公开(公告)号：KR102226901B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020140064010A

申请日：2014-05-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이기문 ,  김은성 ,  김성웅 ,  손윤철 ,  박희정 ,  최재영 ,  한인택

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C14/28 ,  C01B19/007 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0623 ,  H01B1/06

Abstract: Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 원료를 얻는 단계;
Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 형성을 위한 표면을 가진 결정성 재료를 얻는 단계; 및
상기 원료로부터 상기 결정성 재료의 상기 표면 상에 Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막을 형성하는 단계를 포함한 Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 제조 방법이 제공되며, 이 때, 상기 결정성 재료는 구성하는 원자들의 규칙적 배열을 포함하는 결정 구조를 가지고, 상기 규칙적 배열 내에 규칙적으로 반복하는 임의의 다각형 또는 다면체가 그려질 수 있으며, Hf
3 Te
2 의 격자 상수에 대한, 상기 다각형 또는 다면체의 한 변의 길이와 상기 격자 상수 간의 최소 차이의 비율이 5% 이하이다.

公开(公告)号：KR102226901B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020140064010

申请日：2014-05-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이기문 ,  김은성 ,  김성웅 ,  손윤철 ,  박희정 ,  최재영 ,  한인택

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C01B19/00 ,  H01B1/06

Abstract: Hf3Te2 를포함하는박막의원료를얻는단계; Hf3Te2 를포함하는박막의형성을위한표면을가진결정성재료를얻는단계; 및상기원료로부터상기결정성재료의상기표면상에 Hf3Te2 를포함하는박막을형성하는단계를포함한 Hf3Te2 를포함하는박막의제조방법이제공되며, 이때, 상기결정성재료는구성하는원자들의규칙적배열을포함하는결정구조를가지고, 상기규칙적배열내에규칙적으로반복하는임의의다각형또는다면체가그려질수 있으며, Hf3Te2 의격자상수에대한, 상기다각형또는다면체의한 변의길이와상기격자상수간의최소차이의비율이 5% 이하이다.

公开(公告)号：KR101956278B1

公开(公告)日：2019-03-11

申请号：KR1020110147414

申请日：2011-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최재영 ,  백승현 ,  홍승현 ,  김원영 ,  김은성 ,  이영희

IPC: H01L41/02 ,  B32B9/00 ,  H01L41/22

公开(公告)号：KR1020170039450A

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：KR1020150138612

申请日：2015-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  김은성 ,  황재열 ,  박성준 ,  신현진

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  H01L35/02 ,  H01L35/18 ,  H01L35/12

CPC classification number: H01L35/16 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L35/10 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 열전구조체, 열전소자및 그제조방법이개시된다. 개시된열전구조체의제조방법은산화물기판상에타겟으로부터분리된물질이증착되는과정에서, 산화텔루륨을포함하는버퍼층이상기산화물기판과박막구조물사이에형성되는것을특징으로한다.

Abstract translation: 公开了一种热电元件，一种热电元件及其制造方法。 所公开的方法的特征在于，在氧化物衬底上沉积与靶分离的材料的过程中，在薄膜结构与包含氧化碲的缓冲层之间形成缓冲层。

公开(公告)号：KR1020150136431A

公开(公告)日：2015-12-07

申请号：KR1020140064010

申请日：2014-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이기문 ,  김은성 ,  김성웅 ,  손윤철 ,  박희정 ,  최재영 ,  한인택

IPC: C23C14/06 ,  C23C16/30 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C14/28 ,  C01B19/007 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0623 ,  H01B1/06

Abstract: HfTe를포함하는박막의원료를얻는단계; HfTe를포함하는박막의형성을위한표면을가진결정성재료를얻는단계; 및상기원료로부터상기결정성재료의상기표면상에 HfTe를포함하는박막을형성하는단계를포함한 HfTe를포함하는박막의제조방법이제공되며, 이때, 상기결정성재료는구성하는원자들의규칙적배열을포함하는결정구조를가지고, 상기규칙적배열내에규칙적으로반복하는임의의다각형또는다면체가그려질수 있으며, HfTe의격자상수에대한, 상기다각형또는다면체의한 변의길이와상기격자상수간의최소차이의비율이 5% 이하이다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造含有Hf_3Te_2的薄膜的方法，包括：获得含有Hf_3Te_2的薄膜的原料的步骤; 获得具有表面以形成包含Hf_3Te_2的薄膜的结晶材料的步骤; 以及从原料在结晶材料的表面上形成含有Hf_3Te_2的薄膜的工序。 在这段时间内，结晶材料具有包括组成原子的规则排列的晶体结构，在正被排列的规则排列中规则地重复的随机多边形或多面体以及多边形的一侧的长度之间的最小差的比率 多面体和相对于Hf_3Te_2的晶格常数的晶格常数为5％以下。

公开(公告)号：KR1020130078454A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：KR1020110147414

申请日：2011-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최재영 ,  백승현 ,  홍승현 ,  김원영 ,  김은성 ,  이영희

IPC: H01L41/02 ,  B32B9/00 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01B32/184 ,  H01L35/16 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  Y02P20/133

Abstract: PURPOSE: A heterogeneous laminate including graphene, a thermoelectric material, a thermoelectric module, and a thermoelectric apparatus including the same are provided to increase a seebeck effect by using the temperature difference of a current. CONSTITUTION: A composite lamination includes graphene (1). The composite lamination includes a thermoelectric inorganic material (2). The graphene has two to a hundred layers. The graphene has a lamination structure. The graphene is formed by a physical or a chemical process.

Abstract translation: 目的：提供包括石墨烯，热电材料，热电模块和包括其的热电装置的异质层压板，以通过使用电流的温度差来增加塞贝克效应。 构成：复合层压包括石墨烯（1）。 复合层压包括热电无机材料（2）。 石墨烯有两到一百层。 石墨烯具有层压结构。 石墨烯是通过物理或化学过程形成的。