公开(公告)号：WO2022260332A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/KR2022/007683

申请日：2022-05-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박남규 ,  김슬기

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/00

Abstract: 본원은 투명 전도성 기판; 상기 투명 전도성 기판 상에 형성된 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상에 형성된 페로브스카이트 광흡수층; 상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 형성된 정공 전달층; 및 상기 정공 전달층 상에 형성된 전극; 을 포함하고, 상기 정공 전달층은 금속-TFSI 염을 포함하는 것인, 페로브스카이트 광전소자에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2015093699A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/KR2014/004941

申请日：2014-06-03

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  주식회사 에프에스티 ,  삼성전자 주식회사

Inventor： 유지범 ,  김슬기 ,  김문자 ,  장명식 ,  유장동 ,  조상진

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62

Abstract: 본원은 흑연-함유 박막을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于极紫外光刻的防护薄膜，包括含石墨的薄膜。

公开(公告)号：KR102099235B1

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：KR1020180164897

申请日：2018-12-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박남규 ,  최은석 ,  김슬기

IPC: H01L45/00

公开(公告)号：KR102254103B1

公开(公告)日：2021-05-20

申请号：KR1020150002170

申请日：2015-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김문자 ,  유지범 ,  김수영 ,  김태성 ,  신동욱 ,  전환철 ,  김슬기

IPC: G03F1/62 ,  C23C16/26

Abstract: 기판상에그라파이트층을형성하고, 상기그라파이트층 상에지지층을형성하고, 상기기판을제거하고, 상기그라파이트층 및상기지지층의스택을프레임상에전사하고, 및상기지지층을제거하는것을포함하는펠리클제조하는방법이설명된다.

公开(公告)号：KR101600397B1

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020140041855

申请日：2014-04-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 유지범 ,  김슬기

IPC: C01B31/04

Abstract: 본원은흑연박막, 상기흑연박막의제조방법, 및상기흑연박막을포함하는펠리클에관한것이다.

公开(公告)号：KR101552940B1

公开(公告)日：2015-09-14

申请号：KR1020130157275

申请日：2013-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단 ,  주식회사 에프에스티

Inventor： 김문자 ,  김슬기 ,  유지범 ,  조상진 ,  유장동 ,  장명식

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62

Abstract: 본원은흑연-함유박막을포함하는극자외선리소그래피용펠리클막에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150076508A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020130164781

申请日：2013-12-27

Applicant: 한국수자원공사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 배상식 ,  이상철 ,  이경혁 ,  유지범 ,  강길선 ,  이정훈 ,  김슬기 ,  윤제용

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D67/00

CPC classification number: B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D71/021

Abstract: 본발명은다공성멤브레인을제조하는방법에있어서, 상기멤브레인에원자층증착법을이용하여친수성산화막층을형성하는단계와상기친수성산화막층의외측에원자층증착법을통하여소수성박막층을형성하는단계를통해상기멤브레인의기공을제어하는것을특징으로하는다공성멤브레인과이의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 多孔膜及其制造方法技术领域本发明涉及一种多孔膜的制造方法，其特征在于，所述多孔膜的制造方法，其特征在于，所述多孔膜的制造方法，其特征在于，通过以下工序来控制所述膜的孔。 层沉积法; 并通过原子层沉积法在亲水氧化膜层的外侧形成疏水性薄膜层。

公开(公告)号：KR1020160085146A

公开(公告)日：2016-07-15

申请号：KR1020150002170

申请日：2015-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김문자 ,  유지범 ,  김수영 ,  김태성 ,  신동욱 ,  전환철 ,  김슬기

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/62 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: G03F1/62 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/205

Abstract: 기판상에그라파이트층을형성하고, 상기그라파이트층 상에지지층을형성하고, 상기기판을제거하고, 상기그라파이트층 및상기지지층의스택을프레임상에전사하고, 및상기지지층을제거하는것을포함하는펠리클제조하는방법이설명된다.

Abstract translation: 说明的是制造防护薄膜组件的方法，其包括以下步骤：在基板上形成石墨层; 在石墨层上形成支撑层; 消除基板; 将一层石墨层和支撑层转移到框架上; 并消除支撑层。 因此，该方法可以防止或减少由于静电颗粒导致的防护薄膜组件的污染，缺陷或损坏。

公开(公告)号：KR101572105B1

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：KR1020130164781

申请日：2013-12-27

Applicant: 한국수자원공사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 배상식 ,  이상철 ,  이경혁 ,  유지범 ,  강길선 ,  이정훈 ,  김슬기 ,  윤제용

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D67/00

Abstract: 본발명은다공성멤브레인을제조하는방법에있어서, 상기멤브레인에원자층증착법을이용하여친수성산화막층을형성하는단계와상기친수성산화막층의외측에원자층증착법을통하여소수성박막층을형성하는단계를통해상기멤브레인의기공을제어하는것을특징으로하는다공성멤브레인과이의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150116668A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：KR1020140041855

申请日：2014-04-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 유지범 ,  김슬기

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B32/215

Abstract: 본원은흑연박막, 상기흑연박막의제조방법, 및상기흑연박막을포함하는펠리클에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及石墨薄膜，石墨薄膜的制备方法以及包含石墨薄膜的薄膜。 制备石墨薄膜的方法包括以下步骤：形成碳 - 过饱和催化剂层; 快速冷却碳过饱和催化层; 并在催化层上生长石墨薄膜。