公开(公告)号：KR1020100117539A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：KR1020100038143

申请日：2010-04-23

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  이영석 ,  윤기찬 ,  이선화

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/075 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A thin film type solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of a thin film type solar battery by applying a material with a high band gap to a p-type semiconductor layer. CONSTITUTION: A front side anti-reflective layer(20) is formed on a glass substrate(10). A p-type semiconductor layer(30) is formed on the front side anti-reflective layer. An i-type semiconductor layer(40) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type semiconductor layer(50) is formed on the i-type semiconductor layer. A backside reflection layer(60) is formed on the n-type semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，以通过向p型半导体层施加具有高带隙的材料来提高薄膜型太阳能电池的效率。 构成：在玻璃基板（10）上形成有前侧防反射层（20）。 在前侧防反射层上形成p型半导体层（30）。 在p型半导体层上形成i型半导体层（40）。 在i型半导体层上形成n型半导体层（50）。 在n型半导体层上形成有背面反射层（60）。

公开(公告)号：KR101062668B1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：KR1020090017162

申请日：2009-02-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김성철 ,  이영석 ,  김영국 ,  윤기찬

IPC: H01L21/268

Abstract: 본 발명은 실리콘에 도펀트를 도핑하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 레이저와 흡수층을 이용한 도핑 방법은, 결정질 실리콘 기판에 비정질 실리콘-도펀트층을 증착하는 제1단계; 상기 비정질 실리콘-도펀트 막 위에 흡수층을 형성하는 제2단계; 및 상기 흡수층 위에서 레이저를 조사하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 흡수층을 증착한 뒤에 레이저 가공을 함으로써, 유지비가 낮고 효율이 뛰어난 광섬유레이저를 사용할 수 있고, 흡수층의 온도 상승으로 인해 에너지 효율이 높아 레이저의 출력 조절이 용이하며, 도핑을 위한 공정이 간단해지는 효과가 있다.
도핑, 태양전지, 후면 통합형 태양전지, 레이저, 광섬유레이저

公开(公告)号：KR101018319B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020090078324

申请日：2009-08-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  윤기찬 ,  박승만

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic-inorganic hybrid laminated solar cell is provided to locate a silicon solar cell with a deposited amorphous SiOx film using an N2O gas in front of an organic solar cell, thereby increasing conversion efficiency of the solar cell by adding an inorganic solar cell layer using light of a short wavelength range. CONSTITUTION: An upper transparent electrode layer(210) is formed on a transparent glass substrate(100). A p-type semiconductor layer(220) is formed on the upper transparent electrode layer. An i type semiconductor layer(230) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type semiconductor layer(240) is formed on the i type semiconductor layer. A middle electrode layer(250) is formed on the n-type semiconductor layer. A silicon solar cell layer(200) is formed on the middle electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供一种制造有机 - 无机混合层压太阳能电池的方法，以在有机太阳能电池前面使用N2O气体来定位具有沉积的非晶SiO x膜的硅太阳能电池，从而通过加入太阳能电池的转换效率来提高太阳能电池的转换效率 使用短波长范围的光的无机太阳能电池层。 构成：在透明玻璃基板（100）上形成上部透明电极层（210）。 在上部透明电极层上形成p型半导体层（220）。 在p型半导体层上形成i型半导体层（230）。 在i型半导体层上形成n型半导体层（240）。 中间电极层（250）形成在n型半导体层上。 在中间电极层上形成硅太阳能电池层（200）。

公开(公告)号：KR1020110020618A

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020090078324

申请日：2009-08-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  윤기찬 ,  박승만

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

Abstract: 본 발명은 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법은, 기판 위에 상이한 감도 파장 대역을 갖는 태양전지층이 적층된 적층형 태양전의 제조방법에 있어서, nip구조 또는 pin구조의 박막 실리콘태양전지층을 형성하는 단계; 상기 박막 실리콘태양전지 위에 유기 태양전지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막 실리콘태양전지를 형성하는 단계에서, p형 층을 형성하는 방법이 N
2 O를 주입하여 p형의 비정질 수소화 SiO
x 박막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, N
2 O가스를 사용하여 증착한 비정질 SiOx막을 포함하는 실리콘 태양전지를 유기 태양전지의 앞에 위치시킴으로써, 유기 태양전지에 비하여 단파장영역의 빛을 이용하는 무기 태양전지층을 추가하여 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
태양전지, 적층형, 탠덤형, 폴리머 태양전지, 유무기 복합 태양전지

公开(公告)号：KR101083402B1

公开(公告)日：2011-11-14

申请号：KR1020100038143

申请日：2010-04-23

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  이영석 ,  윤기찬 ,  이선화

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은박막형태양전지와그 제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는 p형반도체층에밴드갭이큰 물질을사용하여태양전지의효율을향상시킨박막형태양전지에관한것이다. 본발명에의한박막형태양전지는, i형반도체층; 상기 i형반도체층의일면에접하는 n형반도체층; 및상기 i형반도체층의타면에접하는 p형의비정질 SiO박막으로이루어진 p형반도체층을포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 밴드갭이큰 물질을태양광이입사하는 p형반도체층에적용함으로써박막형태양전지의효율이크게향상되는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020100098140A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090017162

申请日：2009-02-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김성철 ,  이영석 ,  김영국 ,  윤기찬

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/32155 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A method for doping using a laser and an absorption layer is provided to dope a dopant by using a method of controlling the energy output of an optic fiber laser through an absorption layer. CONSTITUTION: An amorphous silicon-dopant layer(200) is evaporated on a crystalline silicon substrate(100). An absorber(300) is formed on the amorphous silicon-dopant film. A laser(400) is projected on the absorber. The absorber is one of a micro crystalline poly-silicon and a polycrystalline silicon layer. The dopant of the amorphous - dopant film is one of a p-dopant including the boron or an n type dopant including the phosphorus.

Abstract translation: 目的：提供使用激光和吸收层进行掺杂的方法，以通过使用通过吸收层控制光纤激光器的能量输出的方法来掺杂掺杂剂。 构成：在晶体硅衬底（100）上蒸发非晶硅 - 掺杂剂层（200）。 在非晶硅 - 掺杂剂膜上形成吸收体（300）。 激光器（400）投射在吸收器上。 吸收体是微结晶多晶硅和多晶硅层之一。 非晶掺杂剂膜的掺杂剂是包括硼或包含磷的n型掺杂剂的p掺杂剂之一。