그라핀을 이용하는 태양 전지 및 이의 제조 방법
    3.
    发明授权
    그라핀을 이용하는 태양 전지 및 이의 제조 방법 有权
    使用石墨的太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101059072B1

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:KR1020100066149

    申请日:2010-07-09

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: A solar cell using graphene and a manufacturing method thereof are provided to easily manufacture a solar cell with a predetermined open circuit voltage by controlling the number of graphene unit layers. CONSTITUTION: A solar cell(100) comprises an anode electrode(110), a cathode electrode(140), a graphene layer(130), a semiconductor layer(120), and a photo reactive layer. The cathode electrode is arranged by being separated with the anode electrode. The graphene layer and the semiconductor layer are arranged between the anode electrode and the cathode electrode. The photo reactive layer generates electronics or a hole in response to entered light while being located in the interface of the semiconductor layer and the graphene layer. The graphene layer includes one or more graphene unit layers. The number of graphene unit layers, which constitutes the graphene layer, is controlled based on work function difference between the semiconductor layer and the graphene layer.

    Abstract translation: 目的:提供使用石墨烯的太阳能电池及其制造方法,通过控制石墨烯单元层的数量容易地制造具有规定的开路电压的太阳能电池。 构成:太阳能电池(100)包括阳极电极(110),阴极电极(140),石墨烯层(130),半导体层(120)和光反应层。 阴极通过与阳极电极分离而布置。 石墨烯层和半导体层布置在阳极和阴极之间。 光反应层在位于半导体层和石墨烯层的界面中时响应于入射光产生电子学或孔。 石墨烯层包括一个或多个石墨烯单元层。 构成石墨烯层的石墨烯单元层的数量是基于半导体层和石墨烯层之间的功函数差来控制的。

    기판처리장치 및 기판처리방법
    4.
    发明授权
    기판처리장치 및 기판처리방법 失效
    基板处理装置及基板处理方法

    公开(公告)号:KR100988390B1

    公开(公告)日:2010-10-18

    申请号:KR1020080012330

    申请日:2008-02-11

    Abstract: 본 발명은 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 이용하여, ALD 또는 ALD-LIKE-CVD 공정에서 평탄막 또는 트랜치 사이를 채우는 산화막을 심(Seam) 또는 보이드(Void) 없이 고르게 증착시켜 균일성 및 밀도를 높일 수 있으며, 이에 따라 ALD 및 ALD - LIKE CVD 장치에 따른 산화막을 실시간으로 처리함으로써, 고밀도의 평탄막 또는 65nm 이하의 얕은 트랜치(Shallow Trench) 형성에 따른 보이드(Void), 심(Seam) 문제 또는 저밀도 문제를 해결할 수 있고, 차세대 반도체 산화막 분리 공정을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다.
    그 기술적 구성은 반도체 기판 내 패턴을 형성하기 위하여, 산화막을 증착시키는 ALCVD 장치와 상기 패턴 간에 증착되는 산화막의 심(Seam) 또는 보이드(Void)를 제거하기 위하여, 이온빔을 중성빔으로 변환하고, 상기 중성빔을 상기 패턴을 위해 증착되는 산화막에 조사하여 표면처리하는 중성빔 발생부를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
    이온, 소스, 중성빔, 갭-필, ALD, CVD, 산화막, 반도체, 트랜치

    Abstract translation: 使用由所述中性束发生装置产生的中性束,由氧化物均匀地沉积本发明的平膜或在ALD或ALD-LIKE-CVD过程中没有接缝(接缝)的沟槽或空隙(空隙)的均匀性和之间填 可以增加密度,使ALD和ALD - 通过处理按照实时LIKE CVD装置的氧化膜的,根据平膜或65纳米或更小的高密度的(浅沟槽)形成的空隙(空隙),芯的浅沟槽(接缝) 并且提供能够解决问题或低密度问题并且能够改善下一代半导体氧化物膜分离工艺的衬底处理设备和衬底处理方法。

    유기물 보호층을 이용한 전면발광 유기 전계 발광 표시소자및 그 제조방법
    5.
    发明授权
    유기물 보호층을 이용한 전면발광 유기 전계 발광 표시소자및 그 제조방법 有权
    使用保护有机层的层的发光有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR100775509B1

    公开(公告)日:2007-11-15

    申请号:KR1020060087073

    申请日:2006-09-08

    Abstract: A top emission organic light emitting display device using an organic protection layer and a method for manufacturing the same are provided to implement an efficient electronic injection by having a barium having a low work function of 2.7eV as a transparent protection layer. A top emission organic light emitting display device using layers protecting organic layers includes an organic protection layer(100). The organic light emitting display device of an active type and a passive type is composed of a transparent conducting electrode. When the transparent conducting electrode is manufactured, the organic protection layer prevents a damage of an organic material which is located on a lower layer from a generated energy. The organic protection layer is manufactured by forming at least one or two layers sequentially. A single layer or a plurality of layers are doped on at least one layer with metal or non-metal.

