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公开(公告)号：KR102226901B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020140064010A
申请日：2014-05-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C23C14/28 , C01B19/007 , C23C14/024 , C23C14/0623 , H01B1/06
Abstract: Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 원료를 얻는 단계;
Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 형성을 위한 표면을 가진 결정성 재료를 얻는 단계; 및
상기 원료로부터 상기 결정성 재료의 상기 표면 상에 Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막을 형성하는 단계를 포함한 Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 제조 방법이 제공되며, 이 때, 상기 결정성 재료는 구성하는 원자들의 규칙적 배열을 포함하는 결정 구조를 가지고, 상기 규칙적 배열 내에 규칙적으로 반복하는 임의의 다각형 또는 다면체가 그려질 수 있으며, Hf
3 Te
2 의 격자 상수에 대한, 상기 다각형 또는 다면체의 한 변의 길이와 상기 격자 상수 간의 최소 차이의 비율이 5% 이하이다.-
公开(公告)号：KR1020150136431A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：KR1020140064010
申请日：2014-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C23C14/28 , C01B19/007 , C23C14/024 , C23C14/0623 , H01B1/06
Abstract: HfTe를포함하는박막의원료를얻는단계; HfTe를포함하는박막의형성을위한표면을가진결정성재료를얻는단계; 및상기원료로부터상기결정성재료의상기표면상에 HfTe를포함하는박막을형성하는단계를포함한 HfTe를포함하는박막의제조방법이제공되며, 이때, 상기결정성재료는구성하는원자들의규칙적배열을포함하는결정구조를가지고, 상기규칙적배열내에규칙적으로반복하는임의의다각형또는다면체가그려질수 있으며, HfTe의격자상수에대한, 상기다각형또는다면체의한 변의길이와상기격자상수간의최소차이의비율이 5% 이하이다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造含有Hf_3Te_2的薄膜的方法，包括：获得含有Hf_3Te_2的薄膜的原料的步骤; 获得具有表面以形成包含Hf_3Te_2的薄膜的结晶材料的步骤; 以及从原料在结晶材料的表面上形成含有Hf_3Te_2的薄膜的工序。 在这段时间内，结晶材料具有包括组成原子的规则排列的晶体结构，在正被排列的规则排列中规则地重复的随机多边形或多面体以及多边形的一侧的长度之间的最小差的比率 多面体和相对于Hf_3Te_2的晶格常数的晶格常数为5％以下。
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公开(公告)号：KR102226901B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020140064010
申请日：2014-05-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: Hf3Te2 를포함하는박막의원료를얻는단계; Hf3Te2 를포함하는박막의형성을위한표면을가진결정성재료를얻는단계; 및상기원료로부터상기결정성재료의상기표면상에 Hf3Te2 를포함하는박막을형성하는단계를포함한 Hf3Te2 를포함하는박막의제조방법이제공되며, 이때, 상기결정성재료는구성하는원자들의규칙적배열을포함하는결정구조를가지고, 상기규칙적배열내에규칙적으로반복하는임의의다각형또는다면체가그려질수 있으며, Hf3Te2 의격자상수에대한, 상기다각형또는다면체의한 변의길이와상기격자상수간의최소차이의비율이 5% 이하이다.
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