公开(公告)号：KR1020110020618A

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020090078324

申请日：2009-08-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  윤기찬 ,  박승만

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

Abstract: 본 발명은 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법은, 기판 위에 상이한 감도 파장 대역을 갖는 태양전지층이 적층된 적층형 태양전의 제조방법에 있어서, nip구조 또는 pin구조의 박막 실리콘태양전지층을 형성하는 단계; 상기 박막 실리콘태양전지 위에 유기 태양전지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막 실리콘태양전지를 형성하는 단계에서, p형 층을 형성하는 방법이 N
2 O를 주입하여 p형의 비정질 수소화 SiO
x 박막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, N
2 O가스를 사용하여 증착한 비정질 SiOx막을 포함하는 실리콘 태양전지를 유기 태양전지의 앞에 위치시킴으로써, 유기 태양전지에 비하여 단파장영역의 빛을 이용하는 무기 태양전지층을 추가하여 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
태양전지, 적층형, 탠덤형, 폴리머 태양전지, 유무기 복합 태양전지

公开(公告)号：KR101018319B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020090078324

申请日：2009-08-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  윤기찬 ,  박승만

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic-inorganic hybrid laminated solar cell is provided to locate a silicon solar cell with a deposited amorphous SiOx film using an N2O gas in front of an organic solar cell, thereby increasing conversion efficiency of the solar cell by adding an inorganic solar cell layer using light of a short wavelength range. CONSTITUTION: An upper transparent electrode layer(210) is formed on a transparent glass substrate(100). A p-type semiconductor layer(220) is formed on the upper transparent electrode layer. An i type semiconductor layer(230) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type semiconductor layer(240) is formed on the i type semiconductor layer. A middle electrode layer(250) is formed on the n-type semiconductor layer. A silicon solar cell layer(200) is formed on the middle electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供一种制造有机 - 无机混合层压太阳能电池的方法，以在有机太阳能电池前面使用N2O气体来定位具有沉积的非晶SiO x膜的硅太阳能电池，从而通过加入太阳能电池的转换效率来提高太阳能电池的转换效率 使用短波长范围的光的无机太阳能电池层。 构成：在透明玻璃基板（100）上形成上部透明电极层（210）。 在上部透明电极层上形成p型半导体层（220）。 在p型半导体层上形成i型半导体层（230）。 在i型半导体层上形成n型半导体层（240）。 中间电极层（250）形成在n型半导体层上。 在中间电极层上形成硅太阳能电池层（200）。