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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020140064071A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120130984
申请日：2012-11-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 잉크테크
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a flexible transparent electrode using nanosphere lithography and a flexible transparent electrode using the same. The method for manufacturing a flexible transparent electrode using nanosphere lithography comprises the steps of: a nanosphere coating step of coating nanospheres on a substrate; a heat treatment step of heating the nanospheres; a metal solution coating step of coating metal solution containing metal or metal oxide on the substrate; and a nanosphere removing step of removing the nanospheres from the substrate. According to the present invention, the nanospheres are heat treated under optimum conditions according to the sizes thereof, thereby minimizing the height and the area of the printed metal line to optimize the transparency, minimizing the surface resistance, and forming the nanosphere having the size optimized for a printing process in a single layer to form a mesh pattern which is uniform and has a remarkably low packing loss rate.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米球光刻制造柔性透明电极的方法和使用其的柔性透明电极。 使用纳米球光刻制造柔性透明电极的方法包括以下步骤：在衬底上涂覆纳米球的纳米球涂覆步骤; 加热纳米球的热处理步骤; 金属溶液涂布步骤，在基材上涂覆含有金属或金属氧化物的金属溶液; 以及从衬底去除纳米球的纳米球去除步骤。 根据本发明，根据其尺寸在最佳条件下对纳米球进行热处理，从而最小化印刷金属线的高度和面积以优化透明度，最小化表面电阻，并形成具有优化尺寸的纳米球 用于在单层中的印刷工艺以形成均匀且具有非常低的包装损失率的网格图案。
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公开(公告)号：KR1020110071810A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128465
申请日：2009-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/0545 , H01L51/0096 , H01L51/055 , H01L51/105
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a method of manufacturing the same are provided to improve electrical characteristic by forming grooves for a source, drain, and gate electrode at the same time to reduce parasitic capacitance due to gate overlap. CONSTITUTION: In an organic thin film transistor and a method of manufacturing the same, a plurality of barriers(113b,113c) and a plurality of groove portions(h1-h3) which are divided by the barriers are formed in an insulating substrate(110). A source electrode(210) and a drain electrode(230) are formed in grooves which are separated from each other. An opening unit(h4) is formed by etching the barriers between the source electrode and the gate electrode and between the gate electrode and the drain electrode. A gate insulating layer(310) is formed on the opening unit.
Abstract translation: 目的：提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，以通过同时形成用于源极，漏极和栅电极的沟槽来改善电特性，以减少由栅极重叠导致的寄生电容。 构成：在有机薄膜晶体管及其制造方法中，在绝缘基板（110）中形成有多个屏障（113b，113c）和被阻挡层分隔的多个槽部（h1-h3） ）。 源电极（210）和漏电极（230）形成在彼此分离的凹槽中。 通过蚀刻源电极和栅电极之间以及栅电极和漏极之间的势垒形成开口单元（h4）。 在开口单元上形成栅极绝缘层（310）。
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3.发明授权
公开(公告)号：KR101465609B1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：KR1020120130984
申请日：2012-11-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 잉크테크
Abstract: 본 발명은 나노구 리소그래피를 이용한 플렉서블 투명전극의 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 투명전극에 관한 것으로서, 나노구를 기판상에 코팅하는 나노구 코팅단계; 상기 나노구를 가열하는 열처리단계; 상기 기판상에 금속 또는 금속산화물을 포함하는 금속용액을 코팅하는 금속용액 코팅단계; 및 상기 나노구를 상기 기판에서 제거하는 나노구 제거단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 나노구를 그 크기에 따라 최적의 조건에서 열처리함으로써, 인쇄되는 금속라인의 높이 및 면적을 최소화하여, 투명도를 극대화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 면저항을 최소화할 수 있으며, 인쇄공정에 최적화된 크기의 나노구가 단층으로 형성됨으로써, 균일하며 패킹손실률이 현저히 낮은 메쉬패턴을 형성할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR100850495B1
公开(公告)日：2008-08-05
申请号：KR1020070021044
申请日：2007-03-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0516 , H01L51/0529 , H01L51/0545
Abstract: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve insulating characteristics of an organic insulating layer by adding insulating characteristics of a hydrogenated amorphous carbon layer. A gate electrode(200) is formed on a substrate(100). An insulating layer(300) is formed on the gate electrode. A hydrogenated amorphous carbon layer(400) is formed on the insulating layer. An active layer(500) is formed on the hydrogenated amorphous carbon layer. A source electrode(600) and a drain electrode(700) are formed on the active layer. The substrate is a polyimide substrate or a polyestersulfone substrate. The gate electrode is an Au layer. The insulating layer is polyvinylcarbonate or polyvinylphenol.
