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公开(公告)号：KR1020140087549A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120157977
申请日：2012-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/26513 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L29/45
Abstract: The present invention relates to a method of repairing a defect in a junction region of a semiconductor device. A p-Ge layer grows on a substrate, and an n+ Ge region is formed on the p-Ge layer through ion implantation or in-situ doping is performed on the upper portion of the p-Ge layer to form the n+ Ge region or an oxide layer is deposited on the p-Ge layer, pattered, etched, and in-situ doped to form the n+ Ge region. After an oxide layer for capping is formed, heat treatment is performed thereon at a temperature of 600-700°C for 1 to 3 hours to deposit an electrode. A leakage current is minimized to improve characteristics of a semiconductor device by relatively reducing deep junction through the heat treatment. The method has advantages in that high integration and refinement of the semiconductor device are realized.
Abstract translation: 本发明涉及修复半导体器件的接合区域中的缺陷的方法。 p-Ge层在衬底上生长，并且通过离子注入在p-Ge层上形成n + Ge区，或者在p-Ge层的上部进行原位掺杂以形成n + Ge区或 氧化物层沉积在p-Ge层上，图案化，蚀刻和原位掺杂以形成n + Ge区域。 在形成用于封盖的氧化物层之后，在600-700℃的温度下对其进行1至3小时的热处理以沉积电极。 通过相对减少通过热处理的深度接合，使漏电流最小化以改善半导体器件的特性。 该方法具有实现半导体器件的高集成度和精细化的优点。
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公开(公告)号：KR101419533B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120157977
申请日：2012-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/26513 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L29/45
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020140019081A
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020120081874
申请日：2012-07-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H02S30/00 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , G02B1/113 , G02B1/12
CPC classification number: Y02E10/50 , H02S30/00 , G02B1/113 , G02B1/12 , H01L31/02168 , H01L31/02366
Abstract: Disclosed are an anti-reflective film, a manufacturing thereof and solar cell using the same. The anti-reflective film, the manufacturing thereof and the solar cell using the same can be manufactured by a simple progress with a surface texturing process from a distribution of nanoparticles and wet-etching nanoparticles through a sol-gel method.
Abstract translation: 公开了一种抗反射膜，其制造方法和使用其的太阳能电池。 抗反射膜及其制造以及使用该防反射膜的太阳能电池可以通过使用溶胶 - 凝胶法从纳米颗粒的分布和湿蚀刻纳米粒子进行的表面纹理化处理的简单进行来制造。
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公开(公告)号：KR101372461B1
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：KR1020120081874
申请日：2012-07-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H02S30/00 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , G02B1/113 , G02B1/12
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본원은 반사방지막, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로서, 졸-겔 방법을 이용한 구형 나노입자의 도포와 상기 나노입자를 습식 에칭함으로써 표면 텍스쳐링(texturing) 처리하는 것을 포함하는 간단한 공정에 의하여 제조될 수 있는 반사방지막, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것이다.
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