公开(公告)号：WO2019103570A1

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：PCT/KR2018/014694

申请日：2018-11-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박철민 ,  안시현 ,  한상욱 ,  박수영

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 전하 선택 접합형(Carrier Selective Contact) 태양전지의 제작 공정 중, 터널링 특성을 갖는 아주 얇은 실리콘 산화막 성장 시 공정 조건의 최적화를 통해 산화막의 박막 내 전하의 극성(Positive, Negative)을 제어할 수 있고, 이를 이용하여 전자 선택 접합층(Electron Selective Contact Layer, ESCL) 및 정공 선택 접합층(Hole Selective Contact Layer, HSCL)에서의 전하 수집율을 증가시켜 전하선택접합형 태양전지의 출력특성을 향상시킬 수 있는 기술이다.