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公开(公告)号：KR1020140010892A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020130082292
申请日：2013-07-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/186 , B41M5/10 , G03F7/00
Abstract: The present invention relates to a graphene patterning method which includes a step of forming a DNA pattern, and a step of forming graphene on the DNA pattern. The graphene patterning method includes a DNA pattern formation step, and a graphene formation step on the DNA pattern.
Abstract translation: 本发明涉及一种石墨烯图案化方法，其包括形成DNA图案的步骤和在DNA图案上形成石墨烯的步骤。 石墨烯图案化方法包括DNA图案形成步骤和DNA图案上的石墨烯形成步骤。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101473854B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020140139697
申请日：2014-10-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 形成DNA图案，并在DNA图案上形成石墨烯。
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公开(公告)号：KR1020140141542A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020140139697
申请日：2014-10-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/184 , B82B3/0009 , C01B2204/00 , C23C16/18
Abstract: DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及形成石墨烯图案的方法，包括以下步骤：形成DNA图案; 并在DNA图案上形成石墨烯。 根据本发明，可以通过以目标图案生长石墨烯来形成石墨烯图案。 根据本发明的方法，可以获得纳米尺寸均匀的石墨烯图案。
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公开(公告)号：KR1020140141541A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020140139696
申请日：2014-10-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/184 , B82B3/0009 , C01B2204/00 , C23C16/18
Abstract: DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及形成石墨烯图案的方法，包括以下步骤：形成DNA图案; 并在DNA图案上形成石墨烯。 根据本发明，可以通过以目标图案生长石墨烯来形成石墨烯图案。 根据本发明的方法，可以获得纳米尺寸均匀的石墨烯图案。
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