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1.发明授权
公开(公告)号：KR101465609B1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：KR1020120130984
申请日：2012-11-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 잉크테크
Abstract: 본 발명은 나노구 리소그래피를 이용한 플렉서블 투명전극의 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 투명전극에 관한 것으로서, 나노구를 기판상에 코팅하는 나노구 코팅단계; 상기 나노구를 가열하는 열처리단계; 상기 기판상에 금속 또는 금속산화물을 포함하는 금속용액을 코팅하는 금속용액 코팅단계; 및 상기 나노구를 상기 기판에서 제거하는 나노구 제거단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 나노구를 그 크기에 따라 최적의 조건에서 열처리함으로써, 인쇄되는 금속라인의 높이 및 면적을 최소화하여, 투명도를 극대화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 면저항을 최소화할 수 있으며, 인쇄공정에 최적화된 크기의 나노구가 단층으로 형성됨으로써, 균일하며 패킹손실률이 현저히 낮은 메쉬패턴을 형성할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020090017045A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020070081464
申请日：2007-08-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: A vertical cylinder type transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve punch through and channel carrier mobility due to single channel effect by easily controlling length and width of a channel. A silicone substrate layer(20), a plurality of source forming layers, and a plurality of first cylinder columns are formed. A part of the source forming layer is removed, and a second cylinder column and a source electrode(24) are formed. A first silicone oxide film is formed on a surface of the source electrode. A gate insulating film surrounding the second cylinder column is formed. A gate electrode(32) is formed. A third cylinder column is formed by using a part of the second cylinder column. A semiconductor oxide film is formed by oxidizing the third cylinder column. A silicone nitride film is formed as height of the semiconductor oxide film. A dummy space is formed inside the silicone nitride film by removing the semiconductor oxide film. A semiconductor film is formed on a surface of the second silicone nitride film and inside the dummy space. A drain electrode(40) is formed by patterning the semiconductor film.
Abstract translation: 提供了一种垂直圆柱型晶体管及其制造方法，其通过容易地控制通道的长度和宽度来改善由于单通道效应引起的穿透和通道载流子迁移率。 形成硅树脂基底层（20），多个源极形成层和多个第一气缸柱。 去除源极形成层的一部分，形成第二圆柱体和源极（24）。 在源电极的表面上形成第一氧化硅膜。 形成围绕第二气缸柱的栅极绝缘膜。 形成栅电极（32）。 通过使用第二气缸柱的一部分形成第三气缸柱。 通过氧化第三气缸柱形成半导体氧化膜。 形成硅氧烷膜作为半导体氧化膜的高度。 通过去除半导体氧化物膜，在硅氮化物膜内部形成虚拟空间。 半导体膜形成在第二硅氮化膜的表面上，在虚拟空间内。 通过图案化半导体膜形成漏电极（40）。
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公开(公告)号：KR101199211B1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020100054958
申请日：2010-06-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 매트릭스 구조의 공극들 배열을 갖는 양극 산화물을 이용한 수직형 나노와이어 성장방법을 제공한다. 이러한 본 발명의 의 수직형 나노와이어 성장 방법은 기판 상에 템플레이트용 박막을 형성하는 단계; 상기 템플레이트용 박막의 상부면 내에 매트릭스 배열을 갖는 함몰부들을 형성하는 단계; 상기 템플레이트용 박막을 양극 산화 처리하여, 상기 함몰부들로부터 상기 기판 방향으로 각각 연장된 공극들을 갖는 양극 산화막을 형성하는 단계; 상기 양극 산화막의 공극들 내에 나노와이어들을 성장시키는 단계; 및 상기 양극 산화막을 제거하는 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100896631B1
公开(公告)日：2009-05-08
申请号：KR1020070081464
申请日：2007-08-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 본 발명은 수직 실린더형 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 수직 실린더형 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직 실린더형 트랜지스터의 제조방법은 단위 셀 면적이 감소되어 고집적화가 가능하고, 전기적 특성 및 신뢰성이 향상된 수직 실린더형 트랜지스터의 제조가 가능하게 한다. 또한, 본 발명에 따른 수직 실린더형 트랜지스터의 제조방법은 채널과 드레인 전극이 셀프-얼라인(Self-align) 구조를 가짐으로서 기존의 수직형 트랜지스터보다 나은 특성을 제공하게 된다. 그리고, 더미 공간을 이용하여 드레인 전극을 형성한다.
