Patent search ap:("성균관대학교산학협력단") AND inv:"김은화" Page 1

1.

发明授权
그래핀 양자점 생성 방법 有权

公开(公告)号：KR101787826B1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：KR1020150110565

申请日：2015-08-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김태성 , 진홍이 , 공타오 , 이창구 , 김은화 , 조유진

IPC: C09K11/65 , C01B31/04 , H05B33/14 , H01L33/50

Abstract: 본발명은그래핀양자점생성방법에관한것으로서, 본발명에따른그래핀양자점생성방법은그래핀옥사이드를수열처리(hydrothermal teatment)하여생성된그래핀하이드로겔(graphene hydrogel)을유기용매에넣어그래핀양자점(graphene quantum dots)을생성할수 있어서, 원심분리, 여과및 투석등과같은긴 시간이걸리는후처리공정없이그래핀양자점을생성시킬수 있다.

2.

发明公开
그래핀 양자점 생성 방법 有权
Title translation: 制备石墨量子的方法

公开(公告)号：KR1020170018129A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：KR1020150110565

申请日：2015-08-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김태성 , 진홍이 , 공타오 , 이창구 , 김은화 , 조유진

IPC: C09K11/65 , C01B31/04 , H05B33/14 , H01L33/50

Abstract: 본발명은그래핀양자점생성방법에관한것으로서, 본발명에따른그래핀양자점생성방법은그래핀옥사이드를수열처리(hydrothermal teatment)하여생성된그래핀하이드로겔(graphene hydrogel)을유기용매에넣어그래핀양자점(graphene quantum dots)을생성할수 있어서, 원심분리, 여과및 투석등과같은긴 시간이걸리는후처리공정없이그래핀양자점을생성시킬수 있다.

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