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    패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법
    4.
    发明授权
    패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법 有权
    制造太阳能电池图案的玻璃基板的方法及其使用的太阳能电池的方法

    公开(公告)号：KR101506116B1

    公开(公告)日：2015-03-26

    申请号：KR1020140062175

    申请日：2014-05-23

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 이준신 ,  박형식 ,  김선보 ,  안시현 ,  신종훈 ,  박진주 ,  이영석 ,  조재현 ,  김상호 ,  박철민 ,  정준희

    IPC: H01L31/046 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L21/027

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/046 ,  H01L21/027 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

    Abstract: 본 발명은 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법은, 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 마스크층을 증착하는 단계; 상기 마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 패턴이 형성된 마스크를 위치시키고 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 단계; 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하고, 상기 패터닝된 마스크층을 이용하여 유리 기판의 표면 부분을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池用图案化玻璃基板的制造方法及使用太阳能电池用图案化玻璃基板的太阳能电池的制造方法。 根据本发明实施例的制造用于太阳能电池的图案化玻璃基板的方法包括以下步骤：制备玻璃基板; 在玻璃基板上沉积掩模层; 在掩模层上涂覆光致抗蚀剂; 在光致抗蚀剂上定位具有图案的掩模并通过光刻工艺图案化光致抗蚀剂; 通过使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模来图案化掩模层; 通过使用图案化的掩模层蚀刻玻璃基板的表面，去除图案化的光致抗蚀剂并且在玻璃基板的表面上进行纹理化; 并去除掩模层。

    식각 용액 보호층을 이용한 선택적 에미터층을 형성하는 방법
    5.
    发明公开
    식각 용액 보호층을 이용한 선택적 에미터층을 형성하는 방법 无效
    选择性发射太阳能电池和使用酸溶液保护层的制造方法

    公开(公告)号：KR1020130113002A

    公开(公告)日：2013-10-15

    申请号：KR1020120035204

    申请日：2012-04-05

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 이준신 ,  박철민 ,  송규완 ,  김봉기 ,  유경열 ,  최재우

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a selective emitter layer using an etchant protecting layer is provided to prevent the selective emitter layer from being damaged by performing a wet-etching process. CONSTITUTION: A first conductive substrate is prepared (S10). A second conductive emitter layer is formed on the upper surface of the first conductive substrate (S20). An etchant protecting layer is patterned and deposited on the second conductive emitter layer (S30). The second conductive emitter layer is selectively wet-etched (S40). The etchant protecting layer is removed from the surface of the first conductive substrate (S50). [Reference numerals] (S10) Step where a first conductive substrate is prepared; (S20) Step where a second conductive emitter layer is formed on the upper surface of the first conductive substrate using an impurity with an opposite type of the first conductive substrate through an ion injection & diffusion process; (S30) Step where an etchant protecting layer is patterned and deposited on the second conductive emitter layer; (S40) Step where the second conductive emitter layer is selectively wet-etched with a wet etchant; (S50) Step where the etchant protecting layer is removed; (S60) Step where an anti-reflection layer is formed on the surface of the substrate; (S70) Step where electrodes are formed on the highly-doped emitter layer and the back of the substrate

    Abstract translation: 目的：提供一种使用蚀刻剂保护层形成选择性发射极层的方法，以防止通过执行湿蚀刻工艺来损害选择性发射极层。 构成：准备第一导电性基板（S10）。 在第一导电基板的上表面上形成第二导电发射极层（S20）。 蚀刻剂保护层被图案化并沉积在第二导电发射极层上（S30）。 第二导电发射极层被选择性地湿式蚀刻（S40）。 蚀刻剂保护层从第一导电基板的表面去除（S50）。 （附图标记）（S10）准备第一导电性基板的工序; （S20）通过离子注入和扩散处理使用具有相反类型的第一导电衬底的杂质在第一导电衬底的上表面上形成第二导电发射极层的步骤; （S30）将蚀刻剂保护层图案化并沉积在第二导电发射极层上的步骤; （S40）第二导电发射极层用湿蚀刻剂选择性湿蚀刻的步骤; （S50）去除蚀刻剂保护层的步骤; （S60）在基板的表面上形成防反射层的步骤; （S70）在高掺杂发射极层和衬底的背面上形成电极的步骤

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