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    그래핀을 이용한 광검출기와 그 제조방법
    3.
    发明授权
    그래핀을 이용한 광검출기와 그 제조방법 有权
    使用石墨烯的光电检测器及其制造方法

    公开(公告)号：KR101532311B1

    公开(公告)日：2015-06-29

    申请号：KR1020120044667

    申请日：2012-04-27

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 유원종 ,  이화민

    IPC: H01L31/09

    CPC classification number: H01L31/028 ,  B82Y15/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/036 ,  H01L31/112 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/773

    Abstract: 그래핀을이용한광 검출기및 그제조방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한광 검출기는게이트전극, 상기게이트전극과마주하고상기게이트전극과이격되며파이(&pgr;) 결합을갖지않는그래핀채널층과, 상기그래핀채널층의한쪽에접촉된제1 전극과, 상기그래핀채널층의다른쪽에접촉된제2 전극을포함하고, 상기그래핀채널층은적어도제1 그래핀층과, 상기제1 그래핀층상에있는제1 나노입자를포함한다. 상기제1 그래핀층은단일그래핀층일수 있다. 또한상기제1 그래핀층은순차적으로적층된복수의단일그래핀층들을포함할수 있고, 상기복수의단일그래핀층들은 &pgr; 결합을갖지않는다.

    Abstract translation: 使用石墨烯的光检测器包括：栅电极; 石墨烯通道层，其与栅电极相对并间隔开并且不具有结合; 接触所述石墨烯通道层的第一侧的第一电极; 以及第二电极，其接触石墨烯通道层的一侧，其中第一和第二面彼此相对，并且其中石墨烯通道层包括第一石墨烯层和设置在第一石墨烯层上的第一纳米颗粒。 第一石墨烯层可以包括单个石墨烯层，或者第一石墨烯层可以包括多个单个石墨烯层，其顺序堆叠并且不具有结合。

    그래핀을 이용한 광검출기와 그 제조방법
    4.
    发明公开
    그래핀을 이용한 광검출기와 그 제조방법 有权
    使用石墨的光电检测器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020130121451A

    公开(公告)日：2013-11-06

    申请号：KR1020120044667

    申请日：2012-04-27

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 유원종 ,  이화민

    IPC: H01L31/09

    CPC classification number: H01L31/028 ,  B82Y15/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/036 ,  H01L31/112 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/773 ,  H01L31/09 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/1136

    Abstract: 그래핀을이용한광 검출기및 그제조방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한광 검출기는게이트전극, 상기게이트전극과마주하고상기게이트전극과이격되며파이(π) 결합을갖지않는그래핀채널층과, 상기그래핀채널층의한쪽에접촉된제1 전극과, 상기그래핀채널층의다른쪽에접촉된제2 전극을포함하고, 상기그래핀채널층은적어도제1 그래핀층과, 상기제1 그래핀층상에있는제1 나노입자를포함한다. 상기제1 그래핀층은단일그래핀층일수 있다. 또한상기제1 그래핀층은순차적으로적층된복수의단일그래핀층들을포함할수 있고, 상기복수의단일그래핀층들은π 결합을갖지않는다.

    Abstract translation: 公开了使用石墨烯的光电检测器及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的光电检测器包括：第一栅极电极，面对栅电极的石墨烯沟道层，并且与栅电极分离而不具有π键;与石墨烯的一侧接触的第一电极 沟道层和与石墨烯通道层的另一侧接触的第二电极。 石墨烯通道层包括至少第一石墨烯层和位于第一石墨烯层上的第一纳米颗粒。 第一个石墨烯层是单个石墨烯层。 此外，第一石墨烯层包括多个单独的石墨烯层，其连续地层叠而不具有π键。

    그래핀을 이용한 논리소자와 그 제조 및 동작방법
    5.
    发明公开
    그래핀을 이용한 논리소자와 그 제조 및 동작방법 有权
    使用石墨的逻辑器件及其制造和操作方法

    公开(公告)号：KR1020130085329A

    公开(公告)日：2013-07-29

    申请号：KR1020120006412

    申请日：2012-01-19

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 유원종 ,  라창호 ,  이대영 ,  이성주

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H03K19/20 ,  H01L29/1606 ,  H03K19/215

    Abstract: 그래핀을이용한논리소자와그 제조및 동작방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한논리소자는그래핀을채널로구비하는그래핀트랜지스터와, 상기그래핀을사이에두고상기그래핀트랜지스터의게이트전극과마주하는광 밸브층를포함한다. 상기그래핀트랜지스터는게이트전극이상기채널위에있는탑(top) 구조이거나상기게이트전극이상기채널아래에있는바텀(bottom) 구조일수 있다. 상기광 밸브층은상기그래핀층상에형성된상변화층과, 상기상변화층상에형성된투광성게이트전극을포함할수 있다.

