公开(公告)号：KR101923649B1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：KR1020170018125

申请日：2017-02-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  안철현 ,  김예균 ,  강원준 ,  김영훈

IPC: H01L21/02 ,  H01B3/10 ,  H01L21/324

Abstract: 산화물반도체를형성하는단계; 상기산화물반도체가형성된기판을진공분위기하에서저온처리하는단계; 상기진공분위기상태에수분을주입하는단계;를포함하고, 상기진공분위기하에서저온처리하는단계및 상기수분을주입하는단계를반복적으로수행하는것을포함하는, 산화물반도체박막의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020180092448A

公开(公告)日：2018-08-20

申请号：KR1020170018125

申请日：2017-02-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  안철현 ,  김예균 ,  강원준 ,  김영훈

IPC: H01L21/02 ,  H01B3/10 ,  H01L21/324

Abstract: 산화물반도체를형성하는단계; 상기산화물반도체가형성된기판을진공분위기하에서저온처리하는단계; 상기진공분위기상태에수분을주입하는단계;를포함하고, 상기진공분위기하에서저온처리하는단계및 상기수분을주입하는단계를반복적으로수행하는것을포함하는, 산화물반도체박막의제조방법에관한것이다.