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    접촉 압력 및 가스 농도 감지 장치
    1.
    发明申请
    접촉 압력 및 가스 농도 감지 장치 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022131427A1

    公开(公告)日：2022-06-23

    申请号：PCT/KR2020/018947

    申请日：2020-12-23

    Applicant: (재)한국나노기술원

    Inventor： 전동환 ,  김성수

    IPC: G01N21/01 ,  G01N21/27 ,  G01N21/03 ,  G01N21/3504

    Abstract: 본 발명은 접촉 압력 및 가스 농도 감지 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 접촉 압력 감지 장치는, 외부로부터의 접촉 압력에 따라 변위를 발생하는 프레임과; 프레임에 광을 조사하는 적어도 하나의 광원; 및 광원으로부터 조사된 광이 프레임에 부딪쳐 프레임의 변위에 따라 대응하여 반사하는 광을 감지하는 적어도 하나의 광센서를 포함하고, 상기 광센서에 의해 상기 프레임의 접촉 압력에 의한 변위 발생 부위에 조사된 광의 반사광을 검출함으로써 상기 프레임의 변위에 따른 접촉 압력을 감지한다.

    저마늄을 이용한 반도체 소자의 접합 영역에서의 결함 치유 방법
    3.
    发明申请
    저마늄을 이용한 반도체 소자의 접합 영역에서의 결함 치유 방법 审中-公开
    用锗处理半导体器件结点的缺陷方法

    公开(公告)号：WO2014104552A1

    公开(公告)日：2014-07-03

    申请号：PCT/KR2013/009502

    申请日：2013-10-24

    Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교 산학협력단

    Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

    IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在半导体器件的接合区域处理缺陷的方法，包括以下步骤：通过在衬底上生长p-Ge层来沉积电极; 通过在p-Ge层上的离子注入形成n + Ge区域，或通过原位掺杂和在p-Ge层上蚀刻，或沉积氧化物层，在原位上进行图案化，蚀刻和掺杂 p-Ge层; 形成用于封盖的氧化物层; 并在600〜700℃下进行1〜3小时的热处理。 通过热处理，可以处理n + / p结的Ge缺陷，并且通过热处理加深接头可以相对降低，从而使泄漏电流最小化并提高半导体器件的性能。 此外，该方法可用于高堆叠半导体器件或制造相同的结构。

    저마늄을 이용한 반도체 소자의 접합 영역에서의 결함 치유 방법
    4.
    发明公开
    저마늄을 이용한 반도체 소자의 접합 영역에서의 결함 치유 방법 有权
    与GE的半导体器件连接的缺陷治疗方法

    公开(公告)号：KR1020140087549A

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：KR1020120157977

    申请日：2012-12-31

    Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

    IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

    Abstract: The present invention relates to a method of repairing a defect in a junction region of a semiconductor device. A p-Ge layer grows on a substrate, and an n+ Ge region is formed on the p-Ge layer through ion implantation or in-situ doping is performed on the upper portion of the p-Ge layer to form the n+ Ge region or an oxide layer is deposited on the p-Ge layer, pattered, etched, and in-situ doped to form the n+ Ge region. After an oxide layer for capping is formed, heat treatment is performed thereon at a temperature of 600-700°C for 1 to 3 hours to deposit an electrode. A leakage current is minimized to improve characteristics of a semiconductor device by relatively reducing deep junction through the heat treatment. The method has advantages in that high integration and refinement of the semiconductor device are realized.

    Abstract translation: 本发明涉及修复半导体器件的接合区域中的缺陷的方法。 p-Ge层在衬底上生长，并且通过离子注入在p-Ge层上形成n + Ge区，或者在p-Ge层的上部进行原位掺杂以形成n + Ge区或 氧化物层沉积在p-Ge层上，图案化，蚀刻和原位掺杂以形成n + Ge区域。 在形成用于封盖的氧化物层之后，在600-700℃的温度下对其进行1至3小时的热处理以沉积电极。 通过相对减少通过热处理的深度接合，使漏电流最小化以改善半导体器件的特性。 该方法具有实现半导体器件的高集成度和精细化的优点。

    저마늄을 이용한 반도체 소자의 접합 영역에서의 결함 치유 방법
    5.
    发明授权
    저마늄을 이용한 반도체 소자의 접합 영역에서의 결함 치유 방법 有权
    半导体器件与Ge结合的缺陷愈合方法

    公开(公告)号：KR101419533B1

    公开(公告)日：2014-07-14

    申请号：KR1020120157977

    申请日：2012-12-31

    Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

    IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.