Abstract translation: 提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，通过添加氢化无定形碳层的绝缘特性来改善有机绝缘层的绝缘特性。 在基板（100）上形成栅电极（200）。 在栅电极上形成绝缘层（300）。 在绝缘层上形成氢化非晶碳层（400）。 在氢化无定形碳层上形成活性层（500）。 源极电极（600）和漏电极（700）形成在有源层上。 基板是聚酰亚胺基板或聚酯砜基板。 栅电极是Au层。 绝缘层是聚碳酸酯或聚乙烯基苯酚。
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公开(公告)号：KR101420093B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020120130986
申请日：2012-11-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 잉크테크
Abstract: 본 발명은 양극산화를 이용한 인쇄롤의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 인쇄롤에 관한 것으로서, 금속롤을 준비하는 준비단계; 상기 금속롤의 표면에 금속막을 코팅시키는 금속막 형성단계; 상기 금속롤을 양극으로 하고, 상기 양극과 상기 양극에 대응되는 음극을 전해액에 투입하여 상기 금속롤을 양극산화처리함으로써 구멍을 형성하는 양극산화처리단계; 및 상기 금속롤을 산성 수용액에 투입하는 구멍확장 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 인쇄롤 표면을 최적의 양극산화 및 구멍확장 처리함으로써, 메쉬형태의 구멍을 나노사이즈의 미세패턴으로 구현가능할 뿐만 아니라, 구멍을 균일하면서도 용이하게 정렬시킬 수 있어, 투명 전극의 광 투과성을 현저히 향상시킬 수 있는 장점이 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140064073A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120130986
申请日：2012-11-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 잉크테크
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for a printing roll by anodizing and to a printing roll manufactured thereby. The present invention is characterized by comprising: a preparing step of preparing a metal roll; a metal membrane forming step of coating the surface of the metal roll with a metal membrane; an anodization treating step of using the metal roll as a positive electrode, putting the positive electrode and a negative electrode corresponding to the positive electrode into an electrolyte and forming pores by performing anodization treatment on the metal roll; and a widening step of putting the metal roll into an acidic aqueous solution. The present invention is able to form the pores of mesh shapes in fine patterns of nanosize by performing optimal anodization and widening treatment on the surface of the printing roll and is able to markedly improve the light transmittance of a transparent electrode since the pores are able to be uniformly and easily arranged.
Abstract translation: 本发明涉及通过阳极氧化的印刷辊的制造方法和由其制造的印刷辊。 本发明的特征在于包括：制备金属辊的制备步骤; 用金属膜涂覆金属辊表面的金属膜形成步骤; 使用金属辊作为正极的阳极氧化处理工序，将正极和与正极对应的负极放入电解液中，通过在金属辊上进行阳极氧化处理而形成孔; 以及将金属辊放入酸性水溶液中的扩大步骤。 本发明能够通过在印刷辊的表面上进行最佳的阳极氧化和扩大处理来形成纳米尺寸精细图案中的网状形状的孔，并且能够显着提高透明电极的透光率，因为孔能够 均匀且易于布置。
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公开(公告)号：KR1020100132932A
公开(公告)日：2010-12-20
申请号：KR1020100054958
申请日：2010-06-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for growing vertical nanowire is provided to obtain nanowire with uniformity and regularity by forming air gaps with matrix arrangement and nanowire in air gaps. CONSTITUTION: A method for growing vertical nanowire comprises the steps of forming a thin film for a template on a substrate(10); forming depressions with a matrix arrangement inside the upper side of the thin film for the template; forming an anodized film with air gaps extended from the depressions in a substrate direction by anodizing the thin film for the template; growing nanowires(17) within the air gaps of anodized film; and removing the anodized film.
