains a promoter which is operable in birds and a 3D8 scFv gene which is operatively linked to the promoter. The promoter is a chicken beta-actin gene promoter. The 3D8 scFv gene further contains a reporter gene. The reporter gene is HA-tag. A method for producing a transgenic chicken comprises: a step of preparing the vector; a step of transducing the vector to chicken fertilized eggs; and a step of hatching the fertilized eggs.
Abstract translation: 目的：提供转基因鸡及其制备方法以确保抗病毒能力，并用作预防病毒性疾病的示范动物。 构成：用于转化的载体包含可在鸟类中操作的启动子和与启动子有效连接的3D8scFv基因。 启动子是鸡β-肌动蛋白基因启动子。 3D8 scFv基因还含有报告基因。 报告基因是HA标签。 一种生产转基因鸡的方法包括：制备载体的步骤; 将载体转导到鸡受精卵的步骤; 和孵化受精卵的步骤。
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公开(公告)号：KR100919763B1
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080012135
申请日：2008-02-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01J37/30 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/31155 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/28282
Abstract: 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 낮은 에너지로 산화막 표면을 반복 처리해줌으로써 산화막의 전기적 손상을 최소화하면서 박막 특성을 향상시킬 수 있는 중성빔을 이용하여 기판의 특성향상을 위한 중성빔 표면 조성 혼입(incorporation)장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 발생 챔버 내에 장착되고, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온 소스부, 상기 이온 소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고, 상기 피처리 기판에서 산화막 형성과 중성빔 처리를 반복적으로 실행하여 상기 산화막의 특성을 개질하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 중성빔을 이용한 기판의 표면조성 혼입 장치 및 방법을 이용하는 것에 의해, 기존의 MOSFET 뿐 아니라, SONOS, TANOS 등과 같은 차세대 반도체 소자의 산화막 특성 향상에 전반적으로 사용할 수 있는 장비 및 공정 기술을 향상시킬 수 있다.
이온, 소스, 중성빔, 개질-
公开(公告)号：KR100988390B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020080012330
申请日：2008-02-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/3141 , C23C16/44 , C23C16/45536 , H01J2237/0041 , H01J2237/08 , H01J2237/3142 , H01L21/31604
Abstract: 본 발명은 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 이용하여, ALD 또는 ALD-LIKE-CVD 공정에서 평탄막 또는 트랜치 사이를 채우는 산화막을 심(Seam) 또는 보이드(Void) 없이 고르게 증착시켜 균일성 및 밀도를 높일 수 있으며, 이에 따라 ALD 및 ALD - LIKE CVD 장치에 따른 산화막을 실시간으로 처리함으로써, 고밀도의 평탄막 또는 65nm 이하의 얕은 트랜치(Shallow Trench) 형성에 따른 보이드(Void), 심(Seam) 문제 또는 저밀도 문제를 해결할 수 있고, 차세대 반도체 산화막 분리 공정을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다.
그 기술적 구성은 반도체 기판 내 패턴을 형성하기 위하여, 산화막을 증착시키는 ALCVD 장치와 상기 패턴 간에 증착되는 산화막의 심(Seam) 또는 보이드(Void)를 제거하기 위하여, 이온빔을 중성빔으로 변환하고, 상기 중성빔을 상기 패턴을 위해 증착되는 산화막에 조사하여 표면처리하는 중성빔 발생부를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
이온, 소스, 중성빔, 갭-필, ALD, CVD, 산화막, 반도체, 트랜치Abstract translation: 使用由所述中性束发生装置产生的中性束，由氧化物均匀地沉积本发明的平膜或在ALD或ALD-LIKE-CVD过程中没有接缝（接缝）的沟槽或空隙（空隙）的均匀性和之间填 可以增加密度，使ALD和ALD - 通过处理按照实时LIKE CVD装置的氧化膜的，根据平膜或65纳米或更小的高密度的（浅沟槽）形成的空隙（空隙），芯的浅沟槽（接缝） 并且提供能够解决问题或低密度问题并且能够改善下一代半导体氧化物膜分离工艺的衬底处理设备和衬底处理方法。
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