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    나노 소자의 형성방법
    1.
    发明公开
    나노 소자의 형성방법 失效
    使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法

    公开(公告)号：KR1020110014258A

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：KR1020110008340

    申请日：2011-01-27

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 노용한 ,  김경섭 ,  정석원 ,  김형진 ,  박성하

    IPC: B82B3/00 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: H01L21/02601 ,  B82B3/0038 ,  B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: A formation method of a nano device is provided to perform an ion implantation process and an etching process in a nano scale while not applying an exposure process. CONSTITUTION: A formation method of a nano device comprises the steps of: forming a nanoscale self-assembly material layer(23) on a substrate(21) which has at least one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface treatment process on the substrate; and removing the self-assembly material layer. The surface treatment process is an etching process or ion injection process.

    Abstract translation: 目的：提供纳米器件的形成方法，以在不施加曝光工艺的情况下进行纳米级的离子注入工艺和蚀刻工艺。 构成：纳米器件的形成方法包括以下步骤：在具有至少一层的衬底（21）上形成纳米级自组装材料层（23）; 在所述自组装材料层上形成掩模层（25）; 在基板上进行表面处理工艺; 并移除自组装材料层。 表面处理工艺是蚀刻工艺或离子注入工艺。

    나노 소자의 형성방법
    2.
    发明公开
    나노 소자의 형성방법 失效
    使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法

    公开(公告)号：KR1020100039978A

    公开(公告)日：2010-04-19

    申请号：KR1020080098992

    申请日：2008-10-09

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 노용한 ,  김경섭 ,  정석원 ,  김형진 ,  박성하

    IPC: B82B3/00 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: H01L21/32139 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0332 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78

    Abstract: PURPOSE: A nano device forming method is provided to pattern a substrate in a nano scale without using a light source, to improve the degree of integration of the device while reducing the fabrication cost, and to improve the yield of the device production. CONSTITUTION: A nano device forming method comprises the following steps: forming a self-assembly material layer(23) in a nano scale on a substrate(21) formed with more than one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface processing on the substrate using the mask layer as a mask; and removing the self-assembly material layer. The surface processing is either an etching or an ion inserting. The mask layer contains a substance selected from the group consisting of gold, silver, silicon, silicon oxide, silicon nitride, iron, cadmium selenide, carbon nano tube, bucky ball and grapheme.

    Abstract translation: 目的：提供一种纳米器件形成方法，用于在不使用光源的情况下以纳米尺度对衬底进行图案化，从而提高器件的集成度，同时降低制造成本，并提高器件生产的产量。 构成：纳米器件形成方法包括以下步骤：在形成有多于一层的衬底（21）上形成纳米尺度的自组装材料层（23）; 在所述自组装材料层上形成掩模层（25）; 使用掩模层作为掩模在基板上进行表面处理; 并移除自组装材料层。 表面处理是蚀刻或离子插入。 掩模层包含选自金，银，硅，氧化硅，氮化硅，铁，硒化镉，碳纳米管，巴基球和图形的物质。

    나노 소자의 형성방법
    9.
    发明授权
    나노 소자의 형성방법 失效
    使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法

    公开(公告)号：KR101094738B1

    公开(公告)日：2011-12-16

    申请号：KR1020110008340

    申请日：2011-01-27

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 노용한 ,  김경섭 ,  정석원 ,  김형진 ,  박성하

    IPC: B82B3/00 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

    Abstract: 본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.
    상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다.

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