公开(公告)号：KR1020160141066A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：KR1020150074247

申请日：2015-05-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  권용현 ,  도현우

IPC: B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/44 ,  C07C391/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본발명은적층형전구체로스피노달상분리를발생시켜나노구조체를합성하는방법에관한것으로서, (a1) 기판상에물질 A를증착시켜제1층을형성시키는단계; (a2) 제1층상에물질 A 및물질 B의제1 화합물을증착시켜제2층을형성시키는단계; (a3) 제2층위에물질 B를추가증착시켜제3층을형성시키는단계; (a4) 제1층내지제3층으로이루어진적층형전구체에가열처리를하여제2층의제1 화합물이스피노달(spinodal) 상분리를통해물질 A와물질 B의고상제2화합물및 액상물질 A로상분리를시키는단계; 및 (a5) 제1층의물질 A를 (a4) 단계의액상화된물질 A를통해제2 화합물로확산시켜나노선형상으로성장시키는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명은적층형전구체구조를이용하여스피노달상분리를시켜나노구조체를합성하는효과가있다.

公开(公告)号：KR101738238B1

公开(公告)日：2017-05-22

申请号：KR1020150074247

申请日：2015-05-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  권용현 ,  도현우

IPC: B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/44 ,  C07C391/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본발명은적층형전구체로스피노달상분리를발생시켜나노구조체를합성하는방법에관한것으로서, (a1) 기판상에물질 A를증착시켜제1층을형성시키는단계; (a2) 제1층상에물질 A 및물질 B의제1 화합물을증착시켜제2층을형성시키는단계; (a3) 제2층위에물질 B를추가증착시켜제3층을형성시키는단계; (a4) 제1층내지제3층으로이루어진적층형전구체에가열처리를하여제2층의제1 화합물이스피노달(spinodal) 상분리를통해물질 A와물질 B의고상제2화합물및 액상물질 A로상분리를시키는단계; 및 (a5) 제1층의물질 A를 (a4) 단계의액상화된물질 A를통해제2 화합물로확산시켜나노선형상으로성장시키는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명은적층형전구체구조를이용하여스피노달상분리를시켜나노구조체를합성하는효과가있다.