公开(公告)号：KR1020100097859A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090016717

申请日：2009-02-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 유원종 ,  임영대 ,  양챙

IPC: H01L21/20 ,  B82B3/00 ,  H01L29/786 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0014 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669

Abstract: PURPOSE: A nano wire manufacturing method is provided to form a nanowire of various length by controlling the condition such as the ratio of fluorination sulfur and oxygen, the etching time of plasma, and bias power. CONSTITUTION: A silicon substrate is offered on a chuck inside the chamber in state of vacuum(S210). A plasma is formed inside the chamber by applying the power to a first power unit and a second power unit(S220). A silicon substrate is etched using the plasma(S230). The silicon nano wire is formed(S240).

Abstract translation: 目的：通过控制氟化硫和氧的比例，等离子体的蚀刻时间和偏压功率等条件，提供纳米线制造方法以形成各种长度的纳米线。 构成：在真空状态下，在室内的卡盘上提供硅衬底（S210）。 通过向第一电力单元和第二电力单元施加电力，在室内形成等离子体（S220）。 使用等离子体蚀刻硅衬底（S230）。 形成硅纳米线（S240）。

公开(公告)号：KR101027315B1

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：KR1020090016717

申请日：2009-02-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 유원종 ,  임영대 ,  양챙

IPC: H01L21/20 ,  B82B3/00 ,  H01L29/786 ,  B82Y40/00

Abstract: 나노 와이어의 제조방법을 개시한다. 상기 방법은 실리콘 기판을 진공 상태의 챔버 안에 제공하는 기판 제공단계, 상기 진공 상태의 챔버 안에 육플루오린화 황(SF
6 ) 및 산소(O
2 )를 투입하고 상기 진공 상태의 챔버에 전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성단계, 및 상기 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 기판을 식각함으로써 실리콘 나노 와이어를 형성하는 플라즈마 식각단계를 포함한다.
나노, 와이어, 진공, 플라즈마, 식각