    다중접합 태양전지 및 그 제조방법
    7.
    发明授权
    다중접합 태양전지 및 그 제조방법 有权
    多结太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR101734077B1

    公开(公告)日：2017-05-12

    申请号：KR1020150188846

    申请日：2015-12-29

    Applicant: (재)한국나노기술원

    Inventor： 김강호 ,  김영조 ,  정상현 ,  김창주 ,  전동환 ,  신현범 ,  박원규 ,  강호관 ,  이재진

    IPC: H01L31/068 ,  H01L31/046 ,  H01L31/18 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은다중접합태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른다중접합태양전지의제조방법은, 기판의상면에하부, 중부, 상부태양전지층및 포토레지스트층을차례로적층형성하는단계와; 포토레지스트층및 그하부의상부태양전지층의일부를각각메사식각하는단계와; 상부태양전지층의식각후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된상부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 상부태양전지층하부에위치하는중부태양전지층의일부를식각한후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된중부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 중부태양전지층하부에위치하는하부태양전지층의일부를식각하는단계; 및상부태양전지층위에위치하는포토레지스트층과, 상기식각부보호용으로형성된포토레지스트를제거하여다중접합태양전지구조체를완성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 다중접합태양전지의제조공정에다단계습식식각공정을도입함으로써, 메사습식식각공정에서의언더컷발생문제를해결하여메사습식식각공정으로인한활성면적감소를원천적으로방지할수 있고, 이에따라태양전지의효율저하문제를근본적으로해결할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种多结太阳能电池及其制造方法。 按照本发明制造键合的太阳能电池的方法包括：形成下部，中部，并依次层叠顶部太阳能电池层和所述衬底的所述顶表面上的光致抗蚀剂层的工序; 分别在光致抗蚀剂层下方蚀刻光致抗蚀剂层和部分上太阳能电池层; 在蚀刻上太阳能电池层之后，回流并热处理光致抗蚀剂以用光致抗蚀剂保护蚀刻的上太阳能电池层; 进一步包括：蚀刻，其位于顶太阳能电池层底部中央的太阳能电池层的一部分，保护所述中心太阳能电池层蚀刻所述回流热处理，并在光致抗蚀剂和光致抗蚀剂之后; 蚀刻位于中间太阳能电池层下方的下部太阳能电池层的一部分; 以及形成顶部太阳能电池层上，除去蚀刻保护部形成光致抗蚀剂，包括步骤完成的多结太阳能电池结构的光致抗蚀剂层。 因此，根据如本发明，通过在结太阳能电池的制造过程中引入的多步骤湿蚀刻工艺多，台面湿法蚀刻工艺eseoui并能解决底切问题，从根本上防止活性区域由于台面湿法蚀刻工艺减小， 因此，可以从根本上解决降低太阳能电池效率的问题。

    계면 재결합 억제 박막 태양전지
    10.
    发明公开
    계면 재결합 억제 박막 태양전지 有权
    薄膜太阳能电池用于减少表面重构

    公开(公告)号：KR1020160040380A

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：KR1020140133426

    申请日：2014-10-02

    Applicant: (재)한국나노기술원

    Inventor： 전동환

    IPC: H01L31/046 ,  H01L31/04

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/046 ,  H01L31/04

    Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로서, GaAs 계열의물질을사용하는광흡수층과, 상기광흡수층상측에형성되며, 알루미늄을포함하는화합물반도체로이루어진제1윈도우층과, 상기제1윈도우층과상기광흡수층사이에형성되며, 알루미늄을포함하지않는화합물반도체로이루어진제2윈도우층과, 상기광흡수층하측에형성되는 BSF층및 상기 BSF층하측에형성된기판을포함하여이루어지는것을특징으로하는계면재결합억제박막태양전지를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은윈도우층과광흡수층사이에새로운제2윈도우층을도입하여계면재결합속도특성을개선하여전류손실을막아태양전지의효율을향상시키는이점이있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池。 抑制界面复合的薄膜太阳能电池包括：由GaAs基材料形成的光吸收层; 形成在由铝（Al）构成的化合物半导体的光吸收层上的第一窗口层; 插入在第一窗口层和光吸收层之间的第二窗口层，并且由不含有Al的化合物半导体形成; 形成在光吸收层下的背面场（BSF）层; 以及形成在BSF层下的基板。 因此，根据本发明，在窗口层和光吸收层之间插入新的第二窗口层，以改善界面复合速率的特性; 从而防止电流损耗，从而能够提高太阳能电池的效率。

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