솔더가 코팅된 전해 도금 범프 및 이를 사용하는 플립칩접합 방법
    1.
    发明授权
    솔더가 코팅된 전해 도금 범프 및 이를 사용하는 플립칩접합 방법 失效
    镀锡的凸起涂覆锡和倒装芯片粘合方法使用它们

    公开(公告)号:KR100896127B1

    公开(公告)日:2009-05-07

    申请号:KR1020070072652

    申请日:2007-07-20

    Abstract: 본 발명은 도금된 범프가 사용된 칩과 기판의 접합 성능을 개선시키기 위하여 칩, 기판 또는 칩과 기판 양측에 소정 두께 이하의 칩 또는 기판 접속용 솔더가 코팅된 범프를 형성하는 방법과, 상기와 같은 범프가 형성된 칩 또는 기판을 열 압착 방식으로 접합하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 상부 기판 또는 하부 기판 또는 상부 기판과 하부 기판 모두의 범프 상에 0.5 ㎛ 두께 이하의 주석 또는 주석합금 솔더를 코팅하여 솔더와 범프를 복합구조로 형성시킨 후, 천이 액상 확산 접합법을 사용하여 새로운 설비 투자 없이 기존의 접합 장치로도 고신뢰성 범프 간 직접 접합이 가능한 접합 방법을 제공한다.
    플립칩, 범프, 솔더, 주석, 금속간 화합물, 천이 액상 확산 접합

    Abstract translation: 提供其中涂覆焊料的电镀凸块和使用其的倒装芯片接合方法,通过使用液体扩散接合方法直接接合凸块,从而降低制造成本并提高接合强度和信号传输能力。 导电薄膜(18)形成在基板(10)上。 除了形成凸点(14)的位置之外,在导电薄膜的上部形成光致抗蚀剂或干膜。 通过使用电镀或化学镀或溅射或蒸发,在导电薄膜上形成凸块。 通过使用电镀或无电镀或溅射或蒸发在凸块上形成小于0.5微米的焊料。 光致抗蚀剂或干膜的高度大于凸点的高度。 焊料由锡或锡合金制成,其熔点为450℃以下。

    솔더가 코팅된 전해 도금 범프 및 이를 사용하는 플립칩접합 방법
    2.
    发明公开
    솔더가 코팅된 전해 도금 범프 및 이를 사용하는 플립칩접합 방법 失效
    使用它们的镀锌和片状切片粘合方法

    公开(公告)号:KR1020090009414A

    公开(公告)日:2009-01-23

    申请号:KR1020070072652

    申请日:2007-07-20

    Abstract: An electroplating bump in which solder is coated and a flip chip bonding method using the same are provided to directly bond bumps by using a liquid diffusion bonding method, thereby reducing a manufacturing cost and improving bonding strength and signal transmission capability. A conductive thin film(18) is formed on a substrate(10). A photoresist or a dry film is formed at an upper part of the conductive thin film as excluding a location in which a bump(14) will be formed. By using electroplating or electroless plating or sputtering or evaporation, the bump is formed on the conductive thin film. A solder less than 0.5 micro meter is formed on the bump by using the electroplating or electroless plating or sputtering or the evaporation. The height of the photoresist or dry film is greater than the height of the bump. The solder is made of tin or tin alloy in which a melting point is 450°C or less.

    Abstract translation: 提供其中涂覆焊料的电镀凸块和使用其的倒装芯片接合方法,通过使用液体扩散接合方法直接接合凸块,从而降低制造成本并提高接合强度和信号传输能力。 导电薄膜(18)形成在基板(10)上。 除了形成凸点(14)的位置之外,在导电薄膜的上部形成光致抗蚀剂或干膜。 通过使用电镀或化学镀或溅射或蒸发,在导电薄膜上形成凸块。 通过使用电镀或无电镀或溅射或蒸发在凸块上形成小于0.5微米的焊料。 光致抗蚀剂或干膜的高度大于凸点的高度。 焊料由锡或锡合金制成,其熔点为450℃以下。

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