    Abstract translation: 提供了使用有机保护层的顶部发射有机发光显示装置及其制造方法,通过具有作为透明保护层的2.7eV的低功函的钡来实现有效的电子注入。 使用保护有机层的层的顶部发射有机发光显示装置包括有机保护层(100)。 有源类型和无源型的有机发光显示装置由透明导电电极组成。 当制造透明导电电极时,有机保护层可防止位于下层的有机材料受到发生的能量的损害。 通过依次形成至少一层或两层来制造有机保护层。 在金属或非金属的至少一层上掺杂单层或多层。

    기판처리장치 및 기판처리방법
    7.
    发明公开
    기판처리장치 및 기판처리방법 失效
    中性束辅助原子层化学蒸气沉积装置及使用其处理基板的方法

    公开(公告)号:KR1020090086841A

    公开(公告)日:2009-08-14

    申请号:KR1020080012330

    申请日:2008-02-11

    Abstract: A neutral beam-assisted ALCVD(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition) system and a substrate processing method using the same are provided to improve the density of a planarized film and to prevent non-uniform deposition in the process of filling in a gap of shallow trench with an oxide film. A neutral beam-assisted ALCVD system comprises an ALCVD apparatus and a neutral beam generating unit. The ALCVD apparatus deposits an oxide film in order to form a planarized film or pattern in a semiconductor substrate. The neutral beam generating unit changes ion beam to neutral beam and irradiates the neutral beam onto the oxide film in order to increase the density of the planarized film remove seam or void of the oxide film deposited between the patterns. The deposition of the oxide film and the irradiation of the neutral beam are performed at the same time.

    Abstract translation: 提供中性束辅助的ALCVD(原子层化学气相沉积)系统和使用其的衬底处理方法以改善平坦化膜的密度并防止在填充浅沟槽的间隙的过程中的不均匀沉积 与氧化膜。 中性束辅助ALCVD系统包括ALCVD装置和中性束发生单元。 ALCVD装置沉积氧化物膜以在半导体衬底中形成平坦化的膜或图案。 中性光束产生单元将离子束改变为中性光束并将中性光束照射到氧化膜上,以便增加平坦化膜的密度去除接缝或沉积在图案之间的氧化膜的空隙。 氧化膜的沉积和中性光束的照射同时进行。

    대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법
    9.
    发明授权
    대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 有权
    使用大气压力等级的基板的双模式方法

    公开(公告)号:KR101151277B1

    公开(公告)日:2012-06-14

    申请号:KR1020090117590

    申请日:2009-12-01

    Abstract: 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법이 개시(disclose)된다. 보다 구체적으로 본 개시는 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정, 상기 기판을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 소정거리만큼 이송하여 위치하게 하는 과정 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 친수성 표면처리를 하는 과정을 포함하여 상기 기판이 소수성 패턴과 친수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법을 제공한다.

    대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법
    10.
    发明公开
    대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 有权
    使用大气压力等级的基板的双模式方法

    公开(公告)号:KR1020110061062A

    公开(公告)日:2011-06-09

    申请号:KR1020090117590

    申请日:2009-12-01

    CPC classification number: H01L21/306

    Abstract: PURPOSE: A dual patterning method of a substrate using atmospheric pressure plasma is provided to simultaneously form a hydrophobic pattern and a hydrophilic pattern on the substrate below several micro meters by selectively discharging atmospheric plasma. CONSTITUTION: A substrate is provided to an atmospheric pressure plasma device including a first electrode and a second electrode(S100). A hydrophobic pattern is formed on the substrate by discharging the atmospheric pressure plasma between the first electrode and the second electrode(S110). The substrate is transferred between the first electrode and the second electrode(S120). A hydrophilic pattern is formed on the substrate by discharging atmospheric pressure plasma between the first electrode and the second electrode(S130).

    Abstract translation: 目的:提供使用大气压等离子体的基板的双重图案化方法,通过选择性地排放大气等离子体,同时在几微米以下的基板上形成疏水图案和亲水图案。 构成:向包括第一电极和第二电极的大气压等离子体装置提供衬底(S100)。 通过在第一电极和第二电极之间排出大气压等离子体,在衬底上形成疏水性图案(S110)。 衬底在第一电极和第二电极之间转移(S120)。 通过在第一电极和第二电极之间排放大气压等离子体,在衬底上形成亲水图案(S130)。

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