公开(公告)号：KR101686802B1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：KR1020150033212

申请日：2015-03-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 한전건 ,  문룡 ,  이준석 ,  진수봉

IPC: C23C14/34

Abstract: 본발명은대향타겟식스퍼터링장치에관한것이다. 보다상세하게, 본발명의일 측면에따른대향타겟식스퍼터링장치는, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 1 스퍼터링부, 제 1 스퍼터링부의하부에배치되고, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 2 스퍼터링부, 및제 1 스터퍼링부의상부에형성된개구부를덮도록배치된덮개부를포함하되, 제 1 스퍼터링부의타겟면과제 2 스퍼터링부의타겟면의소스물질이상이한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及靶向型溅射装置。 更具体地说，根据本发明的一个方面，目标面对型溅射装置包括：具有围绕预定空间的目标表面的第一溅射单元和布置在目标表面的后表面上的磁场产生单元; 布置在第一溅射单元的底部上的第二溅射单元，其具有围绕预定空间的目标表面;以及磁场产生单元，布置在目标表面的后表面上; 以及覆盖单元，被布置成覆盖形成在第一溅射单元的上部上的开口，其中第一溅射单元的目标表面的源材料和第二溅射单元的目标表面不同。

公开(公告)号：KR1020160109204A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：KR1020150033212

申请日：2015-03-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 한전건 ,  문룡 ,  이준석 ,  진수봉

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3471

Abstract: 본발명은대향타겟식스퍼터링장치에관한것이다. 보다상세하게, 본발명의일 측면에따른대향타겟식스퍼터링장치는, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 1 스퍼터링부, 제 1 스퍼터링부의하부에배치되고, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 2 스퍼터링부, 및제 1 스터퍼링부의상부에형성된개구부를덮도록배치된덮개부를포함하되, 제 1 스퍼터링부의타겟면과제 2 스퍼터링부의타겟면의소스물질이상이한것이다.

Abstract translation: 反靶溅射设备技术领域本发明涉及一种反靶溅射设备。 更特别地，根据本发明的一个方面，对置靶型溅射设备，所述第一溅射单元，第一溅射的下部部分，包括包围所述预定区域设置在所述目标表面的后部和所述目标表面的磁场产生单元 布置，并包括：包围规定的空间在靶表面和所述第2部分溅射包括设置在所述靶的表面的后部的磁场产生单元，mitje 1上的盖的请求者水垢设置成覆盖形成于部件中的开口，所述第一 溅射部分的靶表面问题2以上是溅射部分靶表面的源材料。