    Abstract translation: 目的：使用图形的逻辑器件及其制造和操作方法使用石墨烯作为通道并且可以高速操作。 构成：逻辑器件包括石墨烯晶体管（26）和光阀层。 光阀包括石墨烯作为通道。 光阀层面对具有石墨烯位于中间的石墨烯晶体管的栅电极。 光阀层包括相变层（32）和透光栅电极（34）。 相变层形成在石墨烯层上。 透光栅极形成在相变层上。

    화학적 도핑을 이용한 수직형 피-엔 접합 트랜지스터 및 그 제조방법
    6.
    发明授权
    화학적 도핑을 이용한 수직형 피-엔 접합 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
    采用化学掺杂的垂直p-to-n结晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR101818657B1

    公开(公告)日：2018-01-15

    申请号：KR1020150110924

    申请日：2015-08-06

    Applicant: 광주과학기술원 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 이병훈 ,  유원종 ,  류정진 ,  이대영

    IPC: H01L29/10 ,  H01L21/761

    Abstract: 이황화몰리브덴을기반으로한 p-n 접합트랜지스터및 이의제조방법이개시된다. 게이트구조물상에적층된양상으로 n형이황화몰리브덴층과 p형이황화몰리브덴층이형성되며, 게이트구조물의표면에대해수평방향으로접합면이형성된다. 게이트층으로전계가인가되는경우, 각각의이황화몰리브덴층은도전성채널을형성하며, 캐리어이동의양상은바이폴라타입으로진행된다.

    Abstract translation: 公开了一种基于二硫化钼的p-n结型晶体管及其制造方法。 n型二硫化钼层和p型二硫化钼层以层叠状态形成在栅极结构上，并且相对于栅极结构的表面在水平方向上形成结面。 当将电场施加到栅极层时，每个二硫化钼层形成导电沟道，并且载流子运动的方面进展为双极型。

    그래핀 물성 복귀 방법 및 장치
    8.
    发明公开
    그래핀 물성 복귀 방법 및 장치 有权
    用于恢复石墨属性的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020140023631A

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：KR1020120089736

    申请日：2012-08-16

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 최재영 ,  유원종 ,  이승환 ,  임영대

    IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12

    CPC classification number: C01B31/0484 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  C23C16/56 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  Y10S977/845 ,  B01J19/12

    Abstract: Disclosed are a method and an appartus for restoring the physical properties of graphene. The method and the apparatus for restoring the physical properties of graphene restore the physical properties of graphene by exposing the graphene to low density plasma within a range of 0.3*10^8-30*10^8 cm^-3 in a condition in which the graphene is grounded. The method and the apparatus for restoring the physical properties of graphene are compatible with a silicon process, are environment-friendly, enables a high speed process, a low temperature process, and a large area process.

    Abstract translation: 公开了用于恢复石墨烯的物理性质的方法和应用。 用于恢复石墨烯的物理性能的方法和装置通过在0.3×10 ^ 8-30×10 ^ 8cm -3 -3的范围内将石墨烯暴露于低密度等离子体来恢复石墨烯的物理性质，其中 石墨烯接地。 用于恢复石墨烯的物理性能的方法和装置与硅工艺兼容，环境友好，能够实现高速工艺，低温工艺和大面积工艺。

    나노 와이어의 제조방법
    9.
    发明公开
    나노 와이어의 제조방법 失效
    制造纳米线的方法

    公开(公告)号：KR1020100097859A

    公开(公告)日：2010-09-06

    申请号：KR1020090016717

    申请日：2009-02-27

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 유원종 ,  임영대 ,  양챙

    IPC: H01L21/20 ,  B82B3/00 ,  H01L29/786 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: B82B3/0014 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669

    Abstract: PURPOSE: A nano wire manufacturing method is provided to form a nanowire of various length by controlling the condition such as the ratio of fluorination sulfur and oxygen, the etching time of plasma, and bias power. CONSTITUTION: A silicon substrate is offered on a chuck inside the chamber in state of vacuum(S210). A plasma is formed inside the chamber by applying the power to a first power unit and a second power unit(S220). A silicon substrate is etched using the plasma(S230). The silicon nano wire is formed(S240).

    Abstract translation: 目的：通过控制氟化硫和氧的比例，等离子体的蚀刻时间和偏压功率等条件，提供纳米线制造方法以形成各种长度的纳米线。 构成：在真空状态下，在室内的卡盘上提供硅衬底（S210）。 通过向第一电力单元和第二电力单元施加电力，在室内形成等离子体（S220）。 使用等离子体蚀刻硅衬底（S230）。 形成硅纳米线（S240）。

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