Abstract translation: 目的：提供一种生长垂直纳米线的方法，通过在空隙中形成具有矩阵排列和纳米线的气隙，获得具有均匀性和规则性的纳米线。 构成：用于生长垂直纳米线的方法包括在衬底（10）上形成用于模板的薄膜的步骤; 在用于模板的薄膜的上侧内部形成具有矩阵布置的凹部; 通过阳极氧化用于模板的薄膜，形成具有从凹陷沿基板方向延伸的气隙的阳极氧化膜; 在阳极氧化膜的气隙内生长纳米线（17）; 并去除阳极氧化膜。
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公开(公告)号：KR101079519B1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020090128465
申请日：2009-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/0545
Abstract: 본발명은유기박막트랜지스터및 그제조방법에관한것으로, 본발명에따른유기박막트랜지스터는다수의격벽및 상기격벽에의하여구획되는다수의홈부가형성된절연기판; 상기다수의홈부중 서로이격된홈부각각에형성된소스및 드레인전극; 상기소스및 드레인전극사이의홈부에형성되는게이트전극; 상기소스전극과게이트전극, 상기게이트전극과드레인전극사이의격벽의식각에의하여형성된개구부; 상기개부구에형성되는게이트절연막; 및상기게이트절연막상에형성된유기반도체층;을포함한다. 본발명에따른유기박막트랜지스터는대량생산이가능하고우수한전기적특성을갖는다.
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公开(公告)号：KR101036920B1
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090020220
申请日：2009-03-10
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L51/40
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 음각 패턴이 형성된 패턴층을 기판에 형성하는 단계, 음각 패턴 내부에 소스 전극(source electrode) 및 드레인 전극(drain electrode)을 각각 형성하는 단계, 음각 패턴 내부에 수용되도록, 소스 전극 및 드레인 전극에 절연층을 각각 형성하는 단계, 패턴층 중, 소스 전극과 드레인 전극 사이, 및 절연층 사이에 개재된 일부를 제거하는 단계, 소스 전극 및 드레인 전극과 각각 접하도록, 패턴층의 일부가 제거된 공간에 유기 반도체층을 형성하는 단계, 패턴층의 일부가 제거된 공간에 수용되도록, 유기 반도체층에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 및 패턴층의 일부가 제거된 공간에 수용되도록, 게이트 절연막에 게이트 전극(gate electrode)을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터(OTFT, organic thin film transistor) 제조 방법이 제공된다. 이에 따라, 소스 전극, 드레인 전극, 유기 반도체층 및 게이트 전극이 상호 간에 보다 정밀하게 정렬됨으로써, 게이트 전극과 소스 전극 간, 및 게이트 전극과 드레인 전극 간 생성될 수 있는 기생 캐패시턴스를 최소화할 수 있다.
유기 박막 트랜지스터, 임프린트, 잉크젯-
公开(公告)号：KR1020100101822A
公开(公告)日：2010-09-20
申请号：KR1020090020220
申请日：2009-03-10
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0021
Abstract: PURPOSE: The organic thin film transistor and manufacturing method thereof is the gate electrode and source electrode, and, the gate electrode and drain. The parasitic capacitance which goes electrode and can become can be minimized. CONSTITUTION: The pattern layer in which the intaglio pattern is formed is formed in substrate(S110). The source electrode and drain electrode are respectively formed in the intaglio pattern inside(S120). In order that it is accepted to the intaglio pattern inside, the insulating layer is respectively formed in the source electrode and drain electrode(S130).
Abstract translation: 目的：有机薄膜晶体管及其制造方法是栅电极和源电极，以及栅电极和漏极。 可以使到达电极并且可以变成的寄生电容最小化。 构成：在衬底中形成形成凹版图案的图案层（S110）。 源电极和漏极电极分别形成在凹版图案内部（S120）。 为了使其内部的凹版图形被接受，绝缘层分别形成在源电极和漏电极中（S130）。
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