公开(公告)号：KR100896631B1

公开(公告)日：2009-05-08

申请号：KR1020070081464

申请日：2007-08-13

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정일섭 ,  손병일 ,  권남용 ,  이상민 ,  김수경

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 본 발명은 수직 실린더형 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 수직 실린더형 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직 실린더형 트랜지스터의 제조방법은 단위 셀 면적이 감소되어 고집적화가 가능하고, 전기적 특성 및 신뢰성이 향상된 수직 실린더형 트랜지스터의 제조가 가능하게 한다. 또한, 본 발명에 따른 수직 실린더형 트랜지스터의 제조방법은 채널과 드레인 전극이 셀프-얼라인(Self-align) 구조를 가짐으로서 기존의 수직형 트랜지스터보다 나은 특성을 제공하게 된다. 그리고, 더미 공간을 이용하여 드레인 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020090017045A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：KR1020070081464

申请日：2007-08-13

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정일섭 ,  손병일 ,  권남용 ,  이상민 ,  김수경

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: A vertical cylinder type transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve punch through and channel carrier mobility due to single channel effect by easily controlling length and width of a channel. A silicone substrate layer(20), a plurality of source forming layers, and a plurality of first cylinder columns are formed. A part of the source forming layer is removed, and a second cylinder column and a source electrode(24) are formed. A first silicone oxide film is formed on a surface of the source electrode. A gate insulating film surrounding the second cylinder column is formed. A gate electrode(32) is formed. A third cylinder column is formed by using a part of the second cylinder column. A semiconductor oxide film is formed by oxidizing the third cylinder column. A silicone nitride film is formed as height of the semiconductor oxide film. A dummy space is formed inside the silicone nitride film by removing the semiconductor oxide film. A semiconductor film is formed on a surface of the second silicone nitride film and inside the dummy space. A drain electrode(40) is formed by patterning the semiconductor film.

Abstract translation: 提供了一种垂直圆柱型晶体管及其制造方法，其通过容易地控制通道的长度和宽度来改善由于单通道效应引起的穿透和通道载流子迁移率。 形成硅树脂基底层（20），多个源极形成层和多个第一气缸柱。 去除源极形成层的一部分，形成第二圆柱体和源极（24）。 在源电极的表面上形成第一氧化硅膜。 形成围绕第二气缸柱的栅极绝缘膜。 形成栅电极（32）。 通过使用第二气缸柱的一部分形成第三气缸柱。 通过氧化第三气缸柱形成半导体氧化膜。 形成硅氧烷膜作为半导体氧化膜的高度。 通过去除半导体氧化物膜，在硅氮化物膜内部形成虚拟空间。 半导体膜形成在第二硅氮化膜的表面上，在虚拟空间内。 通过图案化半导体膜形成漏电极（40）。