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公开(公告)号：KR101420093B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020120130986
申请日：2012-11-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 잉크테크
Abstract: 본 발명은 양극산화를 이용한 인쇄롤의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 인쇄롤에 관한 것으로서, 금속롤을 준비하는 준비단계; 상기 금속롤의 표면에 금속막을 코팅시키는 금속막 형성단계; 상기 금속롤을 양극으로 하고, 상기 양극과 상기 양극에 대응되는 음극을 전해액에 투입하여 상기 금속롤을 양극산화처리함으로써 구멍을 형성하는 양극산화처리단계; 및 상기 금속롤을 산성 수용액에 투입하는 구멍확장 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 인쇄롤 표면을 최적의 양극산화 및 구멍확장 처리함으로써, 메쉬형태의 구멍을 나노사이즈의 미세패턴으로 구현가능할 뿐만 아니라, 구멍을 균일하면서도 용이하게 정렬시킬 수 있어, 투명 전극의 광 투과성을 현저히 향상시킬 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020140064073A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120130986
申请日：2012-11-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 잉크테크
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for a printing roll by anodizing and to a printing roll manufactured thereby. The present invention is characterized by comprising: a preparing step of preparing a metal roll; a metal membrane forming step of coating the surface of the metal roll with a metal membrane; an anodization treating step of using the metal roll as a positive electrode, putting the positive electrode and a negative electrode corresponding to the positive electrode into an electrolyte and forming pores by performing anodization treatment on the metal roll; and a widening step of putting the metal roll into an acidic aqueous solution. The present invention is able to form the pores of mesh shapes in fine patterns of nanosize by performing optimal anodization and widening treatment on the surface of the printing roll and is able to markedly improve the light transmittance of a transparent electrode since the pores are able to be uniformly and easily arranged.
Abstract translation: 本发明涉及通过阳极氧化的印刷辊的制造方法和由其制造的印刷辊。 本发明的特征在于包括：制备金属辊的制备步骤; 用金属膜涂覆金属辊表面的金属膜形成步骤; 使用金属辊作为正极的阳极氧化处理工序，将正极和与正极对应的负极放入电解液中，通过在金属辊上进行阳极氧化处理而形成孔; 以及将金属辊放入酸性水溶液中的扩大步骤。 本发明能够通过在印刷辊的表面上进行最佳的阳极氧化和扩大处理来形成纳米尺寸精细图案中的网状形状的孔，并且能够显着提高透明电极的透光率，因为孔能够 均匀且易于布置。
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公开(公告)号：KR1020100132932A
公开(公告)日：2010-12-20
申请号：KR1020100054958
申请日：2010-06-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for growing vertical nanowire is provided to obtain nanowire with uniformity and regularity by forming air gaps with matrix arrangement and nanowire in air gaps. CONSTITUTION: A method for growing vertical nanowire comprises the steps of forming a thin film for a template on a substrate(10); forming depressions with a matrix arrangement inside the upper side of the thin film for the template; forming an anodized film with air gaps extended from the depressions in a substrate direction by anodizing the thin film for the template; growing nanowires(17) within the air gaps of anodized film; and removing the anodized film.
Abstract translation: 目的：提供一种生长垂直纳米线的方法，通过在空隙中形成具有矩阵排列和纳米线的气隙，获得具有均匀性和规则性的纳米线。 构成：用于生长垂直纳米线的方法包括在衬底（10）上形成用于模板的薄膜的步骤; 在用于模板的薄膜的上侧内部形成具有矩阵布置的凹部; 通过阳极氧化用于模板的薄膜，形成具有从凹陷沿基板方向延伸的气隙的阳极氧化膜; 在阳极氧化膜的气隙内生长纳米线（17）; 并去除阳极氧化膜。
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8.发明公开
公开(公告)号：KR1020140064071A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120130984
申请日：2012-11-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 잉크테크
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a flexible transparent electrode using nanosphere lithography and a flexible transparent electrode using the same. The method for manufacturing a flexible transparent electrode using nanosphere lithography comprises the steps of: a nanosphere coating step of coating nanospheres on a substrate; a heat treatment step of heating the nanospheres; a metal solution coating step of coating metal solution containing metal or metal oxide on the substrate; and a nanosphere removing step of removing the nanospheres from the substrate. According to the present invention, the nanospheres are heat treated under optimum conditions according to the sizes thereof, thereby minimizing the height and the area of the printed metal line to optimize the transparency, minimizing the surface resistance, and forming the nanosphere having the size optimized for a printing process in a single layer to form a mesh pattern which is uniform and has a remarkably low packing loss rate.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米球光刻制造柔性透明电极的方法和使用其的柔性透明电极。 使用纳米球光刻制造柔性透明电极的方法包括以下步骤：在衬底上涂覆纳米球的纳米球涂覆步骤; 加热纳米球的热处理步骤; 金属溶液涂布步骤，在基材上涂覆含有金属或金属氧化物的金属溶液; 以及从衬底去除纳米球的纳米球去除步骤。 根据本发明，根据其尺寸在最佳条件下对纳米球进行热处理，从而最小化印刷金属线的高度和面积以优化透明度，最小化表面电阻，并形成具有优化尺寸的纳米球 用于在单层中的印刷工艺以形成均匀且具有非常低的包装损失率的网格图案。
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